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公開番号2025043988
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-01
出願番号2023151627
出願日2023-09-19
発明の名称発光素子
出願人日亜化学工業株式会社
代理人弁理士法人iX
主分類H10H 20/82 20250101AFI20250325BHJP()
要約【課題】主な光取り出し面における中央領域と外周領域の輝度の差の大きい発光素子を提供すること。
【解決手段】発光素子は、第1面と、第1面の反対側に位置し、第1領域及び第2領域を有する第2面とを有する第1半導体層と、第1領域上に配置された活性層と、活性層上に配置された第2半導体層とを有する半導体構造体と、第2領域に配置され、第1半導体層と電気的に接続された第1電極と、第2半導体層上に配置され、第2半導体層と電気的に接続された第2電極とを備え、第1面は、外周領域と、平面視において外周領域に囲まれ、外周領域よりも表面粗さが大きい中央領域とを有し、半導体構造体の表面のうち外周領域のみに第1反射膜が配置され、中央領域に活性層が発する光のピーク波長に対する透過率が第1反射膜よりも高い第1保護膜が配置される。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
第１面と、第１面の反対側に位置し、第１領域及び第２領域を有する第２面とを有する第１半導体層と、前記第１領域上に配置された活性層と、前記活性層上に配置された第２半導体層と、を有する半導体構造体と、
前記第２領域に配置され、前記第１半導体層と電気的に接続された第１電極と、
前記第２半導体層上に配置され、前記第２半導体層と電気的に接続された第２電極と、
を備え、
前記第１面は、外周領域と、平面視において前記外周領域に囲まれ、前記外周領域よりも表面粗さが大きい中央領域と、を有し、
前記半導体構造体の表面のうち前記外周領域のみに第１反射膜が配置され、
前記中央領域に前記活性層が発する光のピーク波長に対する透過率が前記第１反射膜よりも高い第１保護膜が配置される、発光素子。
続きを表示（約 820 文字）【請求項２】
前記第１反射膜は、平面視において前記外周領域と重なる第１部分と、平面視において前記第１部分から前記半導体構造体の外側に延出する第２部分とを有する、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
平面視において、前記第２部分の面積は、前記第１部分の面積よりも小さい、請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第１面と、前記第２半導体層の上面と、を接続する前記半導体構造体の側面に配置された第２保護膜をさらに備え、
平面視において、前記第２保護膜の外縁は、前記第１反射膜の外縁と一致、または前記第１反射膜の外縁より内側に位置する、請求項１～３のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１反射膜は、複数の第１膜と複数の第２膜とを含む第１誘電体多層膜を有する、請求項１～３のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項６】
前記第２半導体層上を覆う第２反射膜をさらに備え、
前記第２反射膜は、複数の第３膜と複数の第４膜とを含む第２誘電体多層膜を有し、
前記第１膜の厚さは、前記第３膜の厚さよりも厚く、
前記第２膜の厚さは、前記第４膜の厚さよりも厚い、請求項５に記載の発光素子。
【請求項７】
前記第１保護膜は、前記中央領域上、及び前記外周領域上の前記第１反射膜上に連続して配置され、
前記中央領域上の前記第１保護膜の表面粗さは、前記第１反射膜上の前記第１保護膜の表面粗さよりも大きい、請求項１～３のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項８】
前記第２半導体層上を覆い、平面視において前記第１反射膜と重なる第２反射膜をさらに備え、
平面視において、前記第１反射膜と前記第２反射膜とが重なる面積は、前記第１反射膜の面積の４０％以上である、請求項１～３のいずれか１つに記載の発光素子。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１には、半導体層の第１の面に凹凸構造を形成した発光素子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１５－３２８０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、主な光取り出し面における中央領域と外周領域の輝度の差の大きい発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、発光素子は、第１面と、第１面の反対側に位置し、第１領域及び第２領域を有する第２面とを有する第１半導体層と、前記第１領域上に配置された活性層と、前記活性層上に配置された第２半導体層と、を有する半導体構造体と、前記第２領域に配置され、前記第１半導体層と電気的に接続された第１電極と、前記第２半導体層上に配置され、前記第２半導体層と電気的に接続された第２電極と、を備え、前記第１面は、外周領域と、平面視において前記外周領域に囲まれ、前記外周領域よりも表面粗さが大きい中央領域と、を有し、前記半導体構造体の表面のうち前記外周領域のみに第１反射膜が配置され、前記中央領域に前記活性層が発する光のピーク波長に対する透過率が前記第１反射膜よりも高い第１保護膜が配置される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、主な光取り出し面における中央領域と外周領域の輝度の差の大きい発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
実施形態の発光素子の模式平面図である。
図１のII-II線における模式断面図である。
実施形態の第１反射膜の模式断面図である。
実施形態の第２反射膜の模式断面図である。
実施形態の発光装置の模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照し、実施形態について説明する。実施形態に記載されている構成部の寸法、材料、形状、相対的配置などは、特定的な記載がない限り、それのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさ、位置関係などは、説明を明確にするため誇張していることがある。また、以下の説明において、同一の名称、符号については、同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。また、断面図として、切断面のみを示す端面図を示す場合がある。
【０００９】
以下の説明において、特定の方向又は位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、及びそれらの用語を含む別の用語）を用いる場合がある。しかしながら、それらの用語は、参照した図面における相対的な方向又は位置を分かり易さのために用いているに過ぎない。参照した図面における「上」、「下」等の用語による相対的な方向又は位置の関係が同一であれば、本開示以外の図面、実際の製品等において、参照した図面と同一の配置でなくてもよい。本明細書において「上（又は下）」と表現する位置関係は、例えば、２つの部材があると仮定した場合に、２つの部材が接している場合と、２つの部材が接しておらず一方の部材が他方の部材の上方（又は下方）に位置している場合を含む。また、特定的な記載がない限り、部材が被覆対象を覆うとは、部材が被覆対象に接して被覆対象を直接覆う場合と、部材が被覆対象に非接触で被覆対象を間接的に覆う場合を含む。
【００１０】
以下に示す図でＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸により方向を示す場合がある。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は、互いに直交する。例えば、本明細書において、Ｚ軸に沿う方向を第１方向Ｚ、Ｘ軸に沿う方向を第２方向Ｘ、Ｙ軸に沿う方向を第３方向Ｙとする。
（【００１１】以降は省略されています）

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