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公開番号2025023582
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-17
出願番号2023127859
出願日2023-08-04
発明の名称半田バンプの形成方法
出願人イビデン株式会社
代理人弁理士法人銀座マロニエ特許事務所
主分類H05K 3/34 20060101AFI20250207BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】半田バンプを形成する半田パターンの厚みと幅とを均一にして、半田パターンの融点を均一にするフラックス層Fが形成されていてもよいを提供する。
【解決手段】プリント配線板10の表面に設けられ、フラックス層Fが形成されていてもよいパッド14に半田バンプを形成する半田バンプの形成方法であって、パッド14に対応した位置に半田ボール21を保持する半田ボール転写治具20を準備し、半田ボール21を半田ボール転写治具20に保持し、半田ボール転写治具20をプリント配線板10上に配置し、半田ボール21をパッド14上に転写し、転写した半田ボール21をリフローすることで、パッド14上に半田バンプ16を形成する。
【選択図】図2C
特許請求の範囲【請求項１】
プリント配線板の表面に設けられたパッドに半田バンプを形成する半田バンプの形成方法であって、
前記パッドに対応した位置に半田ボールを保持することができる半田ボール転写治具を準備し、
前記半田ボールを前記半田ボール転写治具に保持し、
前記半田ボール転写治具を前記プリント配線板上に配置し、
前記半田ボールを前記パッド上に転写し、
前記転写した半田ボールをリフローすることで、
前記パッド上に前記半田バンプを形成することを特徴とする、半田バンプの形成方法。
続きを表示（約 420 文字）【請求項２】
請求項１に記載の半田バンプの形成方法であって、
前記半田ボール転写治具は金属箔を備え、
前記金属箔は前記半田ボールに対向しており、当該金属箔を貫通し前記半田ボールを吸引するための貫通孔を有しており、
前記金属箔の上面を吸引し前記貫通孔から発生する吸引力により前記半田ボールを保持し、
前記金属箔の上面の吸引を停止することにより前記半田ボールを前記パッド上に転写することを特徴とする、半田バンプの形成方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半田バンプの形成方法であって、
前記半田ボール転写治具は、前記金属箔と樹脂フィルムとを備え、
前記樹脂フィルムは、前記パッドに対応した位置に形成された凹部と当該凹部の周囲の部分を形成するガイド部とを有し、
前記貫通孔は前記パッドに対応した位置に形成された凹部と連通していることを特徴とする、半田バンプの形成方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板の表面に設けられたパッドに半田バンプを形成する半田バンプの形成方法に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
プリント配線板に電子部品を実装する際には、プリント配線板の表面にパッドを設け、このパッドに半田バンプを形成し、この半田バンプにより電子部品をプリント配線板に実装する場合がある。
【０００３】
図３（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、従来の半田バンプの形成方法の一例を説明するための断面図である。本例では、図３（ａ）に示すように、半田シート５１に形成されている半田パターン５２を、ソルダーレジスト５３の開口５３ａに露出するプリント配線板５４のパッド５５上に配置し、図３（ｂ）に示すように、半田パターン５２を溶融して、パッド５５に半田パッド５６を形成している。半田箔をエッチングすることで半田パターン５２を形成している（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開平０７－６６５４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に開示された技術では、半田パターン５２が半田箔をエッチングすることで形成されている。そのため、各半田パターン５２の厚みと幅とがバラツキやすく、各半田パターン５２の体積が異なりやすい。また、半田が合金であると、合金を構成する各元素がエッチング液に対し同様に溶解しない。そのため、半田パターン５２の組成が半田箔の組成からずれることとなり、各半田パターン５２の融点が半田箔の融点に対し高くなったり低くなったり変動する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る半田バンプの形成方法は、プリント配線板の表面に設けられたパッドに半田バンプを形成する半田バンプの形成方法であって、前記パッドに対応した位置に半田ボールを保持することができる半田ボール転写治具を準備し、前記半田ボールを前記半田ボール転写治具に保持し、前記半田ボール転写治具を前記プリント配線板上に配置し、前記半田ボールを前記パッド上に転写し、前記転写した半田ボールをリフローすることで、前記パッド上に前記半田バンプを形成する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本発明に係る半田バンプの形成方法の対象となる半田バンプの一実施形態を説明するための断面図である。
本発明に係る半田バンプの形成方法の一実施形態を説明するための断面図である。
本発明に係る半田バンプの形成方法の一実施形態を説明するための断面図である。
本発明に係る半田バンプの形成方法の一実施形態を説明するための断面図である。
本発明に係る半田バンプの形成方法の一実施形態を説明するための断面図である。
本発明に係る半田バンプの形成方法の一実施形態を説明するための断面図である。
（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、従来の半田バンプの形成方法の一例を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
＜本発明の製造対象となる半田バンプについて＞
本発明の半田バンプの一実施形態が、図面を参照して説明される。なお、図１～図２に示す例において、各部材の寸法、特に高さ方向の寸法については、本発明の特徴をより良く理解できるようにするために、実際の寸法とは異なる寸法で記載している。
【０００９】
図１は、本発明に係る半田バンプの形成方法の対象となる半田バンプの一実施形態を説明するための断面図である。図１において、プリント配線板１０は、コア基板（図示せず）の片面または両面に所定の回路パターンを有する導体層と樹脂絶縁層とを交互に積層してなるコア付き基板であってよい。コア基板の両面に導体層を形成する場合には、コア基板を介して対向する導体層同士は、スルーホール導体（図示せず）を介して接続されていてもよい。
【００１０】
また、プリント配線板１０は、コア基板の代わりに支持板（図示せず）上で導体層と樹脂絶縁層とを交互に積層した後、支持板を除去してなるコアレス基板であってもよい。いずれにせよ、プリント配線板１０は、図１に示すように、少なくとも１層の樹脂絶縁層のうち最外に配置されたものである基部絶縁層１２と、基部絶縁層１２上に形成された、所定の回路パターンを有する導体層に含まれるパッド１４と、パッド１４上に形成された半田バンプ１６とを備えている。基部絶縁層１２の下層には他の複数の導体層および樹脂絶縁層が交互に設けられている場合が多いが、図では省略されている。
（【００１１】以降は省略されています）

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