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公開番号2025173371
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-27
出願番号2024078927
出願日2024-05-14
発明の名称有機デバイス及び有機デバイスの製造方法
出願人大日本印刷株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H10K 50/824 20230101AFI20251119BHJP()
要約【課題】上側電極の電抵抗を安定的に低減すること。
【解決手段】有機デバイス10は、基板11と、基板上に位置する第1下側電極20A及び第2下側電極20Bを少なくとも含む下側電極と、第1隔壁60と、第1下側電極上に位置する第1有機層30A及び第2下側電極上に位置する第2有機層30Bを少なくとも含む有機層と、第1有機層上に位置する部分を含む第1上側電極40A及び第2有機層上に位置する部分を含む第2上側電極40Bを少なくとも含む上側電極と、第1隔壁上に位置する第2隔壁70と、有機層上の上側電極上又は第2隔壁上に位置し、多環芳香族化合物を含む抑制層50と、を備える。第1隔壁60又は第2隔壁70は、導電層71を含み、第1上側電極及び第2上側電極は、導電層71に接している。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
有機デバイスであって、
基板と、
前記基板上に位置する第１下側電極及び第２下側電極を少なくとも含む下側電極と、
平面視において前記第１下側電極と前記第２下側電極との間に位置する第１隔壁と、
前記第１下側電極上に位置する第１有機層及び前記第２下側電極上に位置する第２有機層を少なくとも含む有機層と、
前記第１有機層上に位置する部分を含む第１上側電極及び前記第２有機層上に位置する部分を含む第２上側電極を少なくとも含む上側電極と、
平面視において前記第１有機層と前記第２有機層との間に位置し、前記第１隔壁上に位置する第１部分と、前記第１部分上に位置し、前記第１部分の幅よりも大きい幅を有する第２部分と、を含む第２隔壁と、
前記有機層上の前記上側電極上又は前記第２隔壁の前記第２部分上に位置し、多環芳香族化合物を含む抑制層と、を備え、
前記第１隔壁又は前記第２隔壁は、導電層を含み、
前記第１上側電極及び前記第２上側電極は、前記導電層に接している、有機デバイス。
続きを表示（約 930 文字）【請求項２】
前記第１上側電極は、前記第１有機層上に位置する部分を含む第１層と、前記第１層に接する部分及び前記導電層に接する部分を含む第２層と、を含み、
前記抑制層は、前記第１上側電極の前記第１層上に位置する第１抑制層を含み、
前記第１抑制層は、平面視において前記第１上側電極の前記第１層の端部よりも内側に位置する端部を含む、請求項１に記載の有機デバイス。
【請求項３】
前記第１上側電極の前記第１層の前記端部は、平面視において前記第１有機層の端部よりも外側に位置する、請求項２に記載の有機デバイス。
【請求項４】
前記第１上側電極の前記第１層の前記端部は、前記第１隔壁上に位置する、請求項３に記載の有機デバイス。
【請求項５】
前記第１上側電極の前記第１層の前記端部は、平面視において前記第１有機層の端部よりも内側に位置する、請求項２に記載の有機デバイス。
【請求項６】
前記第１上側電極の前記第２層は、前記第２隔壁の前記第１部分の側面及び前記第２部分の下面に接している、請求項２～５のいずれか一項に記載の有機デバイス。
【請求項７】
前記第１上側電極の前記第２層は、前記第２部分の下面から前記第１層まで上下方向において連続している、請求項６に記載の有機デバイス。
【請求項８】
前記抑制層は、前記第２隔壁の前記第２部分上に位置し、
前記第１上側電極は、前記第１有機層に接する部分、及び導電層に接する部分を含む、連続した層を備える、請求項１に記載の有機デバイス。
【請求項９】
前記第２隔壁の前記第１部分は、前記導電層を含み、
前記第２隔壁の前記第２部分は、第１絶縁層を含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の有機デバイス。
【請求項１０】
前記第２隔壁の前記第２部分は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層と前記第１部分との間に位置する前記導電層と、を含み、
