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公開番号2025054888
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-08
出願番号2023164098
出願日2023-09-27
発明の名称基板処理装置
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類C23C 16/452 20060101AFI20250401BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】処理容器内に供給するガスを調整可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を保持する基板保持具を収容可能な処理容器本体と、前記処理容器本体から分岐し、前記処理容器本体の側壁に水平方向に延びる配管と、前記配管を囲む筐体を有し、前記配管の温度を調整する温度調整機構と、前記配管に配置されるインジェクタと、を備える、基板処理装置が提供される。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板を保持する基板保持具を収容可能な処理容器本体と、
前記処理容器本体から分岐し、前記処理容器本体の側壁に水平方向に延びる配管と、
前記配管を囲む筐体を有し、前記配管の温度を調整する温度調整機構と、
前記配管に配置されるインジェクタと、を備える、基板処理装置。
続きを表示（約 810 文字）【請求項２】
前記温度調整機構は、前記筐体の内部に設けられた加熱機構及び／又は冷却機構である、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記加熱機構は、前記筐体内の前記配管の外周に巻回されるヒータである、
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記冷却機構は、前記筐体に形成され、熱流体を通流させる流路である、
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記インジェクタは、前記配管に着脱可能に配置される、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記インジェクタは、
複数のガス吐出孔を有する吐出部と、
前記吐出部と連通し、前記配管内に配置される通流部と、を有し、
前記通流部は、前記加熱機構が設けられる第１部分において他の部分よりも断面積が大きい、
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記通流部の前記第１部分は、複数の細管を有する、
請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記加熱機構は、高周波電力を供給する誘導コイルであり、
前記通流部の前記第１部分内は、ガスからプラズマを生成するプラズマ生成空間である、
請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記通流部の前記第１部分へのガス流入口には、オリフィスが設けられている、
請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
基板を保持する基板保持具を収容可能な処理容器本体と、
前記処理容器本体から分岐し、前記処理容器本体の側壁に水平方向に延びる配管と、
前記配管に配置される着脱可能な温度調整機構と、を備える、基板処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、反応管と、反応管を下流側から支持するフランジ部と、フランジ部から反応管の内部に挿入され反応管内を高さ方向に延びるガスインジェクターと、フランジ部に形成された排気ポートと、を有する縦型の成膜装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１２－１６９３０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、処理容器内に供給するガスを調整可能な基板処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一の態様によれば、基板を保持する基板保持具を収容可能な処理容器本体と、前記処理容器本体から分岐し、前記処理容器本体の側壁に水平方向に延びる配管と、前記配管を囲む筐体を有し、前記配管の温度を調整する温度調整機構と、前記配管に配置されるインジェクタと、を備える、基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
一の側面によれば、処理容器内に供給するガスを調整可能な基板処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
第１実施形態に係る基板処理装置の一例を示す縦断面図。
第１実施形態に係る基板処理装置の一例を示す水平断面図。
インジェクタの一例を示す斜視図。
インジェクタ及び温度調整機構の構造例を示す断面図。
インジェクタ及び温度調整機構の変形例を示す断面図。
第２実施形態に係る基板処理装置の一例を示す縦断面図。
温度調整機構の一例を示す斜視図。
温度調整機構の構造例を示す断面図。
基板処理装置の他の一例を示す水平断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【０００９】
［基板処理装置］
〔第１実施形態に係る基板処理装置〕
第１実施形態に係る基板処理装置１００Ａについて、図１及び図２を用いて説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理装置１００Ａの一例を示す縦断面図である。図２は、第１実施形態に係る基板処理装置１００Ａの一例を示す水平断面図である。ここで、基板処理装置１００Ａは、例えば、２種類以上の処理ガスを交互に供給してＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法により、半導体ウエハ等の基板Ｗに膜を形成する成膜装置である。
【００１０】
基板処理装置１００Ａは、下端が開口された有天井の円筒体状の処理容器（反応管）１０を有する。処理容器１０の全体は、例えば石英により形成されている。
（【００１１】以降は省略されています）

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