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公開番号2025011721
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-24
出願番号2023113995
出願日2023-07-11
発明の名称電子部品、放射線検出器、放射線撮像システム
出願人キヤノン株式会社
代理人弁理士法人近島国際特許事務所
主分類H10F 39/12 20250101AFI20250117BHJP()
要約【課題】厚みが小さい半導体基板と、半導体基板の強度を確保するための支持部材とを備える電子部品において、半導体基板の強度確保と、半導体基板とパッケージとの電気的接合の信頼性と、を両立できる技術が求められていた。
【解決手段】主面に垂直な方向から透視した時、半導体基板は第一領域と前記第一領域の外側に隣接する第二領域とを有し、第一領域において半導体基板は第一支持部材と第二支持部材のいずれとも重なっておらず、第二領域の少なくとも一部において、半導体基板は第一支持部材および第二支持部材の両方と重なっている。主面に垂直な方向から透視した時、第一領域の外側に、半導体基板と第一支持部材とを電気的に接続する第一接続部と、第一支持部材と第二支持部材とを電気的に接続する第二接続部とが設けられ、第一支持部材は、第一接続部と第二接続部とを電気的に接続する貫通電極を備える電子部品である。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
第一主面と第二主面とを有する半導体基板と、
第三主面と第四主面とを有し、前記半導体基板の前記第二主面の少なくとも一部を、前記第三主面の少なくとも一部が支持する第一支持部材と、
第五主面と第六主面とを有し、前記第一支持部材の前記第四主面の少なくとも一部を、前記第五主面の少なくとも一部が支持する第二支持部材と、を備える電子部品において、
前記第一主面に垂直な方向から前記電子部品を透視した時、
前記半導体基板は、第一領域と前記第一領域の外側に隣接する第二領域とを有し、
前記第一領域において、前記半導体基板は前記第一支持部材と前記第二支持部材のいずれとも重なっておらず、
前記第二領域の少なくとも一部において、前記半導体基板は前記第一支持部材および前記第二支持部材の両方と重なっており、
前記第一領域の外側に、前記半導体基板と前記第一支持部材とを電気的に接続する第一接続部と、前記第一支持部材と前記第二支持部材とを電気的に接続する第二接続部と、が設けられ、
前記第一支持部材は、前記第一接続部と前記第二接続部とを電気的に接続する貫通電極を備える、
ことを特徴とする電子部品。
続きを表示（約 970 文字）【請求項２】
前記半導体基板の前記第一領域の厚さは、１００μｍ以下である、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第一支持部材は、１００μｍ以上の厚さを有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項４】
前記第一接続部は、前記半導体基板の前記第一主面に設けられた導電体層と、前記第一支持部材の前記第三主面に設けられた導電体層と、を接続するワイヤを含む、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項５】
前記ワイヤは、樹脂に覆われている、
ことを特徴とする請求項４に記載の電子部品。
【請求項６】
前記第一接続部は、前記半導体基板の前記第二主面に設けられた導電体層と、前記第一支持部材の前記第三主面に設けられた導電体層と、を接続する導電部材を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項７】
前記第一接続部は、前記半導体基板の前記第二主面に設けられた導電体層と、前記第一支持部材の前記第三主面に設けられた導電体層と、が直接的に接合された接合部を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項８】
前記第二接続部は、前記第一支持部材の前記第四主面に設けられた導電体層と、前記第二支持部材の前記第五主面に設けられた導電体層と、を接続する導電部材を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項９】
前記第二接続部は、前記第一支持部材の前記第四主面に設けられた導電体層と、前記第二支持部材の前記第五主面に設けられた導電体層と、が直接的に接合された接合部を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１０】
前記半導体基板の主成分と前記第一支持部材の主成分は同一の材料であり、前記半導体基板と前記第二支持部材の主成分は異なる、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子部品。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品、放射線検出器、等に関する。
続きを表示（約 2,400 文字）【背景技術】
【０００２】
放射線を、シンチレータ（波長変換体）を介さずにＣＭＯＳイメージセンサ等の半導体素子で受光して放射線像を得る放射線検出器が知られている。係る放射線検出器では、放射線が半導体素子の深部にまで侵入するとクロストークや二次電子が発生して検出精度が低下するため、半導体基板を薄化することが行われる。半導体素子の基体である半導体基板を薄化すると、半導体基板の機械的強度は低下する。
