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公開番号2025060017
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-10
出願番号2023170496
出願日2023-09-29
発明の名称半導体素子の製造方法及び製造装置、砥石及びその製造方法
出願人日亜化学工業株式会社
代理人弁理士法人豊栖特許事務所
主分類H01L 21/304 20060101AFI20250403BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】歩留まりを改善した半導体素子の製造方法及び製造装置、砥石及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法によれば、基板STを準備する工程と、前記基板STの主面を、砥石11で研削する工程と、を含み、前記砥石11は、砥粒と、結合材と、フィラーを含み、前記フィラーは珪藻土を含む。これにより、フィラーが内部を構成する溶融物に入り込んで収縮を低減することで、高品質な砥石11が得られ、半導体素子の製造方法の歩留まりを改善できる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体素子の製造方法であって、
基板を準備する工程と、
前記基板の主面を、砥石で研削する工程と、
を含み、
前記砥石は、砥粒と、結合材と、フィラーを含み、
前記フィラーは珪藻土を含む、半導体素子の製造方法。
続きを表示（約 870 文字）【請求項２】
請求項１に記載の半導体素子の製造方法であって、
前記フィラーは、不溶性の多孔質系の脆性材料である半導体素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体素子の製造方法であって、
前記珪藻土は、前記砥粒の粒径よりも小さな細孔を複数備える、半導体素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体素子の製造方法であって、
前記基板はサファイアである半導体素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体素子の製造方法であって、
前記半導体素子は発光ダイオードである半導体素子の製造方法。
【請求項６】
請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体素子の製造方法であって、
前記砥粒はダイヤモンド又はｃＢＮである半導体素子の製造方法。
【請求項７】
円板状の保持部材と、前記保持部材の円周部分に配置される複数の砥石と、を備える研削用工具であって、
各砥石は、砥粒と、結合材と、フィラーと、を含み、
前記フィラーは珪藻土を含む、研削用工具。
【請求項８】
研削用工具に用いられる砥石であって、
前記砥石は、砥粒と、結合材と、フィラーを含み、
前記フィラーは珪藻土を含む、砥石。
【請求項９】
半導体素子の製造方法に用いる砥石の製造方法であって、
原材料として、砥粒、結合材、フィラー、助剤を準備する工程と、
前記原材料を混合する工程と、
前記混合した原材料を金型内に配置し、成形して中間体を得る工程と、
前記中間体を焼成する工程と、
を含む砥石の製造方法であって、
前記フィラーは、珪藻土を含む、砥石の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の砥石の製造方法であって、
前記原材料は、更に気孔材を含む、砥石の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体素子の製造方法及び製造装置、砥石及びその製造方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ等の半導体素子の製造に際しては、サファイア基板などのウエハを、砥石で研削している。このような砥石を構成する砥粒には従来、ダイヤモンドやシリカなどが用いられてきた（例えば特許文献１）。半導体素子のコスト削減などの観点から、更なる歩留まりの改善が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２１－１７５７７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示の一形態の課題は、歩留まりを改善した半導体素子の製造方法及び製造装置、砥石及びその製造方法を提供することにある。また他の形態の課題は、砥石の研削性能と収縮という相反する特性の両立を図った半導体素子の製造方法及び製造装置、砥石及びその製造方法を提供することにある。なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。また本開示の一形態は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。さらに、明細書、図面、請求項等の記載から、これら以外の課題を抽出することも可能である。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一形態に係る半導体素子の製造方法によれば、基板を準備する工程と、前記基板の主面を、砥石で研削する工程と、を含み、前記砥石は、砥粒と、結合材と、フィラーを含み、前記フィラーは珪藻土を含む。
【０００６】
本開示の他の一形態に係る研削用工具によれば、円板状の保持部材と、前記保持部材の円周部分に配置される複数の砥石と、を備える研削用工具であって、各砥石は、砥粒と、結合材と、フィラーと、を含み、前記フィラーは珪藻土を含む。
【０００７】
本開示の他の一形態に係る砥石によれば、前記研削用工具に用いられる砥石であって、前記砥石は、砥粒と、結合材と、フィラーを含み、前記フィラーは珪藻土を含む。
【０００８】
本開示の他の一形態に係る砥石の製造方法によれば、半導体素子の製造方法に用いる砥石の製造方法であって、原材料として、砥粒、結合材、フィラー、助剤を準備する工程と、前記原材料を混合する工程と、前記混合した原材料を金型内に配置し、成形して中間体を得る工程と、前記中間体を焼成する工程と、を含み、前記フィラーは、珪藻土を含む。
【発明の効果】
【０００９】
本開示の一形態に係る半導体素子の製造方法によれば、フィラーが内部を構成する溶融物に入り込んで収縮を低減することで、高品質な砥石が得られ、半導体素子の製造方法の歩留まりを改善できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
実施形態１に係る研削装置を示す模式側面図である。
図１の研削用工具を示す斜め下方から見た斜視図である。
砥石の原材料を示す外観写真及びＳＥＭ写真である。
砥石のＳＥＭ写真である。
図４をより拡大したＳＥＭ写真である。
図６Ａは焼成前の砥石（中間体）、図６Ｂは焼成後の実施例２に係る砥石、図６Ｃは焼成後の実施例１に係る砥石、図６Ｄは焼成後の比較例３に係る砥石を、それぞれ示す写真である。
実施例１、比較例１～２に係る砥石の研削比を示すグラフである。
フィラーの配合量と研削比、熱収縮量の関係を示すグラフである。
図９Ａは比較例２に係る砥石の焼成後の状態を示す模式断面図、図９Ｂは図９Ａのフィラーを除去後の状態を示す模式断面図である。
実施例１に係る砥石の焼成後の状態を示す模式断面図である。
実施例１、比較例１の砥石の研削挙動の推移を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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