TOP特許意匠商標
特許ウォッチ Twitter
10個以上の画像は省略されています。
公開番号2025000218
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-07
出願番号2023099940
出願日2023-06-19
発明の名称塗布処理装置、塗布膜形成方法
出願人キオクシア株式会社
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H01L 21/027 20060101AFI20241224BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】薬液の消費量を削減しつつ塗布不良を低減させること。
【解決手段】実施形態の塗布処理装置は、塗布膜の形成対象の基板を保持して回転可能な回転台と、回転台に保持された基板の中央部である第1の吐出位置に第1の塗布液を吐出して第1の液膜を形成する第1の吐出部と、基板の第1の吐出位置よりも外側の第2の吐出位置に第2の塗布液を吐出して第2の液膜を形成する第2の吐出部と、基板の回転により基板の外側に向かって広がる第1及び第2の液膜の輪郭部を撮像可能な撮像装置と、撮像装置による撮像結果に基づいて、輪郭部間の距離が所定範囲となるように基板の回転速度、及び第2の吐出位置の少なくともいずれかを制御する制御装置と、を備える。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項1】
塗布膜の形成対象の基板を保持して回転可能な回転台と、
前記回転台に保持された前記基板の中央部である第1の吐出位置に第1の塗布液を吐出して第1の液膜を形成する第1の吐出部と、
前記基板の前記第1の吐出位置よりも外側の第2の吐出位置に第2の塗布液を吐出して第2の液膜を形成する第2の吐出部と、
前記基板の回転により前記基板の外側に向かって広がる前記第1及び第2の液膜の輪郭部を撮像可能な撮像装置と、
前記撮像装置による撮像結果に基づいて、前記輪郭部間の距離が所定範囲となるように前記基板の回転速度、及び前記第2の吐出位置の少なくともいずれかを制御する制御装置と、
を備える、
塗布処理装置。
続きを表示(約 1,300 文字)【請求項2】
前記制御装置は、
前記撮像結果に基づいて、前記第1及び第2の液膜の輪郭部間の距離を算出し、前記輪郭部間の距離が所定範囲内である場合に、前記輪郭部間の距離が所定範囲を維持するように前記基板の前記回転速度、及び前記第2の吐出位置の少なくともいずれかを制御する制御部、
を備える、
請求項1に記載の塗布処理装置。
【請求項3】
前記制御部は、
前記輪郭部間の距離が所定範囲を超える場合に、前記基板の回転数の制御を行わない、
請求項2に記載の塗布処理装置。
【請求項4】
前記制御装置は、
前記塗布膜が形成された前記基板についての、前記基板の前記回転速度と、前記第2の吐出位置と、前記輪郭部間の距離と、前記第1及び第2の液膜が前記基板を広がる速度と、前記塗布膜の形成状態を検査した検査結果と、を対応づけた参考情報を記憶する記憶部、をさらに備え、
前記制御部は、前記参考情報と、前記撮像結果と、に基づいて、前記輪郭部間の距離が所定範囲となるように前記基板の前記回転速度、及び前記第2の吐出位置の少なくともいずれかを制御する、
請求項2に記載の塗布処理装置。
【請求項5】
前記制御部はさらに、
前記参考情報に基づき、前記塗布膜の前記形成状態が所定条件を満たすときの前記基板の前記回転速度と、前記第2の吐出位置と、を前記第1及び第2の液膜の形成を開始するための条件として決定し、
前記参考情報に含まれる、前記第1及び第2の液膜が前記基板を広がる速度と、前記条件を用いて形成される前記第1及び第2の液膜の前記輪郭部を撮像した前記撮像結果と、に基づいて、前記輪郭部間の距離が所定範囲となるように、前記基板の回転速度、及び前記第2の吐出位置の少なくともいずれかを制御する、
請求項4に記載の塗布処理装置。
【請求項6】
前記撮像装置は、前記第1の吐出部及び前記第2の吐出部のそれぞれに備えられ、
前記第1の吐出部に備わる第1の撮像装置、及び前記第2の吐出部に備わる第2の撮像装置のそれぞれが、前記第1及び第2の液膜の前記輪郭部を撮像する、
請求項1に記載の塗布処理装置。
【請求項7】
前記撮像装置は、前記第1及び第2の液膜の前記輪郭部を撮像可能に1つ備えられている、
請求項1に記載の塗布処理装置。
【請求項8】
塗布膜の形成対象の基板を保持して回転可能な回転台に前記基板を保持させ、
前記基板の中央部である第1の吐出位置に第1の塗布液を吐出して第1の液膜を形成し、
前記基板の前記第1の吐出位置よりも外側の第2の吐出位置に第2の塗布液を吐出して第2の液膜を形成し、
前記基板の回転により前記基板の外側に向かって広がる前記第1及び第2の液膜の輪郭部を撮像装置により撮像し、
前記撮像装置による撮像結果に基づいて、前記輪郭部間の距離が所定範囲となるように前記基板の回転速度、及び第2の吐出位置の少なくともいずれかを制御することを含む、
塗布膜形成方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、塗布処理装置、塗布膜形成方法に関する。
続きを表示(約 1,700 文字)【背景技術】
【0002】
半導体装置の製造工程の1つに、基板上に薬液を塗布して塗布膜を形成する工程がある。基板の中央付近に供給された薬液は、回転により基板上に塗り広げられ、不要な薬液は基板外側へ排出される。このような工程において、薬液の消費量を削減するため、薬液の供給直前に基板上に溶剤を塗り広げることにより、薬液の流動性を高める処理を入れることがある。
【0003】
このとき、基板の外周部で溶剤が乾いてしまうことがある。そのため、基板の外周部における薬液の流動性が充分に高められず、塗布不良が生ずることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
特開2003-136010号公報
特開2013-214689号公報
特開2000-288458号公報
特開2010-40921号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
1つの実施形態は、薬液の消費量を削減しつつ塗布不良を低減可能な塗布処理装置、及び塗布膜形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
実施形態の塗布処理装置は、塗布膜の形成対象の基板を保持して回転可能な回転台と、前記回転台に保持された前記基板の中央部である第1の吐出位置に第1の塗布液を吐出して第1の液膜を形成する第1の吐出部と、前記基板の前記第1の吐出位置よりも外側の第2の吐出位置に第2の塗布液を吐出して第2の液膜を形成する第2の吐出部と、前記基板の回転により前記基板の外側に向かって広がる前記第1及び第2の液膜の輪郭部を撮像可能な撮像装置と、前記撮像装置による撮像結果に基づいて、前記輪郭部間の距離が所定範囲となるように前記基板の回転速度、及び前記第2の吐出位置の少なくともいずれかを制御する制御装置と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【0007】
実施形態1にかかる塗布処理装置に基板が載置された状態の一例を示す断面図。
実施形態1にかかる塗布処理装置に基板が載置された状態の一例を示す上面図。
実施形態1にかかる制御装置のハードウェア構成の一例を示すブロック図。
実施形態1にかかる制御装置の機能構成の一例を示すブロック図。
実施形態1にかかる制御装置が有するレシピテーブルの一例を示す図。
実施形態1にかかる記憶部に記憶される参考情報DBの一例を示す図。
実施形態1にかかる塗布膜形成処理の流れを説明するフローチャート。
実施形態1の処理部における塗布膜形成処理の流れについて説明する図。
実施形態1の変形例にかかる塗布処理装置に基板が載置された状態の一例を示す上面図。
実施形態2にかかる制御装置の機能構成の一例を示すブロック図。
実施形態2にかかる記憶部に記憶される参考情報DBの一例を示す図。
実施形態2にかかる塗布膜形成処理の流れを説明するフローチャート。
比較例の処理部における塗布膜形成処理の流れについて説明する図。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下に、実施形態につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態により、本発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるものあるいは実質的に同一のものが含まれる。
【0009】
(塗布処理装置の構成例)
図1は、実施形態1にかかる塗布処理装置1に基板Wが載置された状態の一例を示す断面図である。
【0010】
なお本明細書においては、塗布処理装置1の上下方向をZ方向とし、上方向をZの正方向とし、下方向をZの負方向とする。また、X方向は、塗布処理装置1内に搬入された基板Wの面に沿う方向である。また、X方向、及びZ方向は互いに交差する方向である。
(【0011】以降は省略されています)

