特許ウォッチ

公開番号2025002104
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-09
出願番号2023102032
出願日2023-06-21
発明の名称中性子エネルギースペクトルの推定方法
出願人日本電信電話株式会社,国立大学法人北海道大学
代理人個人,個人
主分類G01T 3/00 20060101AFI20241226BHJP(測定;試験)
要約【課題】中性子エネルギースペクトルを簡便かつ安全に推定可能な技術を提供する。
【解決手段】測定装置が、既知の中性子エネルギースペクトルに依存するSEU(Single Event Upset)クロスセクションを持つ半導体メモリデバイスについて、推定対象の中性子エネルギースペクトルによるソフトエラー発生率を測定する第1のステップ(S102)と、推定装置が、前記推定対象の中性子エネルギースペクトルによる前記半導体メモリデバイスでのソフトエラー発生率の真値について、前記推定対象の中性子エネルギースペクトルの暫定値による前記半導体メモリデバイスでのソフトエラー発生率の暫定値との比較結果を基に、又は、相異なる複数の半導体メモリデバイスに係る複数のソフトエラー発生率の真値同士の比較結果を基に、前記推定対象の中性子エネルギースペクトルを推定計算する第2のステップ(S103)と、を行う。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
中性子エネルギースペクトルの推定方法において、
測定装置が、既知の中性子エネルギースペクトルに依存するＳＥＵ（Single Event Upset）クロスセクションを持つ半導体メモリデバイスについて、推定対象の中性子エネルギースペクトルによるソフトエラー発生率を測定する第１のステップと、
推定装置が、前記推定対象の中性子エネルギースペクトルによる前記半導体メモリデバイスでのソフトエラー発生率の真値について、前記推定対象の中性子エネルギースペクトルの暫定値による前記半導体メモリデバイスでのソフトエラー発生率の暫定値との比較結果を基に、又は、相異なる複数の半導体メモリデバイスに係る複数のソフトエラー発生率の真値同士の比較結果を基に、前記推定対象の中性子エネルギースペクトルを推定計算する第２のステップと、
を行う中性子エネルギースペクトルの推定方法。
続きを表示（約 360 文字）【請求項２】
前記第２のステップでは、
前記推定対象の中性子エネルギースペクトルの暫定値に対して前記ソフトエラー発生率の真値と暫定値との差を反映することにより、前記推定対象の中性子エネルギースペクトルを推定計算する請求項１に記載の中性子エネルギースペクトルの推定方法。
【請求項３】
前記第２のステップでは、
相異なる複数の半導体メモリデバイスに係る複数のソフトエラー発生率の真値について、一の真値で規格化したときのソフトエラー発生率比の大小関係を計算し、前記ソフトエラー発生率比の大小関係に一致するＳＥＵクロスセクションのエネルギー領域を探索し、前記エネルギー領域の中性子エネルギースペクトルが大きいと推定計算する請求項１に記載の中性子エネルギースペクトルの推定方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、中性子エネルギースペクトルの推定方法に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
中性子エネルギースペクトルの測定方法として、飛行時間法がある（非特許文献１）。飛行時間法では、中性子線が発生してから検出器に到達するまでの飛行時間に基づいて中性子エネルギースペクトルを測定する。
【０００３】
しきい値反応を利用した放射化法もある（非特許文献２）。放射化法では、中性子線を金属箔に照射して放射化させ、その放射化した金属箔の原子核が崩壊した際に放出される放射線を測定することにより、金属箔に照射された中性子線のエネルギースペクトルを測定する。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
A. Masuda、外12名、“Time-of-Flight Measurements for Low-Energy Components of 45-MeV Quasi-Monoenergetic High-Energy Neutron Field from 7Li(p,n) Reaction”、IEEE Transactions on Nuclear Science、vol.62、no.3、2015年6月、p.1295-p.1300
V. Suman、外7名、“Measurement of Neutron Energy Distributions From p+Be Reaction at 20 MeV Using Threshold Activation Foils“、IEEE Transactions on Nuclear Science、vol.63、no.4、2016年8月、p.2283-p.2292
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、中性子エネルギースペクトルを飛行時間法で測定する場合には、利用できる施設はパルス中性子源であり、世界的にも限られていた。また、高時間分解能で中性子を検出できる機器が必要であった。
【０００６】
中性子エネルギースペクトルを放射化法で測定する場合には、放射化した金属箔からの放射線を測定するために長い時間が掛かかっていた。また、測定のために放射化物を扱う性質上、被ばくのリスクが伴っていた。
【０００７】
本開示は、上記事情に鑑みてなされたものであり、中性子エネルギースペクトルを簡便かつ安全に推定可能な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の一態様の中性子エネルギースペクトルの推定方法は、中性子エネルギースペクトルの推定方法において、測定装置が、既知の中性子エネルギースペクトルに依存するＳＥＵ（Single Event Upset）クロスセクションを持つ半導体メモリデバイスについて、推定対象の中性子エネルギースペクトルによるソフトエラー発生率を測定する第１のステップと、推定装置が、前記推定対象の中性子エネルギースペクトルによる前記半導体メモリデバイスでのソフトエラー発生率の真値について、前記推定対象の中性子エネルギースペクトルの暫定値による前記半導体メモリデバイスでのソフトエラー発生率の暫定値との比較結果を基に、又は、相異なる複数の半導体メモリデバイスに係る複数のソフトエラー発生率の真値同士の比較結果を基に、前記推定対象の中性子エネルギースペクトルを推定計算する第２のステップと、を行う。
【発明の効果】
【０００９】
本開示によれば、中性子エネルギースペクトルを簡便かつ安全に推定可能な技術を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
図１は、本実施形態に係る推定システムの構成例を示す図である。
図２は、中性子エネルギースペクトルの強度推定方法を示す図である。
図３は、中性子エネルギースペクトルの強度推定方法の具体例を示す図である。
図４は、中性子エネルギースペクトルの形状推定方法を示す図である。
図５は、中性子エネルギースペクトルの形状推定方法の具体例を示す図である。
図６は、推定装置のハードウェア構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許