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公開番号2025044065
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-01
出願番号2023151758
出願日2023-09-19
発明の名称電子部品及び荷電粒子ビーム照射装置
出願人株式会社東芝,株式会社ニューフレアテクノロジー
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 21/027 20060101AFI20250325BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】偏向電界の強度を増加させ、偏向電界の強度のバラツキを低減させる電子部品を提供する。
【解決手段】複数の荷電粒子ビームの各々が通過する複数の第1貫通孔を有する第1基板と、複数の第1貫通孔にそれぞれ設けられ、それぞれが第1端部と第2端部とを有する複数の第1電極と、複数の第1電極にそれぞれ対向し、第1端部に対向する第3端部と、第2端部に対向する第4端部と、を有する複数の第2電極と、第1端部にそれぞれ接続され、第3端部に向かってそれぞれ延伸する複数の第3電極と、第2端部にそれぞれ接続され、第4端部に向かってそれぞれ延伸する複数の第4電極と、第3端部にそれぞれ接続され、第3電極とそれぞれ離間して設けられ、第1端部に向かってそれぞれ延伸する複数の第5電極と、第4端部にそれぞれ接続され、第4電極とそれぞれ離間して設けられ、第2端部に向かってそれぞれ延伸する複数の第6電極と、を備える電子部品である。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
複数の荷電粒子ビームのそれぞれが通過する複数の第１貫通孔を有し、第１基板面と、前記第１基板面に対向する第２基板面と、を有する第１基板と、
前記複数の第１貫通孔にそれぞれ設けられ、それぞれが、第１端部と、第２端部と、を有する複数の第１電極と、
前記複数の第１貫通孔にそれぞれ設けられ、前記複数の第１電極にそれぞれ対向し、それぞれが、前記第１端部に対向する第３端部と、前記第２端部に対向する第４端部と、を有する複数の第２電極と、
前記第１端部にそれぞれ接続され、前記第３端部に向かってそれぞれ延伸する複数の第３電極と、
前記第２端部にそれぞれ接続され、前記第４端部に向かってそれぞれ延伸する複数の第４電極と、
前記第３端部にそれぞれ接続され、前記第３電極とそれぞれ離間して設けられ、前記第１端部に向かってそれぞれ延伸する複数の第５電極と、
前記第４端部にそれぞれ接続され、前記第４電極とそれぞれ離間して設けられ、前記第２端部に向かってそれぞれ延伸する複数の第６電極と、
を備える電子部品。
続きを表示（約 960 文字）【請求項２】
前記第３電極と前記第５電極の距離は、前記第１電極と前記第２電極の距離の１０％以上４０％以下であり、
前記第４電極と前記第６電極の距離は、前記第１電極と前記第２電極の距離の１０％以上４０％以下である、
請求項１記載の電子部品。
【請求項３】
前記第５電極に対向する前記第３電極の第５端部と前記第６電極に対向する前記第４電極の第６端部の距離は、前記第３電極に対向する前記第５電極の第７端部と前記第４電極に対向する前記第６電極の第８端部の距離と等しい、
請求項１記載の電子部品。
【請求項４】
前記第１電極の長さと前記第２電極の長さは等しい、
請求項１記載の電子部品。
【請求項５】
前記第３電極の長さと前記第５電極の長さは等しく、
前記第４電極の長さと前記第６電極の長さは等しい、
請求項１記載の電子部品。
【請求項６】
前記複数の第１電極、前記複数の第２電極、前記複数の第３電極、前記複数の第４電極、前記複数の第５電極及び前記複数の第６電極は、前記複数の第１貫通孔内にそれぞれ設けられている、
請求項１記載の電子部品。
【請求項７】
前記第１基板はＳｉ（シリコン）を含み、
前記複数の第１電極、前記複数の第２電極、前記複数の第３電極、前記複数の第４電極、前記複数の第５電極及び前記複数の第６電極は、金属窒化物またはＷ（タングステン）を含む、
請求項１記載の電子部品。
【請求項８】
前記複数の第１電極、前記複数の第２電極、前記複数の第３電極、前記複数の第４電極、前記複数の第５電極及び前記複数の第６電極と、前記第１基板の間に設けられた絶縁膜をさらに備える、
請求項６記載の電子部品。
【請求項９】
前記絶縁膜は酸化シリコンを含む、
請求項８記載の電子部品。
【請求項１０】
前記第１基板は半導体基板であり、
前記第２基板面の近傍において、前記複数の第１貫通孔の側面はそれぞれ露出している部分を有する、
