TOP特許意匠商標
特許ウォッチ Twitter
10個以上の画像は省略されています。
公開番号2025015331
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-30
出願番号2023118666
出願日2023-07-20
発明の名称光検出装置、光学素子、および電子機器
出願人ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
代理人弁理士法人つばさ国際特許事務所
主分類H10F 39/12 20250101AFI20250123BHJP()
要約【課題】斜入射光に対する特性を向上可能な光検出装置を提供する。
【解決手段】本開示の一実施形態の光検出装置は、球状または楕円体状の形状を有する第1構造体と、前記第1構造体の周囲に設けられ、前記第1構造体の屈折率とは異なる屈折率を有する充填部材とを含む第1導光部材と、前記第1導光部材を介して入射する光を光電変換する第1光電変換素子とを備える。
【選択図】図6
特許請求の範囲【請求項1】
球状または楕円体状の形状を有する第1構造体と、前記第1構造体の周囲に設けられ、前記第1構造体の屈折率とは異なる屈折率を有する充填部材とを含む第1導光部材と、
前記第1導光部材を介して入射する光を光電変換する第1光電変換素子と
を備える光検出装置。
続きを表示(約 860 文字)【請求項2】
前記第1導光部材は、前記第1構造体の周囲に設けられ、球状または楕円体状の形状を有する第2構造体を有する
請求項1に記載の光検出装置。
【請求項3】
前記第2構造体は、前記第1構造体の屈折率とは異なる屈折率を有する
請求項2に記載の光検出装置。
【請求項4】
前記第1構造体と前記第2構造体とは、互いに異なる大きさを有する
請求項2に記載の光検出装置。
【請求項5】
前記第2構造体は、前記第1構造体と積層するように設けられている
請求項2に記載の光検出装置。
【請求項6】
前記第1構造体は、第1部分と、前記第1部分の周囲を覆うように設けられ、前記第1部分の屈折率とは異なる屈折率を有する第2部分とを含む
請求項1に記載の光検出装置。
【請求項7】
前記第1構造体は、球状または楕円状の形状を有する第1部分および第2部分を有し、
前記第1部分の少なくとも一部は、前記第2部分内に設けられている
請求項1に記載の光検出装置。
【請求項8】
前記第1構造体および前記充填部材を含む第2導光部材と、
前記第2導光部材を介して入射する光を光電変換する第2光電変換素子と
をさらに備え、
前記第1導光部材における前記第1構造体の密度は、前記第2導光部材における前記第1構造体の密度と異なる
請求項1に記載の光検出装置。
【請求項9】
前記第1構造体は、半球状または半楕円状の形状を有する第1部分と、前記第1部分と積層するように設けられ、半球状または半楕円状の形状を有する第2部分とを含む
請求項8に記載の光検出装置。
【請求項10】
前記第1部分と前記第2部分との間に設けられる中間層をさらに備える
請求項9に記載の光検出装置。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本開示は、光検出装置、光学素子、および電子機器に関する。
続きを表示(約 3,900 文字)【背景技術】
【0002】
円柱形状を有する複数のナノ構造物と、ナノ構造物と異なる屈折率を有する周辺物質とを備えるメタ光学素子が提案されている(特許文献1)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2021-140152号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
光を検出する装置では、斜めに入射する光に対する特性を向上させることが望ましい。
【0005】
斜入射光に対する特性を向上可能な光検出装置を提供することが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の一実施形態の光検出装置は、球状または楕円体状の形状を有する第1構造体と、第1構造体の周囲に設けられ、第1構造体の屈折率とは異なる屈折率を有する充填部材とを含む第1導光部材と、第1導光部材を介して入射する光を光電変換する第1光電変換素子とを備える。
本開示の一実施形態の光学素子は、球状または楕円体状の形状を有する複数の第1構造体と、隣り合う複数の第1構造体の間に設けられ、第1構造体の屈折率とは異なる屈折率を有する充填部材とを備える。
