特許ウォッチ

公開番号2025033554
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-13
出願番号2023139334
出願日2023-08-29
発明の名称半導体装置
出願人キオクシア株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 25/07 20060101AFI20250306BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】樹脂が半導体チップから剥離することを抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、上下方向に積層された複数の半導体チップを備え、前記複数の前記半導体チップの各々は、第1パッドと前記第1パッドを包囲する第1絶縁膜とが形成された第1上面と、第2パッドが形成された第1下面と、前記第1上面の端部において前記第1絶縁膜に接続され、前記第1絶縁膜と同一の組成を有する第2絶縁膜が形成された少なくとも1つの第1側面と、を含み、互いに隣り合う2つの前記半導体チップにおいて、上方の前記半導体チップの前記第2パッドと、下方の前記半導体チップの前記第1パッドとが接続される。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
上下方向に積層された複数の半導体チップを備え、
前記複数の前記半導体チップの各々は、
第１パッドと前記第１パッドを包囲する第１絶縁膜とが形成された第１上面と、
第２パッドが形成された第１下面と、
前記第１上面の端部において前記第１絶縁膜に接続され、前記第１絶縁膜と同一の組成を有する第２絶縁膜が形成された少なくとも１つの第１側面と、を含み、
互いに隣り合う２つの前記半導体チップにおいて、上方の前記半導体チップの前記第２パッドと、下方の前記半導体チップの前記第１パッドとが接続される、
半導体装置。
続きを表示（約 700 文字）【請求項２】
最も上方に位置する前記半導体チップの前記第１上面における前記第１絶縁膜の表面粗さは、前記複数の前記半導体チップの前記第１側面における前記第２絶縁膜の表面粗さより小さい、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１下面は、前記第２パッドを包囲する第３絶縁膜がさらに形成される、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２絶縁膜は、前記第１下面の端部において前記第３絶縁膜に接続される、
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第３絶縁膜は、前記第１絶縁膜と同一の組成を有する、
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第３絶縁膜は、前記第１絶縁膜と異なる組成を有する、
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜は、一体で形成される、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
最も上方に位置する前記半導体チップにおける前記第２絶縁膜の厚さは、最も下方に位置する前記半導体チップにおける前記第２絶縁膜の厚さの０．５倍以上１．５倍以下である、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１絶縁膜は、ポリマーを含む樹脂によって形成される、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第３絶縁膜は、ポリマーを含む樹脂によって形成される、
請求項３に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置の中には、モールド樹脂によって半導体素子が封止されるものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
米国特許出願公開ＵＳ２０２３／０１０１６００２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば、モールド樹脂と半導体素子との密着性が良くない場合、モールド樹脂が半導体素子から剥離することがある。
【０００５】
本開示は、樹脂が半導体チップから剥離することを抑制することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示に係る半導体装置は、上下方向に積層された複数の半導体チップを備え、前記複数の前記半導体チップの各々は、第１パッドと前記第１パッドを包囲する第１絶縁膜とが形成された第１上面と、第２パッドが形成された第１下面と、前記第１上面の端部において前記第１絶縁膜に接続され、前記第１絶縁膜と同一の組成を有する第２絶縁膜が形成された少なくとも１つの第１側面と、を含み、互いに隣り合う２つの前記半導体チップにおいて、上方の前記半導体チップの前記第２パッドと、下方の前記半導体チップの前記第１パッドとが接続される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
第１実施形態に係る記憶装置の構造例を説明するための断面模式図であり、ＸＹ面に平行な断面図を示す。
第１実施形態に係る半導体チップの構造例を説明するための断面模式図であり、ＸＹ面に平行な断面図を示す。
図１に示す積層体の上方を拡大した図である。
第１実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
第１実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
第１実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
第１実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
第１実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
第１実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
第１実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
第１実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
第１実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
第１実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
第１実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
第１実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
第１実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
第１実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
第２実施形態に係る積層体の上方を拡大した図である。
第２実施形態に係る半導体チップの構造例を説明するための断面模式図であり、ＸＹ面に平行な断面図を示す。
第３実施形態に係る記憶装置の構造例を説明するための断面模式図であり、ＸＹ面に平行な断面図を示す。
図３に示す点線で囲まれた部分を拡大した図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付図面を参照しながら本実施形態について説明する。説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては可能な限り同一の符号を付して、重複する説明は省略する。
【０００９】
各図面には、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示すことがある。Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、右手系の３次元の直交座標を形成する。以下、Ｘ軸の矢印方向をＸ軸＋方向、矢印とは逆方向をＸ軸－方向と呼ぶことがあり、その他の軸についても同様である。なお、Ｚ軸＋方向及びＺ軸－方向を、それぞれ「上方」及び「下方」と呼ぶこともある。また、Ｘ軸、Ｙ軸又はＺ軸にそれぞれ直交する面を、ＹＺ面、ＺＸ面又はＸＹ面と呼ぶことがある。また、Ｚ軸方向を「上下方向」と呼ぶことがある。「上方」、「下方」及び「上下方向」は、あくまで図面内での相対的位置関係を示す用語であり、鉛直方向を基準とした向きを定める用語ではない。
【００１０】
また、特に具体的に説明されている場合を除き、各図面に示される構成要素の寸法等は、説明の理解を容易にするため、実際の寸法とは異ならせて示される場合がある。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許