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公開番号2025012816
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-24
出願番号2023115939
出願日2023-07-14
発明の名称半導体装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
主分類H01L 25/07 20060101AFI20250117BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体装置の不良を抑制する。
【解決手段】実施形態の半導体装置は、基板10と、基板10上に設けられ、樹脂層200と端子210とを含むケース20と、基板10上に設けられ、半導体チップ110と、半導体チップ110及び端子210に電気的に接続される配線109と、を含む回路基板100と、を備える。端子210は、樹脂層200から回路基板100に向かって延在する第1の部分211と、配線109に接合される第2の部分212と、第1の部分211と第2の部分212との間の第3の部分213と、を含む。第3の部分213は、第2の部分212よりも基板100側の反対側に窪んでいる。
【選択図】図4

特許請求の範囲【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられ、樹脂層と端子とを含むケースと、
前記基板上に設けられ、半導体チップと、前記半導体チップ及び前記端子に電気的に接続される配線と、を含む回路基板と、
を具備し、
前記端子は、
前記樹脂層から前記回路基板に向かって延在する第１の部分と、
前記配線に接合される第２の部分と、
前記第１の部分と前記第２の部分との間の第３の部分と、
を含み、
前記第３の部分は、前記第２の部分よりも前記基板側の反対側に窪んでいる、
半導体装置。
続きを表示（約 640 文字）【請求項２】
前記端子は、前記第２の部分と前記第３の部分との間に段差を含む、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記端子は、前記樹脂層内に設けられた第４の部分を、さらに含み、
前記樹脂層は、前記第４の部分と前記樹脂層との間に設けられたスリットを、さらに含む、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記基板の上面に対して垂直な第１の方向における前記第３の部分の寸法は、前記第１の方向における前記第２の部分の寸法より小さい、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記基板の上面に対して平行な第２の方向における前記第２の部分の寸法は、前記第２の方向における前記第３の部分の寸法より大きい、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２の部分は、前記配線に連続する、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第３の部分は、前記配線に接触し、前記配線に連続しない、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記回路基板を覆う絶縁体を、さらに具備し、
前記絶縁体が、前記第３の部分と前記配線との間に設けられる、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記端子は、前記樹脂層内にインサート成型された導電体である、
請求項１に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
高出力を実現する半導体装置として、パワーモジュールが知られている。パワーモジュールは、複数のパワー半導体が集積された１つのパッケージとして、構成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特許第５９７２１７２号明細書
特許第６１８９７９８号明細書
特許第６８０５７７６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体装置の不良を低減する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態の半導体装置は、基板と、前記基板上に設けられ、樹脂層と端子とを含むケースと、前記基板上に設けられ、半導体チップと、前記半導体チップ及び前記端子に電気的に接続される配線と、を含む回路基板と、を備え、前記端子は、前記樹脂層から前記回路基板に向かって延在する第１の部分と、前記配線に接合される第２の部分と、前記第１の部分と前記第２の部分との間の第３の部分と、を含み、前記第３の部分は、前記第２の部分よりも前記基板側の反対側に窪んでいる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
実施形態の半導体装置の外観を示す鳥瞰図。
実施形態の半導体装置の内部構造を示す平面図。
実施形態の半導体装置の内部構造を示す断面図。
実施形態の半導体装置の信号端子及びケースの構造例を示す断面図。
実施形態の半導体装置の信号端子及びケースの構造例を示す断面図。
実施形態の半導体装置の信号端子の構造の一例を示す断面図。
実施形態の半導体装置の製造方法の一工程を示す断面工程図。
実施形態の半導体装置の製造方法の一工程を示す断面工程図。
実施形態の半導体装置の変形例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
図１乃至図９を参照して、実施形態の半導体装置について、説明する。以下の説明において、同一の機能及び構成を有する要素については、同一符号を付す。また、以下の各実施形態において、末尾に区別化のための数字／英字を伴った参照符号を付された構成要素（例えば、回路、配線、各種の電圧及び信号など）が、相互に区別されなくとも良い場合、末尾の数字／英字が省略された記載（参照符号）が用いられる。図面における構成要素の寸法及び比率は、必ずしも現実のものと同一とは限らない。
【０００８】
＜実施形態＞
（１）構成例
図１乃至図６を参照して、実施形態の半導体装置の構成例について、説明する。
【０００９】
図１は、本実施形態の半導体装置１の外観を示す鳥瞰図である。
【００１０】
図１に示されるように、実施形態の半導体装置１は、ベース基板１０、ケース２０、蓋３０Ａ，３０Ｂ及び複数のコネクタ２１９，３１９を含む。
（【００１１】以降は省略されています）

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