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公開番号2025037417
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-18
出願番号2023144338
出願日2023-09-06
発明の名称反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
出願人AGC株式会社
代理人弁理士法人志賀国際特許事務所,個人,個人
主分類G03F 1/24 20120101AFI20250311BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】位相シフト膜の表面にRe酸化物が析出するのを抑制する、技術を提供する。
【解決手段】反射型マスクブランクは、基板と、EUV光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜を保護する保護膜と、前記EUV光を吸収すると共に前記EUV光の位相をシフトさせる位相シフト膜と、をこの順番で有する。前記位相シフト膜は、前記保護膜に近い側から下層と上層をこの順番で有する。前記位相シフト膜の前記下層はReを含有し、前記位相シフト膜の前記上層は前記下層よりもRe含有量が少ない。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜を保護する保護膜と、前記ＥＵＶ光を吸収すると共に前記ＥＵＶ光の位相をシフトさせる位相シフト膜と、をこの順番で有する、反射型マスクブランクであって、
前記位相シフト膜は、前記保護膜に近い側から下層と上層をこの順番で有し、
前記位相シフト膜の前記下層はＲｅを含有し、前記位相シフト膜の前記上層は前記下層よりもＲｅ含有量が少ない、反射型マスクブランク。
続きを表示（約 920 文字）【請求項２】
前記位相シフト膜の前記上層は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｐｔ及びＴａから選択される少なくとも１つの金属元素を含む、請求項１に記載の反射型マスクブランク。
【請求項３】
前記位相シフト膜の前記上層は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｐｔ及びＴａから選択される少なくとも１つの金属元素を含む化合物を有し、
当該化合物は、Ｂ、Ｃ、Ｎ及びＳｉから選択される少なくとも１つの非金属元素を含む、請求項１に記載の反射型マスクブランク。
【請求項４】
前記位相シフト膜の前記上層は、厚さが０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である、請求項１～３のいずれか１項に記載の反射型マスクブランク。
【請求項５】
前記位相シフト膜の前記上層は、厚さが０．１ｎｍ以上４ｎｍ以下である、請求項１～３のいずれか１項に記載の反射型マスクブランク。
【請求項６】
前記位相シフト膜の前記下層は、Ｒｅ化合物を含み、当該Ｒｅ化合物は、Ｒｅに加えて、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｐｔ及びＣｒから選択される少なくとも１つの金属元素を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の反射型マスクブランク。
【請求項７】
前記Ｒｅ化合物は、全ての金属元素の合計含有量に対するＲｅ含有量の割合が６０原子％以下である、請求項６に記載の反射型マスクブランク。
【請求項８】
前記位相シフト膜の前記下層と、前記位相シフト膜の前記上層とは、同じ金属元素を含み、
当該同じ金属元素は、Ｒｕ、Ｉｒ及びＰｔから選択される少なくとも１つである、請求項６に記載の反射型マスクブランク。
【請求項９】
前記位相シフト膜の前記下層は、Ｒｅ化合物を含み、当該Ｒｅ化合物は、Ｒｅに加えて、Ｂ、Ｃ、Ｎ及びＳｉから選択される少なくとも１つの非金属元素を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の反射型マスクブランク。
【請求項１０】
前記Ｒｅ化合物は、全ての元素の合計含有量に対する、Ｂ、Ｃ、Ｎ及びＳｉの合計含有量が３０原子％以下である、請求項９に記載の反射型マスクブランク。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、極端紫外線（ＥＵＶ：Extreme Ultra-Violet）を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィー（ＥＵＶＬ）が開発されている。ＥＵＶとは、軟Ｘ線及び真空紫外線を含み、具体的には波長が０．２ｎｍ～１００ｎｍ程度の光のことである。現時点では、１３．５ｎｍ程度の波長のＥＵＶが主に検討されている。
【０００３】
ＥＵＶＬでは、反射型マスクが用いられる。反射型マスクは、例えばガラス基板と多層反射膜と位相シフト膜とをこの順番で有する。多層反射膜は、ＥＵＶ光を反射する。位相シフト膜は、ＥＵＶ光を吸収すると共に、ＥＵＶ光の位相をシフトさせる。ＥＵＶＬでは、位相シフト膜の開口パターンを半導体基板などの対象基板に転写する。転写することは、縮小して転写することを含む。
【０００４】
ＥＵＶＬでは、いわゆる射影効果（シャドーイング効果）が生じる。シャドーイング効果とは、ＥＵＶ光の入射角θが０°ではない（例えば６°である）ことに起因して、開口パターンの側面付近に、側面によってＥＵＶ光を遮る領域が生じ、転写像の位置ずれまたは寸法ずれが生じることをいう。シャドーイング効果を低減するには、開口パターンの側面の高さを低くすることが有効であり、位相シフト膜の薄化が有効である。
【０００５】
位相シフト膜は、第１ＥＵＶ光に対して、第２ＥＵＶ光の位相をシフトさせる。第１ＥＵＶ光は、位相シフト膜で吸収されることなく位相シフト膜の開口パターンを通過し、多層反射膜で反射され、再び位相シフト膜で吸収されることなく位相シフト膜の開口パターンを通過した光である。第２ＥＵＶ光は、位相シフト膜に吸収されながら位相シフト膜を透過し、多層反射膜で反射され、再び位相シフト膜に吸収されながら位相シフト膜を透過した光である。
【０００６】
第１ＥＵＶ光と第２ＥＵＶ光の位相差を確保しつつ、シャドーイング効果を低減すべく位相シフト膜の膜厚を小さくするには、位相シフト膜の屈折率を小さくすることが有効である。また、第１ＥＵＶ光Ｌ１の反射率に対する、第２ＥＵＶ光Ｌ２の反射率の割合（以下、「相対反射率」とも呼ぶ。）を小さくするには、位相シフト膜の消衰係数を大きくすることが有効である。このように、位相シフト膜は、光学特性に優れていることが求められる。
【０００７】
特許文献１の実施例の欄には、位相シフト膜の組成例が記載されている。例９～例１２の組成例として、ＲｕＲｅ合金が開示されている。ＲｅとＲｕの元素比（Ｒｅ：Ｒｕ）は、１：９９～１：１である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
国際公開第２０２３／０２６８６８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
反射型マスクブランクの位相シフト膜として、Ｒｅを含有するものが検討されている。Ｒｅは、位相シフト膜の消衰係数を大きくできる点で優れている。但し、Ｒｅは、位相シフト膜の表面に酸化物の粒子を析出させてしまう。
【００１０】
本開示の一態様は、位相シフト膜の表面にＲｅ酸化物が析出するのを抑制する、技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
（【００１１】以降は省略されています）

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