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公開番号2025042206
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-27
出願番号2023149072
出願日2023-09-14
発明の名称半導体装置の製造方法
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 21/304 20060101AFI20250319BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】歩留まりの高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、第1面と第1面とは反対側に第2面を有し、第1面の外周に環状凸部、中心側に凹部、環状凸部と凹部を接続する傾斜部を有する半導体ウエハの環状凸部上及び傾斜部上に第1絶縁膜を形成する工程と、第1面側の半導体ウエハにダイシングテープを設ける工程と、半導体ウエハを切断し、環状凸部及び傾斜部を凹部と分離させる工程と、分離された環状凸部及び傾斜部をダイシングテープから分離させる工程と、を有する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１面と第１面とは反対側に第２面を有し、前記第１面の外周に環状凸部、中心側に凹部、前記環状凸部と前記凹部を接続する傾斜部を有する半導体ウエハの前記環状凸部上及び前記傾斜部上に第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１面側の前記半導体ウエハにダイシングテープを設ける工程と、
前記半導体ウエハを切断し、前記環状凸部及び前記傾斜部を前記凹部と分離させる工程と、
前記分離された前記環状凸部及び前記傾斜部を前記ダイシングテープから分離させる工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
続きを表示（約 760 文字）【請求項２】
前記第１絶縁膜は、無機膜である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記環状凸部上の第１絶縁膜の厚さは、１０［ｎｍ］以上３［μｍ］以下である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記傾斜部上の第１絶縁膜の厚さは、１０［ｎｍ］以上３［μｍ］以下である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体ウエハの第１面側の環状凸部に平坦面又は／及び略平坦面が存在し、
前記平坦面又は／及び略平坦面の面積の５０％以上１００％以下前記第１絶縁膜が形成される請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体ウエハの第１面側の環状凸部に平坦面又は／及び略平坦面が存在し、
前記平坦面又は／及び略平坦面の面積の５０％以上９０％以下前記第１絶縁膜が形成される請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１絶縁膜の前記環状凸部上の厚さは、前記第１絶縁膜の前記傾斜部上の厚さの１．２倍以上３倍以下である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１絶縁膜は、前記傾斜部の面積の１％以上１００％以下に形成される請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記傾斜部の傾斜角度は、２０［°］以上７５［°］以下である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記傾斜部の傾斜角度が２０［°］以上３０［°］未満の場合、前記第１絶縁膜は、前記傾斜部Ｂの面積の１％以上８０％以下に形成される請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
発電や送電、ポンプやブロアなどの回転機、通信システムや工場などの電源装置、交流モータによる鉄道、電気自動車、家庭用電化製品等の幅広い分野に向けた、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ－ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＦｉｅｌｄ－Ｅｆｆｅｃｔ－Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やＩＧＢＴ（ＩｎｓｕｌａｔｅｄＧａｔｅＢｉｐｏｌａｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）といった半導体素子を含む、電力制御用に設計されたパワー半導体装置の開発が行われている。
【０００３】
通常、半導体装置は、半導体ウエハを所望の厚さになるように薄層化する。薄層化する方法としては、TAIKOプロセス、ウエットエッチングやドライエッチングなどが挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００７－３３５６５９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、歩留まりの高い半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の半導体装置は、実施形態の半導体装置の製造方法は、第１面と第１面とは反対側に第２面を有し、第１面の外周に環状凸部、中心側に凹部、環状凸部と凹部を接続する傾斜部を有する半導体ウエハの環状凸部上及び傾斜部上に第１絶縁膜を形成する工程と、第１面側の半導体ウエハにダイシングテープを設ける工程と、半導体ウエハを切断し、環状凸部及び傾斜部を凹部と分離させる工程と、分離された環状凸部及び傾斜部をダイシングテープから分離させる工程と、を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
実施形態の半導体装置の製造方法のフローチャート。
実施形態の半導体装置の製造方法の工程模式断面図。
実施形態の半導体装置の製造方法の工程模式上面図。
実施形態の半導体装置の製造方法の工程模式断面図。
実施形態の半導体装置の製造方法の工程模式断面図。
実施形態の半導体装置の製造方法の工程模式断面図。
実施形態の半導体装置の製造方法の工程模式断面図。
実施形態の半導体装置の製造方法のフローチャート。
実施形態の半導体装置の製造方法の工程模式断面図。
実施形態の半導体装置の製造方法の工程模式断面図。
実施形態の半導体装置の製造方法の工程模式断面図。
実施形態の半導体装置の製造方法の工程模式断面図。
実施形態の半導体装置の製造方法の工程模式断面図。
実施形態の半導体装置の製造方法の工程模式断面図。
実施形態の半導体装置の製造方法の工程模式断面図。
実施形態の半導体装置の製造方法の工程模式断面図。
実施形態の半導体装置の製造方法の工程模式断面図。
実施形態の半導体装置の製造方法の工程模式断面図。
実施形態の半導体装置の製造方法の工程模式断面図。
実施形態の半導体装置の製造方法の工程模式断面図。
実施形態の半導体ウエハ及び第１絶縁膜の部分模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。なお、以下の説明では、同一又は類似の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材についてはその説明を省略する場合がある。
【０００９】
（第１実施形態）
第１実施形態の半導体装置の製造方法は、第１面と第１面とは反対側に第２面を有し、第１面の外周に環状凸部、中心側に凹部、環状凸部と凹部を接続する傾斜面を有する半導体ウエハの環状凸部上及び傾斜部上に第１絶縁膜を形成する工程（第１工程）と、第１面側の半導体ウエハにダイシングテープを設ける工程（第２工程）と、半導体ウエハを切断し、環状凸部及び傾斜部を凹部と分離させる工程（第３工程）と、分離された環状凸部及び傾斜部をダイシングテープから分離させる工程（第４工程）と、を有する。
【００１０】
実施形態において具体的な半導体装置の種類及び構造は限定されない。実施形態の半導体装置は、例えば、集積回路、ダイオードやトランジスタである。実施形態の半導体装置は、例えば、ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ、ＨＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）、ショットキーバリアダイオードである。
（【００１１】以降は省略されています）

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