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公開番号2025021971
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-14
出願番号2023126110
出願日2023-08-02
発明の名称半田バンプの形成方法
出願人イビデン株式会社
代理人弁理士法人銀座マロニエ特許事務所
主分類H05K 3/34 20060101AFI20250206BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】半田バンプを形成する半田パターンの厚みと幅とを均一にして、半田パターンの融点を均一にする半田バンプの形成方法を提供する。
【解決手段】プリント配線板の表面に設けられたパッド14に半田バンプを形成する半田バンプの形成方法であって、パッド14の位置に対応したレーザ抜き穴22を有する補助基板21を準備し、補助基板21のレーザ抜き穴22に半田ペースト23を印刷し、補助基板21をプリント配線板の基部絶縁層12上に配置し、半田ペースト23をパッド14上に転写し、転写した半田ペースト23をリフローすることで、パッド14上に半田バンプを形成する。本発明では、補助基板21に保持した半田ペースト23を印刷によりパッド14上に転写する点に特徴がある。
【選択図】図2D
特許請求の範囲【請求項１】
プリント配線板の表面に設けられたパッドに半田バンプを形成する半田バンプの形成方法であって、
前記パッドの位置に対応した穴を有する補助基板を準備し、
前記補助基板の穴に半田ペーストを印刷し、
前記補助基板を前記プリント配線板上に配置し、
前記半田ペーストを前記パッド上に転写し、
前記転写した半田ペーストをリフローすることで、
前記パッド上に前記半田バンプを形成することを特徴とする、半田バンプの形成方法。
続きを表示（約 660 文字）【請求項２】
請求項１に記載の半田バンプの形成方法であって、
前記補助基板として、前記パッドの位置に対応した穴を有するフィルム基材を準備し、
前記フィルム基材に対し、半田ペーストを空中で表裏両面においてスキージングすることで、前記フィルム基材の穴に半田ペーストを印刷して保持させ、
前記フィルム基材の穴と前記プリント配線板のパッドとが一致するように、前記フィルム基材を前記プリント配線板上に配置し、
前記印刷した前記穴内に設けられた半田ペーストを前記パッド上に配置させた状態で前記フィルム基材を除去して転写し、
前記転写した半田ペーストをリフローすることで、
前記パッド上に前記半田バンプを形成することを特徴とする、半田バンプの形成方法。
【請求項３】
請求項１に記載の半田バンプの形成方法であって、
前記補助基板として、金属箔と樹脂フィルムとからなる半田供給用フィルムを準備し、
前記樹脂フィルムに対し、前記パッドの位置に対応した穴を形成し、
前記穴に半田ペーストを印刷して保持させて半田供給体を形成し、
前記半導体供給用フィルムの穴と前記プリント配線板のパッドとが一致するように、前記半導体供給体を前記プリント配線板上に配置し、
前記半田ペーストをリフローして転写し、
前記半導体供給用フィルムを除去することで、
前記パッド上に前記半田バンプを形成することを特徴とする、半田バンプの形成方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板の表面に設けられたパッドに半田バンプを形成する半田バンプの形成方法に関する。
続きを表示（約 2,400 文字）【背景技術】
【０００２】
プリント配線板に電子部品を実装する際には、プリント配線板の表面にパッドを設け、このパッドに半田バンプを形成し、この半田バンプにより電子部品をプリント配線板に実装する場合がある。
【０００３】
図４（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、従来の半田バンプの形成方法の一例を説明するための断面図である。本例では、図４（ａ）に示すように、半田シート５１に形成されている半田パターン５２を、ソルダーレジスト５３の開口５３ａに露出するプリント配線板５４のパッド５５上に配置し、図４（ｂ）に示すように、半田パターン５２を溶融して、パッド５５に半田パッド５６を形成している。半田箔をエッチングすることで半田パターン５２を形成している（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開平０７－６６５４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に開示された技術では、半田パターン５２が半田箔をエッチングすることで形成されている。