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公開番号2025177943
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-12-05
出願番号2024085114
出願日2024-05-24
発明の名称マスク、マスク装置及びマスク装置の製造方法
出願人大日本印刷株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類C23C 14/04 20060101AFI20251128BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】マスク層の位置精度を高めることができる蒸着用マスクを提供する。
【解決手段】マスクは、第1面301と、第1面の反対側に位置する第2面302と、第1面から第2面へ貫通する複数の第1開口31と、を含む基材と、第2面に対向する第3面と、第3面の反対側に位置する第4面と、を含むマスク層と、を備えてもよい。基材は、シリコン又はシリコン化合物を含んでもよい。マスク層は、平面視において第1開口に重なり、第3面から第4面へ貫通する複数の第2開口41を含んでもよい。基材は、平面視において複数の第1開口の間に位置する内側領域36と、基材の外縁に沿って広がり、平面視において複数の第1開口及び内側領域を囲む外側領域35と、を含んでもよい。外側領域の第1面は、少なくとも1つの第1突起37を含んでもよい。
【選択図】図6
特許請求の範囲【請求項１】
マスクであって、
第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記第１面から前記第２面へ貫通する複数の第１開口と、を含む基材と、
前記第２面に対向する第３面と、前記第３面の反対側に位置する第４面と、を含むマスク層と、を備え、
前記基材は、シリコン又はシリコン化合物を含み、
前記マスク層は、平面視において前記第１開口に重なり、前記第３面から前記第４面へ貫通する複数の第２開口を含み、
前記基材は、平面視において前記複数の第１開口の間に位置する内側領域と、前記基材の外縁に沿って広がり、平面視において前記複数の第１開口及び前記内側領域を囲む外側領域と、を含み、
前記外側領域の前記第１面は、少なくとも１つの第１突起を含む、マスク。
続きを表示（約 800 文字）【請求項２】
前記外側領域の前記第１面は、第１内縁及び第１外縁を含み、
前記第１突起は、前記第１内縁と前記第１外縁の間に位置する、請求項１に記載のマスク。
【請求項３】
前記外側領域の前記第１面は、第１内縁及び第１外縁を含み、
前記第１突起は、前記第１内縁に位置する、請求項１に記載のマスク。
【請求項４】
前記第１外縁及び前記第１突起に接する仮想的な直線が、前記外側領域の前記第１面に対して成す角度が、０．０１°以上１．００°以下である、請求項２又は３に記載のマスク。
【請求項５】
前記外側領域の前記第１面は、第１内縁及び第１外縁を含み、
前記第１突起は、前記第１外縁に位置する、請求項１に記載のマスク。
【請求項６】
前記第１内縁及び前記第１突起に接する仮想的な直線が、前記外側領域の前記第１面に対して成す角度が、０．０１°以上１．００°以下である、請求項２又は５に記載のマスク。
【請求項７】
前記外側領域の前記第１面は、第２突起を含み、
前記第２突起から前記基材の中心点までの距離は、前記第１突起から前記中心点までの距離と異なる、請求項１に記載のマスク。
【請求項８】
前記第１突起は、第１高さを有し、
前記第２突起は、前記第１高さよりも小さい第２高さを有する、請求項７に記載のマスク。
【請求項９】
前記第１突起及び前記第２突起に接する仮想的な直線が、前記外側領域の前記第１面に対して成す角度が、０．０１°以上１．００°以下である、請求項８に記載のマスク。
【請求項１０】
前記第１突起は、平面視において前記基材の中心点を囲うよう連続的に延びている、請求項１に記載のマスク。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、マスク、マスク装置及びマスク装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
精密なパターンを形成するための方法として、蒸着法が知られている。蒸着法においては、複数の開口が形成されたマスクが基板に組み合わされる。続いて、マスクの開口を介して蒸着材料が基板に付着される。これにより、マスクの開口のパターンに対応したパターンで、蒸着材料を含む蒸着層が基板上に形成される。蒸着法は、例えば、有機ＥＬ表示装置の画素を形成する方法として用いられている。
【０００３】
例えば特許文献１は、シリコンを含む基材と、複数の開口が形成されたマスク層と、を備える蒸着マスクを開示している。シリコンを含む基材とマスク層とが組み合わされているので、マスク層の貫通孔の形状精度及び位置精度が高められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
国際公開２０２３／１４５９５１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
基材に撓みなどの変形が生じると、マスク層の複数の開口の位置が全体的に理想的な位置からずれる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一実施形態によるマスクは、第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記第１面から前記第２面へ貫通する複数の第１開口と、を含む基材と、前記第２面に対向する第３面と、前記第３面の反対側に位置する第４面と、を含むマスク層と、を備えてもよい。前記基材は、シリコン又はシリコン化合物を含んでもよい。前記マスク層は、平面視において前記第１開口に重なり、前記第３面から前記第４面へ貫通する複数の第２開口を含んでもよい。前記基材は、平面視において前記複数の第１開口の間に位置する内側領域と、前記基材の外縁に沿って広がり、平面視において前記複数の第１開口及び前記内側領域を囲む外側領域と、を含んでもよい。前記外側領域の前記第１面は、少なくとも１つの第１突起を含んでもよい。
【発明の効果】
【０００７】
本開示の実施形態によれば、マスク層の位置精度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
有機デバイスの一例を示す断面図である。
マスク装置を備えた蒸着装置の一例を示す図である。
入射面の側から見た場合のマスク装置の一例を示す平面図である。
出射面の側から見た場合のマスク装置の一例を示す平面図である。
図３のマスクのV－V線に沿った断面図である。
基材の外側領域及び第１フレームの一例を示す断面図である。
基材の外側領域の一例を示す断面図である。
入射面の側から見た場合のマスクの一例を示す平面図である。
基材の内側領域及びマスク層の一例を示す断面図である。
マスク層の第２領域の一例を示す断面図である。
中間層を形成する工程の一例を示す断面図である。
第１レジスト層を形成する工程の一例を示す断面図である。
マスク層を形成する工程の一例を示す断面図である。
保護層及び第２レジスト層を形成する工程の一例を示す断面図である。
基材を加工する工程の一例を示す断面図である。
第３レジスト層を形成する工程の一例を示す断面図である。
基材を加工する工程の一例を示す断面図である。
中間層の一部を除去する工程の一例を示す断面図である。
第３レジスト層及び保護層を除去する工程の一例を示す断面図である。
マスクの厚み方向における位置を測定する工程の一例を示す断面図である。
基材の角度を調整する工程の一例を示す断面図である。
マスクを第１フレームに固定する工程を示す断面図である。
第２フレームの一例を示す平面図である。
基材の角度を調整する工程の一例を示す断面図である。
第２フレームの一例を示す平面図である。
入射面の側から見た場合のマスクの一例を示す平面図である。
基材の外側領域の一例を示す断面図である。
基材の外側領域及び第１フレームの一例を示す断面図である。
基材の外側領域の一例を示す断面図である。
基材の外側領域の一例を示す断面図である。
基材の外側領域及び第１フレームの一例を示す断面図である。
基材の外側領域の一例を示す断面図である。
基材の外側領域の一例を示す断面図である。
基材の外側領域の一例を示す断面図である。
マスク装置の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「基板」、「シート」、「フィルム」などの、ある構成の基礎となる物質を意味する用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。
【００１０】
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待してもよい程度の範囲を含めて解釈する。
（【００１１】以降は省略されています）

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