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公開番号2025015808
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-30
出願番号2024202649,2020103142
出願日2024-11-20,2020-06-15
発明の名称載置台及び基板処理装置
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人弁理士法人ITOH
主分類H01L 21/683 20060101AFI20250123BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】熱伝導が良く、線膨張係数が低く、かつ軽量な載置台を提供する。
【解決手段】密度が5.0g/cm³以下の材料からなる第1の部材と、前記第1の部材と接合面を介して接合され、線膨張係数が5.0×10^-6/K以下、かつ熱伝導率が100W/mK以上の材料からなる第2の部材と、前記第1の部材及び前記第2の部材に跨って、前記第1の部材及び前記第2の部材の内部に形成された温調媒体の流路と、を有し、前記接合面は、前記第1の部材の材料と前記第2の部材の材料との配合率を変化させながら形成されている、載置台。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
密度が５．０ｇ／ｃｍ
３
以下の材料からなる第１の部材と、
前記第１の部材と接合面を介して接合され、線膨張係数が５．０×１０
－６
／Ｋ以下、かつ熱伝導率が１００Ｗ／ｍＫ以上の材料からなる第２の部材と、
前記第１の部材及び前記第２の部材に跨って、前記第１の部材及び前記第２の部材の内部に形成された温調媒体の流路と、を有し、
前記接合面は、前記第１の部材の材料と前記第２の部材の材料との配合率を変化させながら形成されている、
載置台。
続きを表示（約 980 文字）【請求項２】
前記接合面は、３Ｄプリンタにより形成される、
請求項１に記載の載置台。
【請求項３】
前記第２の部材は、前記第１の部材との接合面と反対側で静電チャックと接合されている、
請求項１または請求項２に記載の載置台。
【請求項４】
前記第１の部材は、アルミニウム、アルミニウム合金、チタン、又はチタン合金のいずれかである、
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の載置台。
【請求項５】
前記第２の部材は、モリブデン、タングステン、シリコン、炭化ケイ素、又は窒化アルミニウムのいずれかである、
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の載置台。
【請求項６】
基板を載置する載置台を有する基板処理装置であって、
前記載置台は、
密度が５．０ｇ／ｃｍ
３
以下の材料からなる第１の部材と、
前記第１の部材の上にて前記第１の部材と接合面を介して接合され、線膨張係数が５．０×１０
－６
／Ｋ以下、かつ熱伝導率が１００Ｗ／ｍＫ以上の材料からなる第２の部材と、
前記第１の部材及び前記第２の部材に跨って、前記第１の部材及び前記第２の部材の内部に形成された温調媒体の流路と、を有し、
前記接合面は、前記第１の部材の材料と前記第２の部材の材料との配合率を変化させながら形成されている、
基板処理装置。
【請求項７】
前記接合面は、３Ｄプリンタにより形成される、
請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第２の部材は、前記第１の部材との接合面と反対側で静電チャックと接合されている、
請求項６または請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記第１の部材は、アルミニウム、アルミニウム合金、チタン、又はチタン合金のいずれかである、
請求項６乃至請求項８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記第２の部材は、モリブデン、タングステン、シリコン、炭化ケイ素、又は窒化アルミニウムのいずれかである、
請求項６乃至請求項９のいずれか一項に記載の基板処理装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、載置台及び基板処理装置に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１は、基台及び静電チャックを有する載置台を開示する。基台は、例えばアルミニウムやチタン等から形成されている。基台の内部には冷却流路が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１９－２０１０８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、熱伝導が良く、線膨張係数が低く、かつ軽量な載置台を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一の態様によれば、密度が５．０ｇ／ｃｍ
３
以下の材料からなる第１の部材と、前記第１の部材と接合され、線膨張係数が５．０×１０
－６
／Ｋ以下、かつ熱伝導率が１００Ｗ／ｍＫ以上の材料からなる第２の部材と、前記第１の部材及び前記第２の部材の少なくともいずれかの内部に形成された温調媒体の流路と、を有する載置台が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
一の側面によれば、熱伝導が良く、線膨張係数が低く、かつ軽量な載置台を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
一実施形態に係る基板処理装置の一例を示す断面模式図である。
一実施形態に係る基板処理装置の載置台の一部を拡大して示す図である。
一実施形態に係る載置台の基台を構成する物質の物性値を示す図である。
一実施形態に係る３Ｄプリンタの構成の一例を示す図である。
一実施形態に係る基台の製造方法１を示すフローチャートである。
一実施形態に係る基台の製造方法２を示すフローチャートである。
一実施形態に係る製造方法１、２により造形した基台を模式的に示す図である。
一実施形態に係る基台の製造方法３と造形した基台を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【０００９】
［基板処理装置］
まず、図１を参照しながら、一実施形態に係る載置台を有する基板処理装置１００について説明する。図１は、一実施形態に係る基板処理装置１００の一例を示す断面模式図である。基板処理装置１００は、容量結合型のプラズマ処理装置である。
【００１０】
基板処理装置１００は、処理容器１１２及び載置台１１６を有する。処理容器１１２は、略円筒形状を有しており、その内部空間を処理室１１２ｃとして提供している。処理容器１１２は、例えば、アルミニウムから構成されている。処理容器１１２の内部空間側の表面には、アルマイト膜及び／又は酸化イットリウム膜といった耐プラズマ性を有するセラミックス製の皮膜が形成されている。処理容器１１２は接地されている。処理容器１１２の側壁には、ウェハＷを処理室１１２ｃに搬入し、処理室１１２ｃから搬出するための開口１１２ｐが形成されている。開口１１２ｐは、ゲートバルブＧＶによって開閉することが可能となっている。
（【００１１】以降は省略されています）

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