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公開番号
2025025906
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-02-21
出願番号
2023131132
出願日
2023-08-10
発明の名称
センサ
出願人
株式会社東芝
代理人
弁理士法人iX
主分類
G01N
27/22 20060101AFI20250214BHJP(測定;試験)
要約
【課題】高い検出感度が得られるセンサを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、センサは、基体、固定電極、第1固定部、第1支持部及び可動部を含む。基体は、第1領域及び第2領域を含む。固定電極は、第1領域に固定される。第1固定部は、第2領域に固定される。第1支持部は、第1固定部に接続される。第1支持部は、第1支持層と、第1層と、第2層と、を含む。第1支持層から第2層への第1方向において、第1層は、第1支持層と第2層の少なくとも一部と、の間に設けられる。第1層は、Pt、Pd及びTiよりなる群から選択された少なくとも1つを含む第1元素と、酸素と、を含む。第2層は、第1元素と異なる第2元素と、酸素と、を含む。可動部は、第1支持部に支持される。固定電極と可動部との間に第1空隙が設けられる。
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
第1領域及び第2領域を含む基体と、
前記第1領域に固定された固定電極と、
前記第2領域に固定された第1固定部と、
前記第1固定部に接続された第1支持部であって、前記第1支持部は、第1支持層と、第1層と、第2層と、を含み、前記第1支持層から前記第2層への第1方向において、前記第1層は、前記第1支持層と前記第2層の少なくとも一部と、の間に設けられ、前記第1層は、Pt、Pd及びTiよりなる群から選択された少なくとも1つを含む第1元素と、酸素と、を含み、前記第2層は、前記第1元素と異なる第2元素と、酸素と、を含む、前記第1支持部と、
前記第1支持部に支持された可動部であって、前記固定電極と前記可動部との間に第1空隙が設けられた前記可動部と、
を備えたセンサ。
続きを表示(約 820 文字)
【請求項2】
前記第2元素は、Si及びAlよりなる群から選択された少なくとも1つを含む、請求項1に記載のセンサ。
【請求項3】
前記第2層は、前記第1元素を含まない、または、前記第2層における前記第1元素の濃度は、前記第1層における前記第1元素の濃度よりも低い、請求項1に記載のセンサ。
【請求項4】
前記第1方向と交差する方向において、前記第1層は、前記第2層に含まれる複数の領域の間に設けられる、請求項1に記載のセンサ。
【請求項5】
前記第1支持層の少なくとも一部は、前記第1方向において前記第2層の一部と前記第1層との間に設けられた、請求項1に記載のセンサ。
【請求項6】
前記第1層は、前記第1支持部の周りの検出対象ガスにより還元される、請求項1に記載のセンサ。
【請求項7】
前記検出対象ガスは、水素を含む、請求項6に記載のセンサ。
【請求項8】
第1状態における検出対象ガスの濃度は、第2状態における前記検出対象ガスの濃度よりも高く、
前記第1状態における前記固定電極と前記可動部との間の第1距離は、前記第2状態における前記固定電極と前記可動部との間の第2距離よりも長い、請求項1~5のいずれか1つに記載のセンサ。
【請求項9】
第1状態における検出対象ガスの濃度は、第2状態における前記検出対象ガスの濃度よりも高く、
前記第1状態における前記固定電極と前記可動部との間の第1電気容量は、前記第2状態における前記固定電極と前記可動部との間の第2電気容量よりも小さい、請求項1~5のいずれか1つに記載のセンサ。
【請求項10】
前記第1支持部は、第1導電部材をさらに含み、
前記第1導電部材に流れる電流により前記第1支持部の温度が上昇可能である、請求項1に記載のセンサ。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、センサに関する。
続きを表示(約 1,300 文字)
【背景技術】
【0002】
例えば、MEMS構造を応用したセンサがある。センサにおいて、高い検出感度が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2019-56607号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の実施形態は、高い検出感度が得られるセンサを提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の実施形態によれば、センサは、基体、固定電極、第1固定部、第1支持部及び可動部を含む。前記基体は、第1領域及び第2領域を含む。前記固定電極は、前記第1領域に固定される。前記第1固定部は、前記第2領域に固定される。前記第1支持部は、前記第1固定部に接続される。前記第1支持部は、第1支持層と、第1層と、第2層と、を含む。前記第1支持層から前記第2層への第1方向において、前記第1層は、前記第1支持層と前記第2層の少なくとも一部と、の間に設けられる。前記第1層は、Pt、Pd及びTiよりなる群から選択された少なくとも1つを含む第1元素と、酸素と、を含む。前記第2層は、前記第1元素と異なる第2元素と、酸素と、を含む。前記可動部は、前記第1支持部に支持される。前記固定電極と前記可動部との間に第1空隙が設けられる。
【図面の簡単な説明】
【0006】
図1は、第1実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図2は、センサの特性を例示するグラフである。
図3(a)及び図3(b)は、第1実施形態に係るセンサの動作を例示する模式的断面図である。
図4は、第1実施形態に係るセンサの一部を例示する模式的断面図である。
図5は、第1実施形態に係るセンサの一部を例示する模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下に、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【0008】
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図1に示すように、実施形態に係るセンサ110は、基体40、固定電極55、第1固定部21、第1支持部31s及び可動部30Mを含む。
【0009】
基体40は、第1領域41及び第2領域42を含む。基体40は、例えば、シリコン基板などで良い。
【0010】
固定電極55は、第1領域41に固定される。固定電極55の上に絶縁膜55aが設けられても良い。
(【0011】以降は省略されています)
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