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公開番号2025008541
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-20
出願番号2023110787
出願日2023-07-05
発明の名称成膜装置
出願人日新電機株式会社
代理人弁理士法人 HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
主分類H05H 1/46 20060101AFI20250109BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】被処理物を効率良く加熱するとともに、真空容器における加熱部に近い部分及びアンテナの温度上昇を抑制する。
【解決手段】成膜装置(1)は、被処理物(W1)を内部に収容する真空容器(2)と、真空容器(2)の内部にプラズマ(P)を発生させるためのアンテナ(3)と、被処理物(W1)を加熱するヒーター(81)と、ヒーター(81)を内部に収容し、ヒーター(81)から真空容器(2)及びアンテナ(3)への輻射を抑制する輻射抑制部材(5)と、輻射抑制部材(5)の外部に設けられ、被処理物(W1)を保持するホルダー(8)と、を備える。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
被処理物に対して成膜を行う成膜装置であって、
前記被処理物を内部に収容する真空容器と、
前記真空容器の内部にプラズマを発生させるためのアンテナと、
前記被処理物を加熱する加熱部と、
前記加熱部を内部に収容し、前記加熱部から前記真空容器及び前記アンテナへの輻射を抑制する輻射抑制部材と、
前記輻射抑制部材の外部に設けられ、前記被処理物を保持するホルダーと、を備えることを特徴とする成膜装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記輻射抑制部材には、前記輻射抑制部材の内部に前記真空容器の外部からガスを導入するための導入口が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記輻射抑制部材には、前記導入口から導入されるガスを、前記輻射抑制部材の外部に噴出するための噴出口が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記加熱部、前記輻射抑制部材及び前記ホルダーの互いの相対位置が維持された状態で、前記アンテナと前記ホルダーとの間の距離を変更するように前記ホルダーを移動させる移動機構をさらに備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記真空容器の外壁に設けられるとともに、前記輻射抑制部材と接続されている開閉部であって、前記加熱部、前記輻射抑制部材及び前記ホルダーとの相対位置を維持しながら、前記真空容器の内部を開閉可能な開閉部をさらに備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記輻射抑制部材として、第１輻射抑制部材及び第２輻射抑制部材を備え、
前記ホルダーは、前記加熱部を内部に収容する前記第１輻射抑制部材の外部に設けられ、
前記第２輻射抑制部材は、前記ホルダー及び前記第１輻射抑制部材を内部に収容し、
前記アンテナは、前記第２輻射抑制部材の外部に配置されることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項７】
前記アンテナは、少なくとも２つの導体要素と、互いに隣り合う前記導体要素の間を絶縁する絶縁要素と、を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項８】
棒状に形成されている前記被処理物が、前記ホルダーから前記輻射抑制部材に向かう方向へ、前記加熱部よりも突出するように、前記ホルダーが前記被処理物を保持することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項９】
前記アンテナに流れる高周波電流の周波数は、１３．５６ＭＨｚまたはその倍数であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項１０】
前記被処理物に対して、炭素を成膜することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の成膜装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、真空容器内に配置された直線状のアンテナと、真空容器内に誘導結合型のプラズマを生成するための高周波をアンテナに印加する高周波電源と、を備え、プラズマを用いて真空容器内の基板に処理を施すプラズマ処理装置が開示されている。真空容器内には、基板を保持する基板ホルダーが設けられており、基板ホルダー内には、基板を加熱するヒーターが設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特許第６３４１３２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示のプラズマ処理装置では、基板を保持する基板ホルダー内にヒーターが設けられており、ヒーターからの熱が基板ホルダーを介して基板に伝導するため、基板を効率良く加熱する観点で改善の余地がある。
【０００５】
また、上記プラズマ処理装置では、ヒーターから真空容器及びアンテナへの輻射により真空容器及びアンテナの温度が上昇するため、真空容器及びアンテナの温度上昇を低減する観点でも改善の余地がある。本発明の一態様は、被処理物を効率良く加熱するとともに、真空容器における加熱部に近い部分及びアンテナの温度上昇を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る成膜装置は、被処理物に対して成膜を行う成膜装置であって、前記被処理物を内部に収容する真空容器と、前記真空容器の内部にプラズマを発生させるためのアンテナと、前記被処理物を加熱する加熱部と、前記加熱部を内部に収容し、前記加熱部から前記真空容器及び前記アンテナへの輻射を抑制する輻射抑制部材と、前記輻射抑制部材の外部に設けられ、前記被処理物を保持するホルダーと、を備える。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一態様によれば、被処理物を効率良く加熱するとともに、真空容器における加熱部に近い部分及びアンテナの温度上昇を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本発明の実施形態に係る成膜装置の構成を示す断面図である。
図１に示す成膜装置におけるアンテナの周囲の構成を示す図である。
図１に示す成膜装置が備えるホルダーの構造を説明するための図である。
本発明の変形例１に係る成膜装置の構成を示す断面図である。
本発明の変形例２に係る成膜装置の構成を示す断面図である。
本発明の変形例３に係る成膜装置の構成を示す断面図である。
本発明の変形例４に係る成膜装置の構成を示す図である。
本発明の変形例５に係る成膜装置の構成を示す図である。
本発明の変形例６に係る成膜装置の構成を示す図である。
本発明の変形例７に係る成膜装置の構成を示す図である。
本発明の変形例８に係る成膜装置の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図１は、本発明の実施形態に係る成膜装置１の構成を示す断面図である。図１において、アンテナ３の延伸方向をＸ軸方向、ホルダー８及びアンテナ３が並ぶ方向をＺ軸方向、Ｘ軸方向及びＺ軸方向の両方の方向に直交する方向をＹ軸方向とする。Ｘ軸方向及びＺ軸方向は互いに直交する方向である。ここで説明したＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向の定義については、他の図においても適用されるものとする。
【００１０】
＜成膜装置１の構成＞
成膜装置１は、誘導結合型のプラズマＰを用いたプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、被処理物Ｗ１に対して成膜を行うプラズマＣＶＤ装置である。被処理物Ｗ１は、例えば棒状に形成されているものであってもよく、螺旋形状に形成されるドリルまたはエンドミル等の工具である。また、被処理物Ｗ１は、例えば金属製材料を用いて構成されたものである。
（【００１１】以降は省略されています）

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