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公開番号2025030607
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-07
出願番号2023136064
出願日2023-08-24
発明の名称パージ方法及び成膜装置
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類C23C 16/455 20060101AFI20250228BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】水素ガスによる生成膜における電気抵抗率の低減効果を向上させ、表面粗さを低減する技術を提供する。
【解決手段】処理基板を支持するステージと、前記ステージの周囲に設けられるアウターリングと、を備える基板支持部と、前記処理基板に対向して設けられるシャワーヘッドを備え、処理ガス及びパージガスを供給するガス供給部と、を備える成膜装置におけるパージ方法であって、前記ガス供給部から水素が混合されたガスを前記パージガスとして供給してパージする際に、前記アウターリングと前記シャワーヘッドの外縁部との間隔が1ミリメートル以下であるパージ方法。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
処理基板を支持するステージと、前記ステージの周囲に設けられるアウターリングと、を備える基板支持部と、
前記処理基板に対向して設けられるシャワーヘッドを備え、処理ガス及びパージガスを供給するガス供給部と、
を備える成膜装置におけるパージ方法であって、
前記ガス供給部から水素が混合されたガスを前記パージガスとして供給してパージする際に、前記アウターリングと前記シャワーヘッドの外縁部との間隔が１ミリメートル以下である、
パージ方法。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記間隔は、０．５ミリメートル以下である、
請求項１に記載のパージ方法。
【請求項３】
前記間隔は、０．２５ミリメートル以下である、
請求項２に記載のパージ方法。
【請求項４】
処理基板を支持するステージと、前記ステージの周囲に設けられるアウターリングと、を備える基板支持部と、
前記処理基板に対向して設けられるシャワーヘッドを備え、処理ガス及びパージガスを供給するガス供給部と、
を備える成膜装置におけるパージ方法であって、
前記ガス供給部から水素が混合されたガスを前記パージガスとして供給してパージする際に、前記ステージと前記シャワーヘッドの中央部との間隔が８．６ミリメートル以下である、
パージ方法。
【請求項５】
前記間隔は、８．１ミリメートル以下である、
請求項４に記載のパージ方法。
【請求項６】
前記間隔は、７．８５ミリメートル以下である、
請求項５に記載のパージ方法。
【請求項７】
前記間隔は、前記処理ガスとしてアンモニアガスを供給後にパージする際における間隔である、
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のパージ方法。
【請求項８】
前記処理ガスは、塩化チタンガスを含む原料ガスと、アンモニアガスを含む反応ガスと、を含む、
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のパージ方法。
【請求項９】
処理基板を支持するステージと、前記ステージの周囲に設けられるアウターリングと、を備える基板支持部と、
前記処理基板に対向して設けられるシャワーヘッドを備え、処理ガス及びパージガスを供給するガス供給部と、
を備える成膜装置におけるパージ方法であって、
前記ガス供給部から水素が混合されたガスを前記パージガスとして供給してパージするときの前記アウターリングと前記シャワーヘッドの外縁部との第１間隔は、前記ガス供給部から処理ガスを供給するときの前記アウターリングと前記外縁部との第２間隔より狭い、
パージ方法。
【請求項１０】
前記第１間隔は、１ミリメートル以下である、
請求項９に記載のパージ方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、パージ方法及び成膜装置に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、反応ガスをパージする際に供給するＨ
２
ガスがＴｉＮ膜の比抵抗を低下させる機能を有することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特許第７０３３８８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、水素ガスによる生成膜における電気抵抗率の低減効果を向上させ、表面粗さを低減する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一の態様によれば、処理基板を支持するステージと、前記ステージの周囲に設けられるアウターリングと、を備える基板支持部と、前記処理基板に対向して設けられるシャワーヘッドを備え、処理ガス及びパージガスを供給するガス供給部と、を備える成膜装置におけるパージ方法であって、前記ガス供給部から水素が混合されたガスを前記パージガスとして供給してパージする際に、前記アウターリングと前記シャワーヘッドの外縁部との間隔が１ミリメートル以下であるパージ方法が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本開示は、水素ガスによる生成膜における電気抵抗率の低減効果を向上させ、表面粗さを低減する技術を提供する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
図１は、本実施形態に係るパージ方法が用いられる成膜装置の全体構成を示す図である。
図２は、第１実施形態に係るパージ方法を説明するフロー図である。
図３は、第１実施形態に係るパージ方法における間隔と電気抵抗率との関係を説明する図である。
図４は、気体の圧力について説明する図である。
図５は、第１実施形態に係るパージ方法における間隔と表面粗さとの関係を説明する図である。
図６は、第１実施形態に係るパージ方法における間隔について説明する図である。
図７は、第２実施形態に係るパージ方法を説明するフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、実施形態について、添付の図面を参照しながら説明する。なお、本開示はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【０００９】
なお、各実施形態に係る明細書及び図面の記載に関して、実質的に同一の又は対応する機能構成を有する構成要素については、同一の又は対応する符号を付することにより重複した説明を省略する場合がある。また、理解を容易にするために、図面における各部の縮尺は、実際とは異なる場合がある。
【００１０】
≪第１実施形態に係るパージ方法≫
第１実施形態に係るパージ方法は、処理基板を支持するステージと、ステージの周囲に設けられるアウターリングと、を備える基板支持部と、処理基板に対向して設けられるシャワーヘッドを備え、処理ガス及びパージガスを供給するガス供給部と、を備える成膜装置におけるパージ方法である。また、第１実施形態に係るパージ方法は、ガス供給部から水素が混合されたガスをパージガスとして供給してパージする際に、アウターリングと前記シャワーヘッドの外縁部との間隔が１ミリメートル以下であるパージ方法である。
（【００１１】以降は省略されています）

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