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公開番号2025027573
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-28
出願番号2023132436
出願日2023-08-16
発明の名称カセット
出願人株式会社ディスコ
代理人個人,個人,個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/673 20060101AFI20250220BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】カセットの支持部がウェーハで削られることにより発生する屑の量を低減する。
【解決手段】複数のウェーハが収容されるカセットであって、互いに対向する様に配置された一対の側壁と、一対の側壁の各上端部を固定する上端固定部と、一対の側壁の各下端部を固定する下端固定部と、各側壁の上下方向に沿って互いに離れて設けられ、各側壁の内面からそれぞれ突出している複数の棚部と、を備え、複数の棚部の各々は1つのウェーハが支持部で支持された際に1つのウェーハを支持する支持部を有し、支持部は、1つのウェーハに接する頂面を有し、支持部のうち少なくとも頂面を構成する材料は、一対の側壁の材料よりも硬い材料であるカセットを提供する。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
複数のウェーハが収容されるカセットであって、
互いに対向する様に配置された一対の側壁と、
該一対の側壁の各上端部を固定する上端固定部と、
該一対の側壁の各下端部を固定する下端固定部と、
各側壁の上下方向に沿って互いに離れて設けられ、各側壁の内面からそれぞれ突出している複数の棚部と、
を備え、
該複数の棚部の各々は１つのウェーハを支持する支持部を有し、
該支持部は、該１つのウェーハが該支持部で支持された際に該１つのウェーハに接する頂面を有し、
該支持部のうち少なくとも該頂面を構成する材料は、該一対の側壁の材料よりも硬い材料であることを特徴とするカセット。
続きを表示（約 600 文字）【請求項２】
該複数の棚部の各々は、
各側壁の内面から突出しており、該一対の側壁、該上端固定部及び該下端固定部で規定される空間の奥行方向及び上下方向に直交する横幅方向に沿って延伸している水平部と、
該水平部の先端部に設けられており該上端固定部に向かって突出している凸部と、
を有し、
該凸部が該１つのウェーハを支持する該支持部であることを特徴とする請求項１に記載のカセット。
【請求項３】
該複数の棚部の各々は、各側壁の内面から突出しており、該一対の側壁、該上端固定部及び該下端固定部で規定される空間の奥行方向及び上下方向に直交する横幅方向に沿って延伸している水平部を有し、
該水平部が該支持部であることを特徴とする請求項１に記載のカセット。
【請求項４】
該支持部の該頂面を構成する材料は、金属、ダイヤモンド、又は、硬質セラミックスを含み、
該一対の側壁を構成する材料は、合成樹脂であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のカセット。
【請求項５】
該上端固定部及び該下端固定部の各々を構成する材料は、合成樹脂であることを特徴とする請求項４に記載のカセット。
【請求項６】
該支持部の該頂面を構成する材料は、炭化ケイ素であることを特徴とする請求項４に記載のカセット。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のウェーハが収容されるカセットに関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスチップ等を製造する際に用いられる半導体ウェーハ（以下、単にウェーハ）は、一般的に円柱状のインゴットをワイヤーソーで切断することにより製造される。ワイヤーソーを使用すると、インゴットの厚さにおいてワイヤーソーの太さに応じた範囲（例えば、約３００μｍ）が除去されることに加えて、切り出されたウェーハの両面に形成されている凹凸を除去するために、ウェーハの両面を平坦化する必要がある。
【０００３】
それゆえ、ワイヤーソーを用いてインゴットからウェーハを製造すると、１つのウェーハ当たりにおいて除去されるインゴットの厚さが比較的大きいので、不経済であるという問題がある。そこで、ワイヤーソーに代えてレーザービームを利用することにより、インゴットからウェーハを製造する方法が提案されている。
【０００４】
具体的には、インゴットの所定深さにレーザービームの集光点を位置付けた状態で、インゴットと集光点とを相対的に移動させることで、インゴットの所定深さに機械的強度が脆弱な剥離層を形成した後、剥離層を境にインゴットからウェーハを剥離する。次いで、それぞれ剥離層に対応するウェーハの一面と、インゴットの他面と、に対して研削を施す。
【０００５】
レーザー加工と、剥離と、研削と、を順次繰り返すことで、インゴットから複数のウェーハが製造される（例えば、特許文献１参照）。剥離層の厚さは約６０μｍであり、ワイヤーソーを用いる場合に除去されるインゴットの厚さの範囲に比べて十分に小さい。それゆえ、ワイヤーソーを用いる場合に比べて、１つのウェーハを製造するにあたり廃棄されるインゴットの体積を低減できる。
【０００６】
インゴットから製造された各ウェーハは、カセットに収容される（例えば、特許文献２参照）。カセットは、対向して配置された一対の側壁を有する。各側壁は、例えば、合成樹脂で形成されており、各側壁の内面には、ウェーハを支持するための棚又は溝が、側壁の奥行方向に沿って形成されている。ウェーハカセットに収容されたウェーハは、棚又は溝を構成する支持部で支持される。
【０００７】
通常、市販されている単結晶シリコンのウェーハの両面には、面取り（ベベルとも称される）が施されているが、上述のレーザー加工と、剥離と、研削と、を経て製造された直後のウェーハは、その両面の外周部に面取りが施されておらず鋭利である。それゆえ、カセットの搬送時等にウェーハがカセット内で僅かに移動することで、ウェーハの外周部により支持部が削られることがある。
【０００８】
また、シリコン単結晶基板よりも硬度が高い炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）等の硬質材料の単結晶基板でウェーハが形成されている場合には、面取り部が形成されたウェーハであったとしても、カセット内でウェーハが移動することで、ウェーハにより支持部が削られる可能性がある。
【０００９】
カセットの支持部が削られることで発生した屑は、ウェーハに付着することがある。屑がウェーハに付着すると、ウェーハを加工する際の加工不良や、ウェーハから製造される半導体デバイスチップの製品不良が生じる可能性がある。また、クリーンルーム内で搬送されるカセットから屑が脱落し、クリーンルームが屑で汚染される可能性もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
特開２０１９－１２７６５号公報
特開平９－２７５４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
（【００１１】以降は省略されています）

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