本開示の一実施形態の電子機器は、光学系と、光学系を透過した光を受光する光検出装置とを備える。光検出装置は、球状または楕円体状の形状を有する第1構造体と、第1構造体の周囲に設けられ、第1構造体の屈折率とは異なる屈折率を有する充填部材とを含む第1導光部材と、第1導光部材を介して入射する光を光電変換する第1光電変換素子とを有する。
【図面の簡単な説明】
【0007】
図1は、本開示の第1の実施の形態に係る光検出装置の一例である撮像装置の概略構成の一例を示すブロック図である。
図2は、本開示の第1の実施の形態に係る撮像装置の画素部の一例を示す図である。
図3は、本開示の第1の実施の形態に係る撮像装置の画素の回路構成の一例を説明するための図である。
図4は、本開示の第1の実施の形態に係る撮像装置の平面構成の一例を示す図である。
図5は、本開示の第1の実施の形態に係る撮像装置の平面構成の一例を示す図である。
図6は、本開示の第1の実施の形態に係る撮像装置の断面構成の一例を示す図である。
図7は、本開示の第1の実施の形態に係る撮像装置の断面構成の別の例を示す図である。
図8は、本開示の第1の実施の形態に係る撮像装置の断面構成の別の例を示す図である。
図9Aは、本開示の第1の実施の形態に係る撮像装置の異なる像高の位置における断面構成例を示す図である。
図9Bは、本開示の第1の実施の形態に係る撮像装置の異なる像高の位置における断面構成例を示す図である。
図10Aは、本開示の第1の実施の形態に係る撮像装置の構成例を説明するための図である。
図10Bは、本開示の第1の実施の形態に係る撮像装置の構成例を説明するための図である。
図10Cは、本開示の第1の実施の形態に係る撮像装置の構成例を説明するための図である。
図11Aは、本開示の第1の実施の形態に係る撮像装置の導光部の製造方法の一例を説明するための図である。
図11Bは、本開示の第1の実施の形態に係る撮像装置の導光部の製造方法の一例を説明するための図である。
図11Cは、本開示の第1の実施の形態に係る撮像装置の導光部の製造方法の一例を説明するための図である。
図11Dは、本開示の第1の実施の形態に係る撮像装置の導光部の製造方法の一例を説明するための図である。
図11Eは、本開示の第1の実施の形態に係る撮像装置の導光部の製造方法の一例を説明するための図である。
図11Fは、本開示の第1の実施の形態に係る撮像装置の導光部の製造方法の一例を説明するための図である。
図11Gは、本開示の第1の実施の形態に係る撮像装置の導光部の製造方法の一例を説明するための図である。
図11Hは、本開示の第1の実施の形態に係る撮像装置の導光部の製造方法の一例を説明するための図である。
図11Iは、本開示の第1の実施の形態に係る撮像装置の導光部の製造方法の一例を説明するための図である。
図11Jは、本開示の第1の実施の形態に係る撮像装置の導光部の製造方法の一例を説明するための図である。
図12Aは、本開示の変形例1に係る撮像装置の構成例を説明するための図である。
図12Bは、本開示の変形例1に係る撮像装置の構成例を説明するための図である。
図13Aは、本開示の変形例1に係る撮像装置の別の構成例を説明するための図である。
図13Bは、本開示の変形例1に係る撮像装置の別の構成例を説明するための図である。
図14は、本開示の変形例2に係る撮像装置の構成例を説明するための図である。
図15Aは、本開示の変形例3に係る撮像装置の構成例を説明するための図である。
図15Bは、本開示の変形例3に係る撮像装置の構成例を説明するための図である。
図16Aは、本開示の変形例4に係る撮像装置の構成例を説明するための図である。
図16Bは、本開示の変形例4に係る撮像装置の構成例を説明するための図である。
図17Aは、本開示の変形例4に係る撮像装置の別の構成例を説明するための図である。
図17Bは、本開示の変形例4に係る撮像装置の別の構成例を説明するための図である。
図18Aは、本開示の変形例5に係る撮像装置の構成例を説明するための図である。
図18Bは、本開示の変形例5に係る撮像装置の構成例を説明するための図である。
図18Cは、本開示の変形例5に係る撮像装置の構成例を説明するための図である。
図18Dは、本開示の変形例5に係る撮像装置の構成例を説明するための図である。
図19は、本開示の第2の実施の形態に係る撮像装置の平面構成の一例を示す図である。
図20は、本開示の第2の実施の形態に係る撮像装置の断面構成の一例を示す図である。
図21は、本開示の第2の実施の形態に係る撮像装置の構成例を説明するための図である。
図22は、本開示の変形例7に係る撮像装置の構成例を説明するための図である。
図23は、本開示の変形例8に係る撮像装置の構成例を説明するための図である。
図24Aは、本開示の変形例9に係る撮像装置の構成例を説明するための図である。
