特許ウォッチ

公開番号2025071806
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-08
出願番号2024186200
出願日2024-10-22
発明の名称マスク及びマスクの製造方法
出願人大日本印刷株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類C23C 14/04 20060101AFI20250428BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】シャドーが抑制されたマスクの提供。
【解決手段】マスク壁面57の第1端58は、第2端59より内側に位置し、壁面は第1仮想直線L11と壁面が交わる第1仮想点P11と、第1端との間に位置する第1壁面571、及び第1仮想点と第2端との間に位置する第2壁面572を含み、第1仮想直線は第1端と第2端を通る仮想的な直線であり、第1壁面は第1仮想直線より内側に位置する部分を含み、壁面は第2仮想直線L12と第1面とが交わる第2仮想点P12と第1端との間の第1面の面内方向における距離である第2寸法S12を有し、第2仮想直線は第2端を通り厚み方向に延びる仮想的な直線であり、第1壁面は第1仮想直線と第3仮想直線L13の間の第1面の面内方向における距離である第3寸法S13を有し、第3仮想直線は第1仮想直線に平行に延び第1壁面に接する仮想的な直線である。第2寸法に対する第3寸法の比率が0.120以下である。
【選択図】図14A
特許請求の範囲【請求項１】
複数の貫通孔を含むマスクであって、
第１面及び厚み方向において前記第１面の反対側に位置する第２面を含む金属板と、
前記第１面に位置する第１端と、前記厚み方向において前記第１端の反対側に位置する第２端と、を含み、前記貫通孔に面する壁面と、を備え、
前記第１端は、前記第２端よりも内側に位置しており、
前記壁面は、第１仮想直線と前記壁面とが交わる第１仮想点と、前記第１端と、の間に位置する第１壁面、及び、前記第１仮想点と、前記第２端と、の間に位置する第２壁面を含み、
前記第１仮想直線は、前記第１端と前記第２端とを通る仮想的な直線であり、
前記第１壁面は、前記第１仮想直線よりも内側に位置する部分を含み、
前記壁面は、第２仮想直線と前記第１面とが交わる第２仮想点と、前記第１端との間の、前記第１面の面内方向における距離である第２寸法を有し、
前記第２仮想直線は、前記第２端を通り前記厚み方向に延びる仮想的な直線であり、
前記第１壁面は、前記第１仮想直線と第３仮想直線との間の、前記第１面の面内方向における距離である第３寸法を有し、
前記第３仮想直線は、前記第１仮想直線に平行に延び、前記第１壁面に接する仮想的な直線であり、
前記第２寸法に対する前記第３寸法の比率が、０．１２０以下である、マスク。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記第２寸法に対する前記第３寸法の比率が、０．０３０以上である、請求項１に記載のマスク。
【請求項３】
前記第３仮想直線と前記第１壁面とが接する点である第３仮想点が、前記第１端よりも外側に位置する、請求項１に記載のマスク。
【請求項４】
前記壁面は、前記第１端と前記第２端との間の、前記厚み方向における距離である基準高さを有し、
前記基準高さに対する前記第２寸法の比率が、１．００以下である、請求項３に記載のマスク。
【請求項５】
前記第１壁面は、前記第３仮想点と前記第１端との間に位置する第１１壁面、及び、前記第３仮想点と前記第１仮想点との間に位置する第１２壁面を含み、
前記第１１壁面は、第７仮想直線よりも内側に位置する部分を含み、
前記第７仮想直線は、前記第１端と前記第３仮想点とを通る仮想的な直線である、請求項３に記載のマスク。
【請求項６】
前記第１２壁面は、第３Ａ２仮想点を含み、
前記第３Ａ２仮想点は、第３Ａ仮想直線と前記第１２壁面とが交わる仮想的な点であり、
前記第３Ａ仮想直線は、前記第３仮想直線を内側に第１許容誤差だけシフトさせることによって得られる仮想的な直線であり、
前記第１許容誤差は、０．１０μｍであり、