請求項８記載の電子部品。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施の形態は、電子部品及び荷電粒子ビーム照射装置に関する。
続きを表示（約 4,600 文字）【背景技術】
【０００２】
リソグラフィー技術は、半導体デバイスの微細化の進展を担うプロセス技術である。リソグラフィー技術は、極めて重要なプロセス技術である。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は、年々微細化されてきている。電子線（電子ビーム）描画技術は、本質的に優れた解像性を有している。そのため、電子線を用いて、マスクブランクスへマスクパターンを描画することが、行われている。
【０００３】
マルチ電子ビーム（マルチビーム）を用いた照射装置は、１本の電子ビームを用いる場合に比べて、スループットを大幅に向上させることができる。例えば、マルチビームを用いた描画装置においては、電子銃から放出された電子ビームを、複数の穴を持った成形アパーチャに通して、マルチビームを形成する。マルチビームを構成するそれぞれの電子ビームは、ブランキングアパーチャアレイにより、ブランキング制御される。ブランキングアパーチャアレイにより偏向されなかった電子ビームは、マスクブランクス等の試料に照射される。一方、ブランキングアパーチャアレイにより偏向された電子ビームは、遮蔽される（ブランキング）。
【０００４】
ブランキングアパーチャアレイは、それぞれの電子ビームが通過する貫通孔を有する。貫通孔の周囲には、一対の電極対が設けられている。かかる一対の電極対の間には、電子ビームを偏向させるための電界（偏向電界）が発生する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特許第３１４５１４９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、偏向電界の強度を増加させ、偏向電界の強度のバラツキを低減させる電子部品及び荷電粒子ビーム照射装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態の電子部品は、複数の荷電粒子ビームのそれぞれが通過する複数の第１貫通孔を有し、第１基板面と、第１基板面に対向する第２基板面と、を有する第１基板と、複数の第１貫通孔にそれぞれ設けられ、それぞれが、第１端部と、第２端部と、を有する複数の第１電極と、複数の第１貫通孔にそれぞれ設けられ、複数の第１電極にそれぞれ対向し、それぞれが、第１端部に対向する第３端部と、第２端部に対向する第４端部と、を有する複数の第２電極と、第１端部にそれぞれ接続され、第３端部に向かってそれぞれ延伸する複数の第３電極と、第２端部にそれぞれ接続され、第４端部に向かってそれぞれ延伸する複数の第４電極と、第３端部にそれぞれ接続され、第３電極とそれぞれ離間して設けられ、第１端部に向かってそれぞれ延伸する複数の第５電極と、第４端部にそれぞれ接続され、第４電極とそれぞれ離間して設けられ、第２端部に向かってそれぞれ延伸する複数の第６電極と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
第１実施形態の電子ビーム描画装置の模式断面図である。
第１実施形態の電子部品の要部の模式図である。
第１実施形態の他の態様における電子部品の要部の模式断面図である。
第１実施形態の電子部品の製造方法を示す模式断面図である。
第１実施形態の電子部品の製造方法を示す模式断面図である。
第１実施形態の電子部品の製造方法を示す模式断面図である。
第１実施形態の電子部品の製造方法を示す模式断面図である。
電極の形状の違いによる、平均電界強度と電界強度バラツキの変化を示すグラフである。
第１実施形態の比較形態である、図８に記載した構造Ａにかかる電極を示す模式上面図である。
第１実施形態の比較形態である、図８に記載した構造Ｂにかかる電極を示す模式上面図である。
第１実施形態の比較形態である、図８に記載した構造Ｃにかかる電極を示す模式上面図である。
第１実施形態の電極である、図８に記載した構造Ｄにかかる電極を示す模式上面図である。
第１電極の長さ及び第２電極の長さの違いによる、平均電界強度の変化を示すグラフである。
第１電極の長さ及び第２電極の長さの違いによる、電界強度バラツキの変化を示すグラフである。
図１３及び図１４に示した構造Ｅの一例であり、第１実施形態の比較形態である、構造Ｅ１にかかる電極の一例を示す模式上面図である。
図１３及び図１４に示した構造Ｅの一例であり、第１実施形態の電極である、構造Ｅ２にかかる電極の一例を示す模式上面図である。
図１３及び図１４に示した構造Ｅの一例であり、第１実施形態の電極である、構造Ｅ３にかかる電極の一例を示す模式上面図である。