そのため、各半田パターン５２の厚みと幅とがバラツキやすく、各半田パターン５２の体積が異なりやすい。また、半田が合金であると、合金を構成する各元素がエッチング液に対し同様に溶解しない。そのため、半田パターン５２の組成が半田箔の組成からずれることとなり、各半田パターン５２の融点が半田箔の融点に対し高くなったり低くなったり変動する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る半田バンプの形成方法は、プリント配線板の表面に設けられたパッドに半田バンプを形成する半田バンプの形成方法であって、前記パッドの位置に対応した穴を有する補助基板を準備し、前記補助基板の穴に半田ペーストを印刷し、前記補助基板を前記プリント配線板上に配置し、前記半田ペーストを前記パッド上に転写し、前記転写した半田ペーストをリフローすることで、前記パッド上に前記半田バンプを形成する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本発明に係る半田バンプの形成方法の対象となる半田バンプの一実施形態を説明するための断面図である。
本発明に係る半田バンプの形成方法の一実施形態を説明するための図である。
本発明に係る半田バンプの形成方法の一実施形態を説明するための図である。
本発明に係る半田バンプの形成方法の一実施形態を説明するための断面図である。
本発明に係る半田バンプの形成方法の一実施形態を説明するための断面図である。
本発明に係る半田バンプの形成方法の一実施形態を説明するための断面図である。
本発明に係る半田バンプの形成方法の一実施形態を説明するための断面図である。
本発明に係る半田バンプの形成方法の他の実施形態を説明するための断面図である。
本発明に係る半田バンプの形成方法の他の実施形態を説明するための断面図である。
本発明に係る半田バンプの形成方法の他の実施形態を説明するための断面図である。
本発明に係る半田バンプの形成方法の他の実施形態を説明するための断面図である。
本発明に係る半田バンプの形成方法の他の実施形態を説明するための断面図である。
本発明に係る半田バンプの形成方法の他の実施形態を説明するための断面図である。
（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、従来の半田バンプの形成方法の一例を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
＜本発明の製造対象となる半田バンプについて＞
本発明の半田バンプの一実施形態が、図面を参照して説明される。なお、図１～図４に示す例において、各部材の寸法、特に高さ方向の寸法については、本発明の特徴をより良く理解できるようにするために、実際の寸法とは異なる寸法で記載している。
【０００９】
図１は、本発明に係る半田バンプの形成方法の対象となる半田バンプの一実施形態を説明するための断面図である。図１において、プリント配線板１０は、コア基板（図示せず）の片面または両面に所定の回路パターンを有する導体層と樹脂絶縁層とを交互に積層してなるコア付き基板であってよい。コア基板の両面に導体層を形成する場合には、コア基板を介して対向する導体層同士は、スルーホール導体（図示せず）を介して接続されていてもよい。あるいは、プリント配線板１０は、コア基板の代わりに支持板（図示せず）上で導体層と樹脂絶縁層とを交互に積層した後、支持板を除去してなるコアレス基板であってもよい。いずれにせよ、プリント配線板１０は、図１に示すように、少なくとも１層の樹脂絶縁層のうち最外に配置されたものである基部絶縁層１２と、基部絶縁層１２上に形成された、所定の回路パターンを有するパッド１４と、パッド１４上に形成された半田バンプ１６とを備えている。基部絶縁層１２の下層には他の複数の導体層および樹脂絶縁層が交互に設けられている場合が多いが、図では省略されている。
【００１０】
基部絶縁層１２は、例えばシリカやアルミナ等の無機フィラーとエポキシ系樹脂とを含む樹脂組成物等で構成することができる。パッド１４は導電性金属、例えば銅を主成分とする金属で形成される。半田バンプ１６は、融点が低くリフロー処理により溶融して図１に示すような略半球状に整形される金属、例えばスズを主成分とする金属からなる。なお、基部絶縁層１２上のパッド１４および半田バンプ１６以外の部分に、ソルダーレジスト層を設けることもできる。
（【００１１】以降は省略されています）

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