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公開番号2025043317
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-28
出願番号2024158276
出願日2024-09-12
発明の名称流量制御リングを有する基材処理装置およびそれを用いる方法
出願人エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー
代理人個人,個人,個人
主分類C23C 16/455 20060101AFI20250321BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】基材処理装置および基材処理方法を提供する。
【解決手段】基材処理装置は、上部チャンバー空間、下部チャンバー空間、サセプタ、およびシールリングと、サセプタを囲む形状を有する流量制御リングとを備える流量制御リングアセンブリを含み、流量制御リングアセンブリは、サセプタが第一の位置にある間に、下部チャンバー空間から上部チャンバー空間を封止または実質的に封止する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基材処理装置であって、前記基材処理装置が、
上部チャンバーと、
下部チャンバーと、
基材を保持するように構成されたサセプタであって、上面と、前記サセプタの側面から突出するレッジと、を備える、サセプタと、
流量制御リングであって、環状の中心領域と、前記上面上に配置された第一の部分と、前記レッジ上に配置された第二の部分と、凹部を備える第三の部分とを備える、流量制御リングと、
スペーサープレートと、
シールリングと、を備え、
前記シールリングが、前記凹部内に配置される、基材処理装置。
続きを表示（約 830 文字）【請求項２】
前記サセプタを少なくとも第一の位置から第二の位置に上昇および下降させるように構成されたサセプタモータをさらに備える、請求項１に記載の基材処理装置。
【請求項３】
前記サセプタが前記第一の位置にあるときに、前記シールリングが、前記スペーサープレートに接触し、前記サセプタが前記第一の位置にあるときに前記シールリングが、前記下部チャンバーから前記上部チャンバーを実質的に封止する、請求項２に記載の基材処理装置。
【請求項４】
前記シールリングが環状であり、前記シールリングが本体および前記本体から延在する少なくとも二つの圧縮可能な部材を備える、請求項２に記載の基材処理装置。
【請求項５】
前記少なくとも二つの圧縮可能な部材が水平に延在し、前記サセプタが前記第一の位置にあるときに、前記少なくとも二つの圧縮可能な部材が圧縮される、請求項４に記載の基材処理装置。
【請求項６】
前記シールリングが環状であり、前記シールリングの断面が、実質的にＵ字形状であり、前記Ｕ字形状が、中央部分および前記Ｕ字形状の前記中央部分から延在する二つのアームを有し、前記中央部分が、前記サセプタが前記第一の位置にあるときに前記スペーサープレートと接触する、請求項２に記載の基材処理装置。
【請求項７】
前記流量制御リングの前記凹部内の前記シールリングと前記流量制御リングとの間に介在する環状凹部リングをさらに備える、請求項１に記載の基材処理装置。
【請求項８】
前記環状凹部リングが金属を含む、請求項７に記載の基材処理装置。
【請求項９】
前記流量制御リングがセラミックを含む、請求項１に記載の基材処理装置。
【請求項１０】
前記流量制御リングが石英を含む、請求項９に記載の基材処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
流量制御リングアセンブリ、および流量制御リングアセンブリを有する基材処理装置、ならびに流量制御リングアセンブリおよび基材処理装置を使用するための方法に関する実施例が説明される。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
気相反応器などの基材処理装置は、基材を処理するための上部チャンバー空間と、基材を装填および取り出しするための下部チャンバー空間と、を含むことが多い。処理中、上部チャンバー空間と下部チャンバー空間との間に実質的な封止がない場合、反応ガスは、上部チャンバー空間と下部チャンバー空間との間に望ましくないように流れる場合がある。チャンバー空間間の反応ガスの望ましくない流れは、粒子汚染および／または基材の処理がより遅くなる可能性がある。
【０００３】
一部の事例では、流量制御リングアセンブリを使用して、上部チャンバー空間を下部チャンバー空間から分離することができる。しかしながら、こうした流量制御リングアセンブリは、チャンバー間に所望の分離を提供しない場合がある。したがって、改善された流量制御リングアセンブリが概して望ましい。
【発明の概要】
【０００４】
この「発明の概要」は、概念の選択を、単純化した形態で紹介するために提供される。これらの概念は、下記の開示の例示の実施形態の「発明を実施するための形態」において、さらに詳細に記述される。この発明の概要は、特許請求される主題の主要な特徴または本質的な特徴を特定することを意図せず、特許請求される主題の範囲を限定するために使用されることも意図しない。
【０００５】
本明細書に記載の実施例は、基材処理装置および基材処理方法を提供する。基材処理装置および基材処理方法の様々な実施例は、基材処理中に上部チャンバー空間と下部チャンバー空間との間のガス流の低減を提供する。追加の態様は、以下の説明に部分的に記載され、部分的には、説明から明らかであるか、または本開示の提示された実施形態の実施によって理解され得る。
【０００６】
一つまたは複数の実施形態によると、基材処理装置が提供されている。例示的な基材処理装置は、上部チャンバー、下部チャンバー、サセプタ、流量制御リング、およびスペーサープレートを含む。例示的な基材処理装置は、シールリングまたは少なくとも一つのガスケットをさらに含む。サセプタは、基材を保持するように構成され得る。サセプタは、サセプタの側面から突出する上面およびレッジを含み得る。流量制御リングは、環状の中心領域と、上面上に配置された第一の部分と、レッジ上に配置された第二の部分と、凹部を含む第三の部分とを含み得る。シールリングは、凹部内に配置され得る。他の実施例では、流量制御リングは、一つ以上の凹部を含み得る。一部の実施例では、一つまたは複数のガスケットは、一つまたは複数の凹部に配置され得る。一部の実施例では、流量制御リングは、二つの凹部を含み得る。このような場合、一つのガスケットを各凹部に配置することができる。ガスケットは、ＭｉｃａｔｈｅｒｍＳ０またはＭｉｃａｔｈｅｒｍＳ１５などのマイカ系材料製のものであってもよい。
【０００７】
これらの実施形態の実施例によると、基材処理装置は、サセプタを少なくとも第一の位置から第二の位置へと上昇および下降させるように構成されたサセプタモータを含み得る。追加的な実施例によると、シールリングは、サセプタが第一の位置にある時にスペーサープレートに接触し、シールリングは、サセプタが第一の位置にある時に上部チャンバーを下部チャンバーから封止または実質的に封止する。他の追加の実施例によると、少なくとも一つのガスケットは、サセプタが第一の位置にある時にスペーサープレートに接触し、少なくとも一つのガスケットは、サセプタが第一の位置にある時に上部チャンバーを下部チャンバーから封止または実質的に封止する。
【０００８】
さらなる実施例によると、シールリングは環状であり、シールリングは本体と、本体から延びる少なくとも二つの圧縮可能な部材とを備える。一つ以上の実施例によると、シールリングの少なくとも二つの圧縮可能な部材は、本体から水平に（例えば、上面に平行な平面に沿って実質的に）延在する。一つ以上の実施例によると、少なくとも二つの圧縮可能な部材は、サセプタが第一の位置にある時に圧縮されうる。
【０００９】
なおさらなる実施例によると、シールリングは環状であり、シールリングの断面は実質的にＵ字形状であり、Ｕ字形状の中央部分およびＵ字形状の中央部分から延びる二つのアームを有する。一部の実施形態では、中間部分は、サセプタが第一の位置にある時にスペーサープレートと接触する。
【００１０】
さらなる実施例によると、基材処理装置は、シールリングと流量制御リングの凹部内の流量制御リングとの間に介在する環状凹部リングを含む。いくつかの実施形態では、環状凹部リングは金属を含む。
（【００１１】以降は省略されています）

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