特許ウォッチ

公開番号2025008462
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-20
出願番号2023110657
出願日2023-07-05
発明の名称メモリシステム及び方法
出願人キオクシア株式会社
代理人弁理士法人スズエ国際特許事務所
主分類G06F 12/02 20060101AFI20250109BHJP(計算;計数)
要約【課題】記憶領域を有効に利用するメモリシステム及び方法を提供すること。
【解決手段】実施形態に係るメモリシステムは、不揮発性のメモリデバイスと、メモリデバイスに第1エラー訂正フレーム(ECCフレーム0)と第2エラー訂正フレーム(ECCフレーム1)とを書き込むコントローラと、を具備する。第1エラー訂正フレームと前記第2エラー訂正フレームは、重複領域(R4、R5)を含む。第1エラー訂正フレームの重複領域以外の領域は、第1データと第1エラー訂正データ(P0)を含む。第2エラー訂正フレームの重複領域以外の領域は、第2データと第2エラー訂正データ(P1)を含む。重複領域は、第1データ(D0)の一部分と、第2データ(D1)の一部分とを含む。
【選択図】図6
特許請求の範囲【請求項１】
不揮発性のメモリデバイスと、
前記メモリデバイスに第１エラー訂正フレームと第２エラー訂正フレームとを書き込むコントローラと、を具備し、
前記第１エラー訂正フレームと前記第２エラー訂正フレームは重複領域を含み、
前記第１エラー訂正フレームの前記重複領域以外の領域は、第１データと第１エラー訂正データを含み、
前記第２エラー訂正フレームの前記重複領域以外の領域は、第２データと第２エラー訂正データを含み、
前記重複領域は、前記第１データの一部分と、前記第２データの一部分とを含む、メモリシステム。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記第１エラー訂正フレームと前記第２エラー訂正フレームは固定長のサイズであり、
前記第１データのサイズは、第１可変長サイズであり、
前記第２データのサイズは、第２可変長サイズである、請求項１記載のメモリシステム。
【請求項３】
前記第２エラー訂正フレームは、前記第２データの一部分の先頭位置を示すヘッダをさらに含む、請求項１記載のメモリシステム。
【請求項４】
前記重複領域は、前記第２データの一部分の先頭位置を示すヘッダをさらに含む、請求項１記載のメモリシステム。
【請求項５】
前記第１データのサイズは、可変長サイズであり、
前記可変長サイズの最大値は、前記重複領域のサイズ以下である、請求項１記載のメモリシステム。
【請求項６】
前記コントローラは、圧縮回路を備え、１個以上の単位データを前記圧縮回路により圧縮し、１個以上の可変長の圧縮データを生成し、
前記第１データは、前記１個以上の可変長の圧縮データを含み、
前記１個以上の可変長の圧縮データの各々のサイズの最大値は、前記重複領域のサイズ以下である、請求項１記載のメモリシステム。
【請求項７】
前記第１データのサイズの最大値は、第１サイズであり、
前記第２データのサイズの最大値は、第２サイズと第３サイズの和であり、
前記第２サイズは、前記第１データのサイズと前記第１サイズとの差と、前記重複領域のサイズとの中の小さいサイズである、請求項１記載のメモリシステム。
【請求項８】
前記コントローラは、前記第１データと、前記第２データの一部分とに基づいて前記第１エラー訂正データを生成する、請求項１記載のメモリシステム。
【請求項９】
前記コントローラは、前記第１エラー訂正データと、前記第１データと、前記第２データの一部分とに基づいて前記第１データのエラー訂正処理を行う、請求項１記載のメモリシステム。
【請求項１０】
前記コントローラは、前記第１データと、前記第２データの一部分とに基づいて第３エラー訂正データを求め、
前記重複領域は、前記第３エラー訂正データを格納する、請求項１記載のメモリシステム。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、メモリシステム及び方法に関する。
続きを表示（約 2,400 文字）【背景技術】
【０００２】
メモリシステムは、データからエラー訂正のためのパリティを計算する。メモリシステムは、データとパリティとを含む一定サイズのＥｒｒｏｒＣｏｒｒｅｃｔｉｏｎＣｏｄｅ（ＥＣＣ）フレームを形成する。メモリシステムは、ＥＣＣフレームをメモリデバイスに書き込む。
【０００３】
メモリシステムは、可変長データをメモリデバイスに書き込むことがある。可変長データの一例は、圧縮データである。可変長データを書き込む際、可変長データのサイズによっては、ＥＣＣフレームが無効なデータを含む可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