【０００３】
特許文献１には、検出領域の少なくとも一部における半導体層の厚さが、周辺領域の厚さよりも小さい検出器が開示されている。半導体層の検出領域において、エネルギー線が入射する面と反対側の裏面に複数の溝を設け、画素間のクロストークを低減することが記載されている。また、薄い半導体層を厚い周辺領域で保持することで強度を確保することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１９－８７６４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体素子と、その搭載容器であるパッケージとを、ワイヤで電気的に接続し、封止樹脂で覆う方法が知られている。半導体素子、パッケージ、封止樹脂は互いに材質が異なるため線膨張係数に差異がある。このため、温度変化によりワイヤの接合部にテンションがかかり、接合信頼性が低下する場合があり得るが、特許文献１では、ワイヤの接合信頼性に対する具体的な検討はなされていない。
【０００６】
そこで、厚みが小さい半導体基板と、半導体基板の強度を確保するための支持部材とを備える電子部品において、半導体基板の強度確保と、半導体基板とパッケージとの電気的接合の信頼性と、を両立できる技術が求められていた。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の１つの態様は、第一主面と第二主面とを有する半導体基板と、第三主面と第四主面とを有し、前記半導体基板の前記第二主面の少なくとも一部を、前記第三主面の少なくとも一部が支持する第一支持部材と、第五主面と第六主面とを有し、前記第一支持部材の前記第四主面の少なくとも一部を、前記第五主面の少なくとも一部が支持する第二支持部材と、を備える電子部品において、前記第一主面に垂直な方向から前記電子部品を透視した時、前記半導体基板は、第一領域と前記第一領域の外側に隣接する第二領域とを有し、前記第一領域において、前記半導体基板は前記第一支持部材と前記第二支持部材のいずれとも重なっておらず、前記第二領域の少なくとも一部において、前記半導体基板は前記第一支持部材および前記第二支持部材の両方と重なっており、前記第一領域の外側に、前記半導体基板と前記第一支持部材とを電気的に接続する第一接続部と、前記第一支持部材と前記第二支持部材とを電気的に接続する第二接続部と、が設けられ、前記第一支持部材は、前記第一接続部と前記第二接続部とを電気的に接続する貫通電極を備える、ことを特徴とする電子部品である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、厚みが小さい半導体基板と、半導体基板の強度を確保するための支持部材とを備える電子部品において、半導体基板の強度確保と、半導体基板とパッケージとの電気的接合の信頼性と、を両立する技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
（ａ）実施形態１に係る電子部品の一例を平面視した模式図。（ｂ）図１（ａ）のＡ－ａ線に沿って電子部品を切断した断面を示す模式図。
図１（ｂ）の右側部分を抽出して拡大した部分拡大断面図。
（ａ）第一支持部材２０の第三主面２０１のうち、接着層４０Ａで被覆されていない部分を示す平面図。（ｂ）第一支持部材２０の第四主面２０２のうち、図３（ａ）の反対側の部分を示す平面図。（ｃ）第二支持部材３０の第五主面３０１のうち、図３（ｂ）の第四主面２０２と対向する部分を示す平面図。
（ａ）変形例の第一支持部材２０の第三主面２０１のうち、接着層４０Ａで被覆されていない部分を示す平面図。（ｂ）変形例の第一支持部材２０の第四主面２０２のうち、図４（ａ）の反対側の部分を示す平面図。（ｃ）第二支持部材３０の第五主面３０１のうち、図４（ｂ）の第四主面２０２と対向する部分を示す平面図。（ｄ）変形例の第一支持部材の内部構造を説明するため斜め方向から見た模式的な透視図。
（ａ）参考形態である電子部品１００Ｘを平面視した模式図。（ｂ）図５（ａ）のＡ－ａ線に沿って電子部品１００Ｘを切断した断面を示す模式図。
（ａ）実施形態２に係る電子部品の一例を平面視した模式図。（ｂ）図６（ａ）のＡ－ａ線に沿って切断した断面を示す模式図。
図６（ｂ）の右側部分を抽出して拡大した部分拡大断面図。
（ａ）実施形態３に係る電子部品の一例を平面視した模式図。（ｂ）図８（ａ）のＡ－ａ線に沿って切断した断面を示す模式図。
図８（ｂ）の右側部分を抽出して拡大した部分拡大断面図。
実施形態３の変形例の右側部分を抽出して拡大した部分拡大断面図。
実施形態４に係る放射線撮像装置、および当該放射線撮像装置を用いた放射線撮像システムを説明するための図。
実施形態５に係る放射線撮像システムである透過型電子顕微鏡システムを説明するための図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図面を参照して、本発明の実施形態である電子部品、等について説明する。尚、以下に示す実施形態は例示であり、例えば細部の構成については本発明の趣旨を逸脱しない範囲において当業者が適宜変更して実施をすることができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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