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公開番号2025001395
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-08
出願番号2023100948
出願日2023-06-20
発明の名称インプリント方法、及び半導体装置の製造方法
出願人キオクシア株式会社
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H01L 21/027 20060101AFI20241225BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】欠陥を低減可能なインプリント方法、及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】実施形態のインプリント方法は、基板の中央領域に第1の光硬化性樹脂を塗布して第1の光硬化性樹脂の液膜を形成し、基板の外周領域に第2の光硬化性樹脂の液滴を配置し、第1、及び第2の光硬化性樹脂にテンプレートを押し当て、光を照射して第1、及び第2の光硬化性樹脂を硬化させ、第1、及び第2の光硬化性樹脂からテンプレートを離型して、基板にパターンを形成することを含む。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
基板の中央領域に第１の光硬化性樹脂を塗布して前記第１の光硬化性樹脂の液膜を形成し、
前記基板の外周領域に第２の光硬化性樹脂の液滴を配置し、
前記第１、及び第２の光硬化性樹脂にテンプレートを押し当て、
光を照射して前記第１、及び第２の光硬化性樹脂を硬化させ、
前記第１、及び第２の光硬化性樹脂から前記テンプレートを離型して、前記基板にパターンを形成することを含む、
インプリント方法。
続きを表示（約 1,200 文字）【請求項２】
前記第１の光硬化性樹脂の塗布は、スピンコート法を用い、
前記第２の光硬化性樹脂の液滴の配置は、インクジェット法を用いることを含む、
請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
前記第２の光硬化性樹脂の液滴を配置することは、
前記第１の光硬化性樹脂の塗布の後に、前記外周領域として前記第１の光硬化性樹脂の外側に前記第２の光硬化性樹脂の液滴を配置することを含む、
請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項４】
前記第１の光硬化性樹脂の周縁部の位置情報を取得し、
前記位置情報に基づいて、前記第２の光硬化性樹脂の液滴を配置することを含む、
請求項３に記載のインプリント方法。
【請求項５】
前記第１の光硬化性樹脂の液膜を形成することは、
前記第２の光硬化性樹脂の液滴の配置の後に、前記中央領域として前記第２の光硬化性樹脂の液滴の内側に前記第１の光硬化性樹脂を塗布することを含む、
請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項６】
前記第１の光硬化性樹脂の塗布前に、
前記第２の光硬化性樹脂に、前記第２の光硬化性樹脂を感光可能な波長領域の波長を有する光を照射することを含む、
請求項５に記載のインプリント方法。
【請求項７】
基板に転写されるテンプレートのパターンの被覆率に基づいて、前記基板における第１の光硬化性樹脂の液滴の配置位置を決定し、
前記第１の光硬化性樹脂を配置した前記基板に第２の光硬化性樹脂を塗布し、
前記第１及び第２の光硬化性樹脂に前記テンプレートを押し当て、
光を照射して前記第１、及び第２の光硬化性樹脂を硬化させ、
前記第１及び第２の光硬化性樹脂から前記テンプレートを離型して、前記基板に前記パターンを形成することを含む、
インプリント方法。
【請求項８】
前記基板に前記第２の光硬化性樹脂を塗布することは、
前記第１の光硬化性樹脂の液滴の配置後に、前記第１の光硬化性樹脂を含む前記基板に前記第２の光硬化性樹脂を塗布することを含む、
請求項７に記載のインプリント方法。
【請求項９】
前記第１の光硬化性樹脂の液滴を配置することは、
前記第２の光硬化性樹脂の塗布の後に、
前記第２の光硬化性樹脂を含む前記基板に前記第１の光硬化性樹脂の液滴を配置することを含む、
請求項７に記載のインプリント方法。
【請求項１０】
前記基板の、前記被覆率が所定の閾値以下となる箇所と対応する位置に、前記第１の光硬化性樹脂の液滴を配置する、
請求項７に記載のインプリント方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、インプリント方法、及び半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程においてインプリント処理が用いられることがある。インプリント処理では、基板の所定領域に形成されたレジスト層に、凹凸を備えるテンプレートがショットごとに押し当てられる。テンプレートの凹部にレジストが充填されることにより、レジスト層に凸部が形成される
【０００３】
例えば、所定領域のレジスト層の形成量が少ない場合、テンプレートの凹部にレジストが充分に充填されないことがある。また、基板とテンプレートとが接触し、剪断力によりアライメント動作が阻害されることがある。これらの結果、欠陥が生ずることがある。
【０００４】
一方で例えば、レジスト層が所定領域からはみ出して形成されている場合、テンプレートが押し当てられた際に、レジスト層によりテンプレートが汚染され、次の処理対象のショットに欠陥を生じさせることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０２２－４９８５３号公報
特開２０２２－１４４９３０号公報
特開２０２１－４４２９９号公報
特開２０１９－１３５７６０号公報
特開２０１７－１６２９２９号公報
特開２０１７－１１８０６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一つの実施形態は、欠陥を低減可能なインプリント方法、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態のインプリント方法は、基板の中央領域に第１の光硬化性樹脂を塗布して前記第１の光硬化性樹脂の液膜を形成し、前記基板の外周領域に第２の光硬化性樹脂の液滴を配置し、前記第１、及び第２の光硬化性樹脂にテンプレートを押し当て、光を照射して前記第１、及び第２の光硬化性樹脂を硬化させ、前記第１、及び第２の光硬化性樹脂から前記テンプレートを離型して、前記基板にパターンを形成することを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
実施形態１にかかるインプリント装置の構成例を示す図。
実施形態１にかかる半導体装置を製造する過程で得られるウェハの一例を示す図。
実施形態１にかかる半導体装置を製造する過程でウェハを形成する処理を示す図。
実施形態１にかかる半導体装置を製造する過程でウェハに第１のレジスト材の液膜を形成する工程を示す図。
実施形態１にかかる半導体装置を製造する過程でウェハに対して行われるインプリント処理を示す図。
実施形態１にかかる半導体装置を製造する過程でウェハに対して行われるインプリント処理を示す図。
実施形態１にかかる半導体装置を製造する過程で被加工膜を加工する処理を示す図。
実施形態１の変形例にかかる半導体装置を製造する過程でウェハに対して行われる処理を示す図。
実施形態２にかかるインプリント装置の構成例を示す図。
実施形態２にかかる被覆率マップの一例を示す模式図。
実施形態２にかかる半導体装置を製造する過程でウェハに対して行われる処理を示す図。
実施形態２の変形例にかかる半導体装置を製造する過程でウェハに対して行われる処理を示す図。
比較例にかかる半導体装置を製造する過程の一部を例示する図。
比較例にかかる半導体装置を製造する過程の一部を例示する図。
比較例にかかる半導体装置を製造する過程の一部を例示する図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、実施形態につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態により、本発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるものあるいは実質的に同一のものが含まれる。
【００１０】
［実施形態１］
以下、図１～図６を参照して、実施形態１について詳細に説明する。
（【００１１】以降は省略されています）

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