この特許をJ-PlatPatで参照する
Flag Counter

関連特許

キオクシア株式会社
半導体装置
13日前
キオクシア株式会社
半導体装置
13日前
キオクシア株式会社
メモリシステム
13日前
キオクシア株式会社
半導体記憶装置
1日前
キオクシア株式会社
メモリデバイス
13日前
キオクシア株式会社
半導体記憶装置
27日前
キオクシア株式会社
半導体記憶装置
14日前
キオクシア株式会社
半導体記憶装置
1日前
キオクシア株式会社
半導体記憶装置
27日前
キオクシア株式会社
半導体記憶装置
1か月前
キオクシア株式会社
メモリデバイス
1か月前
キオクシア株式会社
メモリシステム
今日
キオクシア株式会社
情報処理装置および方法
13日前
キオクシア株式会社
半導体集積回路及び受信装置
1日前
キオクシア株式会社
半導体ウェハの温度測定方法
13日前
キオクシア株式会社
塗布処理装置、塗布膜形成方法
1日前
キオクシア株式会社
半導体装置およびその製造方法
1か月前
キオクシア株式会社
半導体装置およびその製造方法
13日前
キオクシア株式会社
半導体装置およびその製造方法
1か月前
キオクシア株式会社
半導体装置およびその製造方法
1日前
キオクシア株式会社
情報処理装置及び情報処理方法
1日前
キオクシア株式会社
半導体装置およびその製造方法
1日前
キオクシア株式会社
半導体記憶装置及びその製造方法
今日
キオクシア株式会社
半導体記憶装置およびその製造方法
今日
キオクシア株式会社
メモリコントローラ、メモリシステム
13日前
キオクシア株式会社
半導体装置および半導体装置の製造方法
1か月前
キオクシア株式会社
半導体装置および半導体装置の製造方法
今日
キオクシア株式会社
半導体装置、および半導体装置の製造方法
今日
キオクシア株式会社
半導体記憶装置及び半導体記憶装置の制御方法
2か月前
キオクシア株式会社
インプリント方法、及び半導体装置の製造方法
今日
キオクシア株式会社
半導体記憶装置および半導体記憶装置の製造方法
13日前
キオクシア株式会社
露光装置、露光方法、及び半導体装置の製造方法
13日前
キオクシア株式会社
メモリシステム
13日前
キオクシア株式会社
メモリーカード
1か月前
キオクシア株式会社
情報処理システム、情報処理方法、プログラム、および、記憶媒体
今日
キオクシア株式会社
メモリシステム、情報処理装置、情報処理システムおよびデータの再配置方法
20日前
続きを見る