図24Bは、本開示の変形例9に係る撮像装置の構成例を説明するための図である。
図25Aは、本開示の変形例10に係る撮像装置の構成例を説明するための図である。
図25Bは、本開示の変形例10に係る撮像装置の構成例を説明するための図である。
図26Aは、本開示の変形例10に係る撮像装置の別の構成例を説明するための図である。
図26Bは、本開示の変形例10に係る撮像装置の別の構成例を説明するための図である。
図27は、本開示の変形例11に係る撮像装置の構成例を説明するための図である。
図28は、本開示の変形例12に係る撮像装置の構成例を説明するための図である。
図29は、本開示の第3の実施の形態に係る光学素子の構成例を説明するための図である。
図30は、本開示の第3の実施の形態に係る光学素子の構成例を説明するための図である。
図31は、撮像装置を有する電子機器の構成例を表すブロック図である。
図32は、車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。
図33は、車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。
図34は、内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。
図35は、カメラヘッド及びCCUの機能構成の一例を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
1.第1の実施の形態
2.第2の実施の形態
3.第3の実施の形態
4.適用例
5.応用例
【0009】
<1.第1の実施の形態>
図1は、本開示の第1の実施の形態に係る光検出装置の一例である撮像装置の概略構成の一例を示すブロック図である。図2は、第1の実施の形態に係る撮像装置の画素部の一例を示す図である。光検出装置は、入射する光を検出可能な装置である。光検出装置である撮像装置1は、光電変換部(光電変換素子)を有する複数の画素Pを有し、入射した光を光電変換して信号を生成するように構成される。
【0010】
撮像装置1は、光学レンズを含む光学系(不図示)を透過した光を受光して信号を生成し得る。撮像装置1は、例えば、複数の画素Pが設けられた半導体基板(例えばシリコン基板)を用いて構成される。撮像装置1の各画素Pの光電変換部は、例えばフォトダイオード(PD)であり、光を光電変換可能に構成される。
(【0011】以降は省略されています)

この特許をJ-PlatPatで参照する
Flag Counter

関連特許

個人
集積回路
21日前
個人
集積回路
10日前
シチズン電子株式会社
発光装置
4日前
HOYA株式会社
光照射装置
10日前
富士電機株式会社
半導体装置
10日前
個人
低ノイズ超高速イメージセンサ
20日前
株式会社半導体エネルギー研究所
記憶装置
3日前
三菱電機株式会社
半導体装置
10日前
ソニーグループ株式会社
光検出装置
21日前
株式会社半導体エネルギー研究所
表示装置
3日前
個人
スーパージャンクションMOSFET
17日前
ローム株式会社
半導体集積回路
24日前
株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
21日前
ローム株式会社
窒化物半導体装置
4日前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光デバイス
21日前
株式会社カネカ
太陽電池製造方法
11日前
ローム株式会社
半導体装置
11日前
日亜化学工業株式会社
発光素子
21日前
ローム株式会社
発光装置
11日前
サンケン電気株式会社
半導体装置
10日前
東ソー株式会社
積層体及びそれを備えた熱電変換材料
4日前
キオクシア株式会社
半導体記憶装置
10日前
ローム株式会社
半導体装置
3日前
日亜化学工業株式会社
発光装置の製造方法
17日前
日亜化学工業株式会社
発光素子の製造方法
21日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
11日前
住友電気工業株式会社
光センサ
21日前
日亜化学工業株式会社
発光装置の製造方法
10日前
富士電機株式会社
半導体装置
21日前
株式会社デンソー
半導体装置
4日前
株式会社アイシン
ペロブスカイト太陽電池
3日前
株式会社デンソー
半導体装置
21日前
厦門普為光電科技有限公司
高光効率発光ダイオード光源
21日前
株式会社デンソー
半導体装置
24日前
日本電気株式会社
量子デバイスおよびその製造方法
24日前
ミネベアパワーデバイス株式会社
半導体装置
11日前
続きを見る