前記第２隔壁の前記第１部分は、第２絶縁層を含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の有機デバイス。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、有機デバイス及び有機デバイスの製造方法に関する。
続きを表示（約 4,200 文字）【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置などの有機デバイスが注目されている。有機デバイスの素子は、基板と、下側電極及び上側電極と、下側電極と上側電極との間に位置する有機層と、を含む。
【０００３】
蒸着法によって下側電極上に有機層を形成する方法として、第１の方法及び第２の方法が知られている。第１の方法においては、複数の貫通孔を備えるマスクが用いられる。複数の貫通孔はそれぞれ、平面視において下側電極に重なっている。有機材料の粒子が下側電極に付着することにより、下側電極上に有機層が形成される。その後、例えば蒸着法によって上側電極が形成される。マスクを用いない蒸着法によって上側電極が形成される場合、上側電極は、平面視において隣り合う２つの有機層に跨るように連続的に広がる。
【０００４】
第２の方法においては、マスクを用いずに蒸着法が実施される。第２の方法において、基板上には、平面視において隣り合う２つの下側電極の間に位置する隔壁が形成されている。隔壁は、第１部分と、第１部分上に位置し、第１部分の幅よりも大きい幅を有する第２部分と、を含む。有機材料の粒子が下側電極に付着することにより、下側電極上に有機層が形成される。平面視において隣り合う２つの下側電極上に位置する２つの有機層は、隔壁によって分断される。その後、例えば蒸着法によって上側電極が形成される。上側電極も隔壁によって分断される。上側電極の分断は、上側電極の電気抵抗の増加を生じさせる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０２２－９６３９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本開示の一実施形態は、上側電極の電抵抗を安定的に低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一実施形態による、有機デバイスは、基板と、前記基板上に位置する第１下側電極及び第２下側電極を少なくとも含む下側電極と、平面視において前記第１下側電極と前記第２下側電極との間に位置する第１隔壁と、前記第１下側電極上に位置する第１有機層及び前記第２下側電極上に位置する第２有機層を少なくとも含む有機層と、前記第１有機層上に位置する部分を含む第１上側電極及び前記第２有機層上に位置する部分を含む第２上側電極を少なくとも含む上側電極と、平面視において前記第１有機層と前記第２有機層との間に位置し、前記第１隔壁上に位置する第１部分と、前記第１部分上に位置し、前記第１部分の幅よりも大きい幅を有する第２部分と、を含む第２隔壁と、前記有機層上の前記上側電極上又は前記第２隔壁の前記第２部分上に位置し、多環芳香族化合物を含む抑制層と、を備えてもよい。前記第１隔壁又は前記第２隔壁は、導電層を含んでもよい。前記第１上側電極及び前記第２上側電極は、前記導電層に接していてもよい。
【発明の効果】
【０００８】
本開示の一実施形態によれば、上側電極の電気抵抗を安定的に低減できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
有機デバイスの一例を示す平面図である。
有機デバイスの複数の素子の一例を示す平面図である。
有機デバイスの複数の素子の一例を示す断面図である。
素子の構成の一例を示す断面図である。
図４Ａに示す素子の一部を示す断面図である。
有機層の構成の一例を示す断面図である。
第２隔壁上の層の構成の一例を示す断面図である。
基板、下側電極及び第１隔壁を備える構造体を準備する工程を示す図である。
導電層及び第１絶縁層を形成する工程を示す図である。
レジスト層を形成する工程を示す図である。
第１絶縁層をエッチングする工程を示す図である。
レジスト層を除去する工程を示す図である。
導電層をエッチングする工程を示す図である。
第１有機層を形成する工程を示す図である。
第１上側電極の第１層を形成する工程を示す図である。
第１抑制層を形成する工程を示す図である。
第１上側電極の第２層を形成する工程を示す図である。
第１保護層を形成する工程を示す図である。
第１レジスト層を形成する工程を示す図である。
第１保護層を部分的に除去する工程を示す図である。
第１上側電極及び第１抑制層を部分的に除去する工程を示す図である。
第１有機層を部分的に除去する工程を示す図である。
