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公開番号2025026140
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-21
出願番号2023131533
出願日2023-08-10
発明の名称弾性波デバイスおよび通信装置
出願人京セラ株式会社
代理人弁理士法人 HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
主分類H03H 9/145 20060101AFI20250214BHJP(基本電子回路)
要約【課題】周波数特性を改善する弾性波デバイス及び通信装置を提供する。
【解決手段】弾性波デバイス101は、溝19が形成された表面を有している圧電体1と、圧電体1よりも上層に位置しており、溝19の内側に位置している部分を含み、第1電極指8、平面視において第1電極指8と隣り合う第2電極指9及び第2電極指9と電気的に接続されたバスバー10を有しているIDT電極2と、溝19が形成された表面よりも上層に位置している誘電体層3と、を備えている。圧電体1の厚みは、第1電極指8及び第2電極指9のピッチの2倍以下であり、前記平面視において、誘電体層3は、第1電極指8の先端部と重なっている第1領域12と、第1電極指8の先端部とバスバー10との間であるギャップと重なっている第2領域14と、を含んでいる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
溝が形成された表面を有している圧電体と、
前記圧電体よりも上層に位置しており、前記溝の内側に位置している部分を含んでいるＩＤＴ電極であって、第１電極指、平面視において前記第１電極指と隣り合う第２電極指、および前記第２電極指と電気的に接続されたバスバーを有しているＩＤＴ電極と、
前記表面よりも上層に位置している誘電体層と、を備えており、
前記圧電体の厚みは、前記第１電極指および前記第２電極指のピッチの２倍以下であり、
前記平面視において、前記誘電体層は、前記第１電極指の先端部と重なっている第１領域と、前記先端部と前記バスバーとの間であるギャップと重なっている第２領域と、を含んでいる、弾性波デバイス。
続きを表示（約 860 文字）【請求項２】
前記誘電体層は、高音速誘電体材料およびＴａ
２
Ｏ
５
のうちの少なくとも一方を含んでいる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記高音速誘電体材料は、ＳｉＯ
２
、ＡｌＮ、ＳｉＮ、Ａｌ
２
Ｏ
３
、およびＴｉＯ
２
のいずれかである、請求項２に記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記誘電体層の厚みは、前記圧電体の厚みの０．０１倍以上かつ０．２倍以下である、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記誘電体層の厚みは、０．００５μｍ以上かつ０．０７μｍ以下である、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記第１電極指の長手方向における、前記先端部および前記第１領域の重なり部分の長さは、前記圧電体の厚み以上、かつ前記圧電体の厚みの５倍以下である、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記平面視において、前記誘電体層は、前記バスバーと重なっている第３領域を含んでいる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
前記ＩＤＴ電極は、前記ギャップに位置し前記平面視において前記第２領域と重なる、ダミー電極を有していない、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項９】
前記ＩＤＴ電極は、前記ギャップに位置し前記平面視において前記第２領域と重なる、ダミー電極を有しており、
前記第１電極指の長手方向における、前記第１電極指および前記ダミー電極の離間距離は、前記圧電体の厚みの２倍以上である、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項１０】
前記圧電体よりも下層に位置している、低音響インピーダンス層および高音響インピーダンス層を備えている、請求項１に記載の弾性波デバイス。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、弾性波デバイスおよび通信装置に関する。
続きを表示（約 4,600 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、ＩＤＴ電極の第１の電極指上および第２の電極指上に質量付加膜が設けられた構成が開示されている。ＩＤＴは、interdigital transducerの略である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１９－９２０９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
横モードスプリアスを低減して、弾性波デバイスの周波数特性を改善することが期待されている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様に係る弾性波デバイスは、溝が形成された表面を有している圧電体と、前記圧電体よりも上層に位置しており、前記溝の内側に位置している部分を含んでいるＩＤＴ電極であって、第１電極指、平面視において前記第１電極指と隣り合う第２電極指、および前記第２電極指と電気的に接続されたバスバーを有しているＩＤＴ電極と、前記表面よりも上層に位置している誘電体層と、を備えており、前記圧電体の厚みは、前記第１電極指および前記第２電極指のピッチの２倍以下であり、前記平面視において、前記誘電体層は、前記第１電極指の先端部と重なっている第１領域と、前記先端部と前記バスバーとの間であるギャップと重なっている第２領域と、を含んでいる。
【発明の効果】
【０００６】
本開示の一態様によれば、弾性波デバイスの周波数特性を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本開示の実施形態１に係る弾性波デバイスの概略構成を示す平面図である。
本開示の実施形態１に係る弾性波デバイスの概略構成を示すＡ－Ａ断面図である。
本開示の実施形態１に係る弾性波デバイスの別の例の概略構成を示す平面図である。
本開示の実施形態１に係る弾性波デバイスのさらに別の例の概略構成を示す平面図である。
ＬＴモデルおよびＬＮモデルにおける初期シミュレーション条件を示す表である。
基準モデルの周波数特性の一例を示すグラフである。
基準モデルの周波数特性の一例を示すグラフである。
基準モデルの周波数特性の一例を示すグラフである。
基準モデルの周波数特性の一例を示すグラフである。
基準モデルの周波数特性の一例を示すグラフである。
基準モデルの周波数特性の一例を示すグラフである。
準１０１モデルにおける、誘電体層の厚みに対する周波数特性の一例を示すグラフである。
準１０１モデルにおける、誘電体層の厚みに対する周波数特性の一例を示すグラフである。
ＦＯＭについて説明する図である。
ＦＯＭについて説明する図である。
ＦＯＭについて説明する図である。
ＬＴモデルにおいて、良好な周波数特性が得られた条件を列挙した表である。
ＬＴモデルにおいて、良好な周波数特性が得られた条件を列挙した表である。
ＬＴモデルにおいて、良好な周波数特性が得られた条件を列挙した表である。
ＬＴモデルにおいて、良好な周波数特性が得られた条件を列挙した表である。
ＬＴモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＴモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＴモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＴモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＴモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＴモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＴモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＴモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＴモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＴモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＴモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＴモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＴモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＴモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＴモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＴモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＴモデルにおける、誘電体層の厚みに対するＦＯＭの関係を示すグラフである。
ＬＴモデルにおける、誘電体層の厚みに対するＦＯＭの関係を示すグラフである。
ＬＴモデルにおける、誘電体層の厚みに対するＦＯＭの関係を示すグラフである。
ＬＴモデルにおける、誘電体層の厚みに対するＦＯＭの関係を示すグラフである。
ＬＴモデルにおける、誘電体層の厚みに対するＦＯＭの関係を示すグラフである。
ＬＴモデルにおける、誘電体層の厚みに対するＦＯＭの関係を示すグラフである。
ＬＴモデルにおける、誘電体層の厚みに対するＦＯＭの関係を示すグラフである。
ＬＴモデルにおける、誘電体層の厚みに対するＦＯＭの関係を示すグラフである。
ＬＴモデルにおける、誘電体層の厚みに対するＦＯＭの関係を示すグラフである。
ＬＴモデルにおける、誘電体層の厚みに対するＦＯＭの関係を示す別のグラフである。
ＬＴモデルにおける、誘電体層の厚みに対するＦＯＭの関係を示す別のグラフである。
ＬＮモデルにおいて、良好な周波数特性が得られた条件を列挙した表である。
ＬＮモデルにおいて、良好な周波数特性が得られた条件を列挙した表である。
ＬＮモデルにおいて、良好な周波数特性が得られた条件を列挙した表である。
ＬＮモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＮモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＮモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＮモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＮモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＮモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＮモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＮモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＮモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＮモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＮモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＮモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＮモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＮモデルにおける、良好な周波数特性例を示すグラフである。
ＬＮモデルにおける、誘電体層の厚みに対するＦＯＭの関係を示すグラフである。
ＬＮモデルにおける、誘電体層の厚みに対するＦＯＭの関係を示すグラフである。
ＬＮモデルにおける、誘電体層の厚みに対するＦＯＭの関係を示すグラフである。
ＬＮモデルにおける、誘電体層の厚みに対するＦＯＭの関係を示すグラフである。
ＬＮモデルにおける、誘電体層の厚みに対するＦＯＭの関係を示すグラフである。
ＬＮモデルにおける、誘電体層の厚みに対するＦＯＭの関係を示すグラフである。
ＬＮモデルにおける、誘電体層の厚みに対するＦＯＭの関係を示すグラフである。
ＬＮモデルにおける、誘電体層の厚みに対するＦＯＭの関係を示すグラフである。
ＬＮモデルにおける、誘電体層の厚みに対するＦＯＭの関係を示すグラフである。
ＬＮモデルにおける、誘電体層の厚みに対するＦＯＭの関係を示す別のグラフである。
ＬＮモデルにおける、誘電体層の厚みに対するＦＯＭの関係を示す別のグラフである。
ギャップ幅に対する周波数特性を示すグラフである。
ギャップ幅に対する周波数特性を示すグラフである。
ギャップ幅に対する周波数特性を示すグラフである。
ギャップ幅に対する周波数特性を示すグラフである。
ギャップ幅に対する周波数特性を示すグラフである。
ギャップ幅に対する周波数特性を示すグラフである。
ギャップ幅に対する周波数特性を示すグラフである。
ギャップ幅に対する周波数特性を示すグラフである。
ギャップ幅に対する周波数特性を示すグラフである。
ギャップ幅に対する周波数特性を示すグラフである。
ギャップ幅に対する周波数特性を示すグラフである。
ギャップ幅に対する周波数特性を示すグラフである。
ギャップ幅に対する周波数特性を示すグラフである。
ギャップ幅に対する周波数特性を示すグラフである。
ギャップ幅に対する周波数特性を示すグラフである。
ギャップ幅に対する周波数特性を示すグラフである。
ギャップ幅に対する周波数特性を示すグラフである。
ギャップ幅に対する周波数特性を示すグラフである。
ギャップ幅に対する周波数特性を示すグラフである。
ギャップ幅に対する周波数特性を示すグラフである。
ギャップ幅に対する周波数特性を示すグラフである。
ギャップ幅に対する周波数特性を示すグラフである。
本開示の実施形態２に係る弾性波デバイスの概略構成を示す断面図である。
本開示の実施形態３に係る通信装置の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本開示を実施するための形態について説明する。説明の便宜上、先に説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない場合がある。
【０００９】
〔実施形態１〕
図１は、本開示の実施形態１に係る弾性波デバイス１０１の概略構成を示す平面図である。図２は、本開示の実施形態１に係る弾性波デバイス１０１の概略構成を示すＡ－Ａ断面図である。
【００１０】
弾性波デバイス１０１は、圧電体１、ＩＤＴ電極２、誘電体層３、複数の多層反射膜４、および支持基板５を備えている。支持基板５、複数の多層反射膜４、圧電体１、ＩＤＴ電極２、および誘電体層３は、この順に積層されている。複数の多層反射膜４それぞれは、圧電体１側から順に、低音響インピーダンス層６および高音響インピーダンス層７を有している。一例として、弾性波デバイス１０１において、多層反射膜４の数は４である。
（【００１１】以降は省略されています）

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