前記第１許容誤差に対する、前記第３仮想点と前記第３Ａ２仮想点との間の、前記厚み方向における距離の比率が、１．０以上である、請求項５に記載のマスク。
【請求項７】
前記壁面は、前記第１端と、前記第３仮想直線と前記第１壁面とが接する点である第３仮想点との間の、前記厚み方向における距離である第３高さを有し、
前記第３高さに対する前記第３寸法の比率が、１．００以下である、請求項１に記載のマスク。
【請求項８】
前記複数の貫通孔は、平面視において第１方向及び第２方向に並び、
前記第２寸法及び前記第３寸法は、前記第１方向に対して４５度の角度で傾斜した面に沿って切断された前記マスクの断面において特定される、請求項１～７のいずれか一項に記載のマスク。
【請求項９】
前記第２端は、前記第２方向で向かい合う２本の第２１辺を含み、
前記２本の第２１辺はそれぞれ、直線部を含む、請求項８に記載のマスク。
【請求項１０】
前記複数の貫通孔は、第１の貫通孔と、前記第２方向において前記第１の前記貫通孔に隣接する第２の貫通孔と、を含み、
前記第１の貫通孔の１つの前記第２１辺と、前記第１の貫通孔の１つの前記第２１辺とが合流している、請求項９に記載のマスク。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、マスク及びマスクの製造方法に関する。
続きを表示（約 3,300 文字）【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置などの有機デバイスが注目されている。有機デバイスの素子を形成する方法として、素子を構成する材料を、蒸着などの物理成膜法により基板に付着させる方法が知られている。素子に対応するパターンで第１電極が形成されている基板が準備される。続いて、マスクの貫通孔を介して有機材料が第１電極の上に付着させられる。第１電極の上に付着した有機材料が、有機層を構成する。続いて、有機層の上に第２電極が形成される。
【０００３】
マスクの製造方法として、金属板をエッチングして貫通孔を形成する方法が知られている。製造方法は、例えば、金属板の第１面をエッチングすることにより、第１面に複数の第１凹部を形成する第１エッチング工程と、第１凹部に樹脂を充填する工程と、金属板の第２面をエッチングすることにより、第２面に複数の第２凹部を形成する第２エッチング工程と、を備える。第２凹部が第１凹部に接続されることにより、金属板を貫通する貫通孔が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１８－１１１８７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
マスクを用いる成膜工程においては、基板に形成される層の厚みが、層の端部において小さくなる現象が生じる。この現象は、シャドーとも称される。シャドーは、基板の領域の一部が、マスクの貫通孔の壁面の影に隠れることによって生じる。
【０００６】
本開示の一実施形態は、シャドーが抑制されたマスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一実施形態によるマスクは、複数の貫通孔を含んでもよい。前記マスクは、第１面及び厚み方向において前記第１面の反対側に位置する第２面を含む金属板と、前記第１面に位置する第１端と、前記厚み方向において前記第１端の反対側に位置する第２端と、を含み、前記貫通孔に面する壁面と、を備えてもよい。前記第１端は、前記第２端よりも内側に位置してもよい。前記壁面は、第１仮想直線と前記壁面とが交わる第１仮想点と、前記第１端と、の間に位置する第１壁面、及び、前記第１仮想点と、前記第２端と、の間に位置する第２壁面を含んでもよい。前記第１仮想直線は、前記第１端と前記第２端とを通る仮想的な直線である。前記第１壁面は、前記第１仮想直線よりも内側に位置する部分を含んでもよい。前記壁面は、第２仮想直線と前記第１面とが交わる第２仮想点と、前記第１端との間の、前記第１面の面内方向における距離である第２寸法を有してもよい。前記第２仮想直線は、前記第２端を通り前記厚み方向に延びる仮想的な直線である。前記第１壁面は、前記第１仮想直線と第３仮想直線との間の、前記第１面の面内方向における距離である第３寸法を有してもよい。前記第３仮想直線は、前記第１仮想直線に平行に延び、前記第１壁面に接する仮想的な直線である。前記第２寸法に対する前記第３寸法の比率が、０．１２０以下であってもよい。