第１レジスト層を除去する工程を示す図である。
第２有機層を形成する工程を示す図である。
第２上側電極及び第２抑制層を形成する工程を示す図である。
第２保護層を形成する工程を示す図である。
第２レジスト層を形成する工程を示す図である。
第２保護層を部分的に除去する工程を示す図である。
第２上側電極、第２抑制層及び第２有機層を部分的に除去する工程を示す図である。
第２レジスト層を除去する工程を示す図である。
第３有機層を形成する工程を示す図である。
第３上側電極及び第３抑制層を形成する工程を示す図である。
第３保護層を形成する工程を示す図である。
第３レジスト層を形成する工程を示す図である。
第３保護層を部分的に除去する工程を示す図である。
第３上側電極、第３抑制層及び第３有機層を部分的に除去する工程を示す図である。
第３レジスト層を除去する工程を示す図である。
第１レジスト層を形成する工程を示す図である。
第１有機層を形成する工程を示す図である。
第１上側電極の第１層を形成する工程を示す図である。
第１抑制層を形成する工程を示す図である。
第１上側電極の第２層を形成する工程を示す図である。
第１保護層を形成する工程を示す図である。
第１レジスト層を除去する工程を示す図である。
第２レジスト層を形成する工程を示す図である。
第２有機層、第２上側電極、第２抑制層及び第２抑制層を形成する工程を示す図である。
第２レジスト層を除去する工程を示す図である。
第３レジスト層を形成する工程を示す図である。
第３有機層、第３上側電極、第３抑制層及び第３抑制層を形成する工程を示す図である。
第３レジスト層を除去する工程を示す図である。
素子の構成の一例を示す断面図である。
図５０Ａに示す素子の一部を示す断面図である。
素子の構成の一例を示す断面図である。
図５１Ａに示す素子の一部を示す断面図である。
素子の構成の一例を示す断面図である。
素子の構成の一例を示す断面図である。
素子の構成の一例を示す断面図である。
第１有機層を形成する工程を示す図である。
第１被覆層を形成する工程を示す図である。
第１抑制層を形成する工程を示す図である。
第１被覆層を除去する工程を示す図である。
第１上側電極を形成する工程を示す図である。
第１保護層を形成する工程を示す図である。
第１レジスト層を形成する工程を示す図である。
第１保護層を部分的に除去する工程を示す図である。
第１上側電極及び第１有機層を部分的に除去する工程を示す図である。
第１レジスト層を除去する工程を示す図である。
第２有機層を形成する工程を示す図である。
第２被覆層を形成する工程を示す図である。
第２抑制層を形成する工程を示す図である。
第２被覆層を除去する工程を示す図である。
第２上側電極を形成する工程を示す図である。
第２保護層を形成する工程を示す図である。
第２レジスト層を形成する工程を示す図である。
第２保護層を部分的に除去する工程を示す図である。
第２上側電極及び第２有機層を部分的に除去する工程を示す図である。
第２レジスト層を除去する工程を示す図である。
第３有機層を形成する工程を示す図である。
第３被覆層を形成する工程を示す図である。
第３抑制層を形成する工程を示す図である。
第３被覆層を除去する工程を示す図である。
第３上側電極を形成する工程を示す図である。
第３保護層を形成する工程を示す図である。
第３レジスト層を形成する工程を示す図である。
第３保護層を部分的に除去する工程を示す図である。
第３上側電極及び第３有機層を部分的に除去する工程を示す図である。
第３レジスト層を除去する工程を示す図である。
第２隔壁の構成の一例を示す断面図である。
第１絶縁層をエッチングする工程を示す図である。
導電層をエッチングする工程を示す図である。
第２隔壁の構成の一例を示す断面図である。
第２絶縁層、導電層及び第１絶縁層を形成する工程を示す図である。
レジスト層を形成する工程を示す図である。
第１絶縁層をエッチングする工程を示す図である。
導電層をエッチングする工程を示す図である。
レジスト層を形成する工程を示す図である。
第２絶縁層をエッチングする工程を示す図である。
レジスト層を除去する工程を示す図である。
第２隔壁の構成の一例を示す断面図である。
第１絶縁層をエッチングする工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「基板」、「基材」、「シート」、「フィルム」などの、ある構成の基礎となる物質を意味する用語は、呼称の違いのみに基づいては、互いから区別されない。
（【００１１】以降は省略されています）

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