米国特許出願公開第２０１１／１３１３４６号明細書
米国特許出願公開第２００８／４６６０８号明細書
米国特許出願公開第２０２２／４６１１４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、記憶領域を有効に利用するメモリシステム及び方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態に係るメモリシステムは、不揮発性のメモリデバイスと、メモリデバイスに第１エラー訂正フレームと第２エラー訂正フレームとを書き込むコントローラと、を具備する。第１エラー訂正フレームと前記第２エラー訂正フレームは、重複領域を含む。第１エラー訂正フレームの重複領域以外の領域は、第１データと第１エラー訂正データを含む。第２エラー訂正フレームの重複領域以外の領域は、第２データと第２エラー訂正データを含む。重複領域は、第１データの一部分と、第２データの一部分とを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
実施形態に係るメモリシステムの概略の一例を説明するための図。
実施形態に係るメモリシステムがデータを圧縮してメモリデバイスに書き込む場合のＥＣＣフレームの構成の比較例を説明するための図。
実施形態に係るメモリシステムがデータを圧縮してメモリデバイスに書き込む場合のＥＣＣフレームの構成の他の比較例を説明するための図。
実施形態に係るメモリシステムにおけるＥＣＣフレームの構成の一例を説明するための図。
実施形態に係るメモリシステムにおけるＥＣＣフレームの構成の他の例を説明するための図。
実施形態に係るメモリシステムにおけるＥＣＣフレームの構成の具体的なサイズの一例を説明するための図。
実施形態に係る情報処理システムの一例を説明するための図。
実施形態に係るアドレス変換テーブルの一例を説明するための図。
実施形態に係る書き込み処理の一例を説明するためのフローチャート。
実施形態に係る書き込み処理の一例を説明するためのフローチャート。
実施形態に係るＥＣＣフレームの作成の一例を説明するための図。
実施形態に係る読み出し処理の一例を説明するためのフローチャート。
第１実施形態に係るデータの伸張処理の一例を説明するための図。
第２実施形態に係るメモリシステムにおけるＥＣＣフレームの構成の具体的な一例を説明するための図である。
第３実施形態に係るメモリシステムにおけるＥＣＣフレームの構成の具体的な一例を説明するための図である。
第４実施形態において、４個の連続したＥＣＣフレームをシーケンシャルリードする動作の一例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して、実施形態を説明する。以下の説明は、実施形態の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、実施形態の技術的思想は、以下に説明する構成要素の構造、形状、配置、材質等に限定されるものではない。当業者が容易に想到し得る変形は、当然に開示の範囲に含まれる。説明をより明確にするため、図面において、各要素のサイズ、厚み、平面寸法又は形状等を実際の実施態様に対して変更して模式的に表す場合もある。複数の図面において、互いの寸法の関係や比率が異なる要素が含まれることもある。複数の図面において、対応する要素には同じ参照数字を付して重複する説明を省略する場合もある。いくつかの要素に複数の呼称を付す場合があるが、これら呼称の例はあくまで例示であり、これらの要素に他の呼称を付すことを否定するものではない。また、複数の呼称が付されていない要素についても、他の呼称を付すことを否定するものではない。なお、以下の説明において、「接続」は直接接続のみならず、他の要素を介した接続を含む場合もある。
【０００９】
図１は、第１実施形態に係るメモリシステム１０の概略の一例を説明するための図である。メモリシステム１０は、不揮発性のメモリデバイス１２を含む。不揮発性メモリの一例は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリである。メモリシステム１０には、ホスト（図１には示されない）との間でコマンド、データを転送するためのインタフェース１４が定義されている。
【００１０】
メモリデバイス１２は、複数のページを格納する。ページは、複数のＥＣＣフレームを含む。図１は、１ページが４個のＥＣＣフレームを含む例を示す。ＥＣＣフレームは、データとパリティを格納する。サイズの一例を次に示す。データのサイズは１０２４バイトであり、パリティのサイズは１１８バイトであり、ＥＣＣフレームのサイズは１１４２バイトであり、ページのサイズは４５６８バイトである。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許