【発明の効果】
【０００８】
本開示の一実施形態に係るマスクによれば、シャドーを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
有機デバイスの一例を示す平面図である。
有機デバイスの素子の一例を示す平面図である。
図２のIII－III線に沿った断面図である。
有機デバイス群の一例を示す平面図である。
蒸着装置の一例を示す断面図である。
マスク装置の一例を示す平面図である。
マスクの一例を示す平面図である。
貫通孔群の一例を示す斜視図である。
貫通孔群の一例を示す断面図である。
第１面における貫通孔群の一例を示す平面図である。
第２面における貫通孔群の一例を示す平面図である。
第２端の一例を示す平面図である。
マスクの断面の観察方向を示す図である。
マスクの断面の一例を示す図である。
第１壁面の一例を示す断面図である。
第１壁面の一例を示す断面図である。
蒸着工程の一例を示す断面図である。
有機層の一例を示す平面図である。
蒸着工程の一例を示す断面図である。
マスクの製造装置の一例を示す図である。
レジスト形成工程の一例を示す断面図である。
露光工程の一例を示す断面図である。
パターニング工程の一例を示す断面図である。
第１レジストパターンの一例を示す平面図である。
第２レジストパターンの一例を示す平面図である。
第１エッチング工程の一例を示す断面図である。
充填工程の一例を示す断面図である。
第２エッチング工程の一例を示す断面図である。
第２エッチング工程の一例を示す断面図である。
第２エッチング工程の一例を示す断面図である。
除去工程の一例を示す断面図である。
第２エッチング工程の一例を示す断面図である。
壁面の一例を示す断面図である。
第１の比較の形態における第２エッチング工程を示す断面図である。
第１の比較の形態におけるマスクの断面を示す図である。
第１の比較の形態における第１壁面を示す断面図である。
第２の比較の形態における第２エッチング工程を示す断面図である。
第２の比較の形態におけるマスクの断面を示す図である。
第２の比較の形態における第１壁面を示す断面図である。
貫通孔群の一例を示す斜視図である。
貫通孔群の一例を示す断面図である。
第２エッチング工程において合流部が形成される様子を示す断面図である。
壁面の第２端の合流部の一例を示す平面図である。
貫通孔群の一例を示す平面図である。
貫通孔群の一例を示す斜視図である。
壁面の第２端の合流部の一例を示す平面図である。
貫通孔群の一例を示す平面図である。
貫通孔群の一例を示す平面図である。
断面画像の解析方法を示す図である。
例Ａ１～Ａ３のマスクの評価結果を示す表である。
例Ｂ１～Ｂ３のマスクの評価結果を示す表である。
第３の比較の形態におけるマスクの断面を示す図である。
第３の比較の形態における第１壁面を示す断面図である。
第３の比較の形態における第１壁面を示す断面図である。
第４の比較の形態におけるマスクの断面を示す図である。
第４の比較の形態における第１壁面を示す断面図である。
第４の比較の形態における第１壁面を示す断面図である。
一実施形態におけるマスクの第１壁面と第４の比較の形態におけるマスクの第１壁面とが重ねられた図である。
一実施形態におけるマスクの第１壁面と第４の比較の形態におけるマスクの第１壁面とが重ねられた図である。
第５の比較の形態におけるマスクの製造方法を示す断面図である。
第５の比較の形態におけるマスクの製造方法を示す断面図である。
第５の比較の形態におけるマスクの製造方法を示す断面図である。
第５の比較の形態におけるマスクの製造方法を示す断面図である。
第５の比較の形態におけるマスクの断面を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「板」、「シート」、「フィルム」などの、ある構成の基礎となる物質を意味する用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許