図１３及び図１４に示した構造Ｆの一例であり、第１実施形態の比較形態である、構造Ｆ１にかかる電極の一例を示す模式上面図である。
図１３及び図１４に示した構造Ｆの一例であり、第１実施形態の比較形態である、構造Ｆ２にかかる電極の一例を示す模式上面図である。
図１３及び図１４に示した構造Ｆの一例であり、第１実施形態の比較形態である、構造Ｆ３にかかる電極の一例を示す模式上面図である。
第３電極と第５電極の距離ｄ
１
に対する、第１電極と第２電極の距離ｄ
２
の比（ｄ
１
／ｄ
２
）、及び、第４電極と第６電極の距離ｄ
３
に対する、第１電極と第２電極の距離ｄ
２
の比（ｄ
３
／ｄ
２
）と、平均電界強度の関係を示すグラフである。
第３電極と第５電極の距離ｄ
１
に対する、第１電極と第２電極の距離ｄ
２
の比（ｄ
１
／ｄ
２
）、及び、第４電極と第６電極の距離ｄ
３
に対する、第１電極と第２電極の距離ｄ
２
の比（ｄ
３
／ｄ
２
）と、電界強度バラツキの関係を示すグラフである。
第１実施形態の電極である、第３電極と第５電極の距離ｄ
１
に対する、第１電極と第２電極の距離ｄ
２
の比（ｄ
１
／ｄ
２
）、及び、第４電極と第６電極の距離ｄ
３
に対する、第１電極と第２電極の距離ｄ
２
の比（ｄ
３
／ｄ
２
）が０．０９である場合の電極の模式上面図である。
第１実施形態の電極である、第３電極と第５電極の距離ｄ
１
に対する、第１電極と第２電極の距離ｄ
２
の比（ｄ
１
／ｄ
２
）、及び、第４電極と第６電極の距離ｄ
３
に対する、第１電極と第２電極の距離ｄ
２
の比（ｄ
３
／ｄ
２
）が０．２７である場合の電極の模式上面図である。
第１実施形態の電極である、第３電極と第５電極の距離ｄ
１
に対する、第１電極と第２電極の距離ｄ
２
の比（ｄ
１
／ｄ
２
）、及び、第４電極と第６電極の距離ｄ
３
に対する、第１電極と第２電極の距離ｄ２の比（ｄ
３
／ｄ
２
）が０．４５である場合の電極の模式上面図である。
第１実施形態の比較形態である、第３電極と第５電極の距離ｄ
１
に対する、第１電極と第２電極の距離ｄ
２
の比（ｄ
１
／ｄ
２
）、及び、第４電極と第６電極の距離ｄ
３
に対する、第１電極と第２電極の距離ｄ
２
の比（ｄ
３
／ｄ
２
）が０．６３である場合の電極の模式上面図である。
第１実施形態の比較形態である、第３電極と第５電極の距離ｄ
１
に対する、第１電極と第２電極の距離ｄ
２
の比（ｄ
１
／ｄ
２
）、及び、第４電極と第６電極の距離ｄ
３
に対する、第１電極と第２電極の距離ｄ
２
の比（ｄ
３
／ｄ
２
）が０．８２である場合の電極の模式上面図である。
第３電極、第４電極、第５電極及び第６電極を有しない電極の模式上面図である。
第３電極の端部の位置、第４電極の端部の位置、第５電極の端部の位置及び第６電極の端部の位置の差異と、平均電界強度及び電界強度バラツキの関係を示すグラフである。
第１実施形態の比較形態である、図２９の構造Ｇにかかる電極の模式上面図である。
第１実施形態の電極である、図２９の構造Ｈにかかる電極の模式上面図である。
第１実施形態の電極である、図２９の構造Ｉにかかる電極の模式上面図である。
第１実施形態の電極である、図２９の構造Ｊにかかる電極の模式上面図である。
第１実施形態の比較形態である、図２９の構造Ｋにかかる電極の模式上面図である。
Ｙ方向の電極長さと平均電界強度及び電界強度バラツキの関係を示す図である。
第１実施形態の電極である、図３５の構造Ｌにかかる電極の模式上面図である。
第１実施形態の電極である、図３５の構造Ｍにかかる電極の模式上面図である。
第１実施形態の電極である、図３５の構造Ｎにかかる電極の模式上面図である。
第１端部付近の第１電極及び第３電極の構造、第２端部付近の第１電極及び第４電極の構造、第３端部付近の第２電極及び第５電極の構造、及び第４端部付近の第２電極及び第６電極の構造の違いに依存する、平均電界強度及び電界強度バラツキの関係を示すグラフである。
第１実施形態の電極である、図３９の構造Ｏにかかる電極の模式上面図である。
第１実施形態の電極である、図３９の構造Ｐにかかる電極の模式上面図である。
第１実施形態の電極である、図３９の構造Ｑにかかる電極の模式上面図である。
第２実施形態の電子部品の要部の模式上面図である。
第３実施形態の電子部品の要部の模式上面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を用いて実施の形態を説明する。尚、図面中、同一又は類似の箇所には、同一又は類似の符号を付している。
【００１０】
本明細書中、同一又は類似する部材については、同一の符号を付し、重複する説明を省略する場合がある。
（【００１１】以降は省略されています）

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