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公開番号2024180327
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-26
出願番号2024094328
出願日2024-06-11
発明の名称基板支持装置及び基板処理装置
出願人エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 21/683 20060101AFI20241219BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板に成膜される薄膜の膜特性を安定して均一化することができる基板支持装置及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る基板支持装置は、基板が載置されるサセプタと、サセプタに接続され、上下方向に延びるサセプタの中心軸回りにサセプタを回転させる移動機構と、を備え、移動機構は、さらに、中心軸と垂直な仮想の水平面が広がる方向にサセプタを移動させる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板が載置されるサセプタと、
前記サセプタに接続され、上下方向に延びる前記サセプタの中心軸回りに前記サセプタを回転させる移動機構と、を備え、
前記移動機構は、さらに、前記中心軸と垂直な仮想の水平面が広がる方向に前記サセプタを移動させる、
基板支持装置。
続きを表示（約 970 文字）【請求項２】
前記サセプタは、前記水平面が広がる方向の移動範囲の任意の位置で停止可能である、
請求項１に記載の基板支持装置。
【請求項３】
前記移動機構は、
内周に複数の歯が並んで配置される外歯車と、
外周に複数の歯が並んで配置され、前記外歯車と噛み合った状態で回転し、前記サセプタに接続される内歯車と、を有し、
前記内歯車の歯数は、前記外歯車の歯数よりも少ない、
請求項１に記載の基板支持装置。
【請求項４】
前記サセプタ上の任意の点は、前記仮想の水平面の面内でトロコイド曲線状の移動軌跡を描く、
請求項３に記載の基板支持装置。
【請求項５】
請求項１に記載の基板支持装置と、
前記サセプタを収容するチャンバーと、を備える、
基板処理装置。
【請求項６】
請求項３に記載の基板支持装置と、
前記サセプタを収容するチャンバーと、
前記サセプタを上下方向に移動させる昇降機構と、
前記昇降機構を駆動する駆動源と、を備える、
基板処理装置。
【請求項７】
前記外歯車及び前記内歯車は、前記チャンバーの外部に配置される、
請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記駆動源は、さらに、前記内歯車を回転駆動する、
請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記内歯車は、前記内歯車の歯車中心軸回りの回転方向が、前記歯車中心軸を中心とする１８０°以下の角度範囲で正転と逆転とを繰り返す、
請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記駆動源の回転駆動力を前記内歯車に伝達するギア機構を備え、
前記ギア機構は、
前記回転駆動力が入力される入力軸と、
前記入力軸に入力された前記回転駆動力が分岐して出力される複数の出力軸と、を有し、
前記サセプタ及び前記移動機構の組は、複数設けられ、
各前記組の前記移動機構の前記内歯車と、各前記出力軸とが、連結される、
請求項８に記載の基板処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板支持装置及び基板処理装置に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
基板処理装置は、基板を処理するために、例えば基板上に薄膜を成膜するために広く利用されている。ＣＶＤ装置は、膜成分を含む原料ガスの化学反応によって生成した物質を、被処理基板（例えば、シリコンウェハ）の表面に堆積させることによって薄膜を成膜する基板処理装置として知られている。ＣＶＤ装置としては、プラズマＣＶＤ装置が広く利用されている。プラズマＣＶＤ装置では、原料ガスをプラズマ状態とし、活性な励起分子、ラジカル、イオンを生成させることによって、化学反応を促進させる。プラズマＣＶＤ装置は、チャンバー内に、成膜処理対象のウェハを支持するウェハ支持装置が配置されている。この基板支持装置の上方には、原料ガスをチャンバーの内部に供給するためのシャワーヘッドが配置されている。そして、シャワーヘッドと基板支持装置の間に高周波（ＲＦ）の電圧を印加することによってプラズマを発生させる。
【０００３】
また、ウェハに成膜したＣＶＤ膜を、ＵＶ放射線を使用することで硬化させ、ウェハの熱履歴を減少させつつ製造プロセスをスピードアップすることが行われていてもよい。例えば、ＵＳ８２０３１２６Ｂ２に記載のＵＶ処理装置では、基板（ウェハ）上に高強度で均一性の高い露光を与えるパターンを発生させるため、硬化プロセス中にＵＶランプモジュール及び基板のうち少なくとも一方が回転する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＣＶＤ装置での成膜時には、チャンバー内の基板の各位置においてプラズマ密度、ポンピング効率、ガス拡散などの分布にバラつきが生じる。このため、基板に成膜される薄膜の膜特性を均一化することが難しい。そこで、例えばＵＳ８２０３１２６Ｂ２に記載のＵＶ処理装置のように、基板支持装置を回転させることで、薄膜の膜特性を均一化することが考えられる。
【０００５】
しかしながら、プラズマ密度、ポンピング効率、ガス拡散などの分布が正規分布をとる場合、すなわち分布のピークが基板の中心部付近にある場合などにおいては、基板支持装置を基板中心軸回りに回転させても、成膜される薄膜の膜特性を基板径方向において均一化することはできない。
【０００６】
本発明は、基板に成膜される薄膜の膜特性を安定して均一化することができる基板支持装置及び基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明の概要は、概念の選択を簡略化した形で紹介するように提供される。これらの概念は、以下の開示の例示の実施形態の詳細な説明において更に詳細に説明される。この発明の概要は、請求項に記載の主題の重要な特徴や本質的な特徴を特定することを意図するものではなく、請求項に記載の主題の範囲を限定するために使用されることも意図していない。
【０００８】
〔本発明の態様１〕
基板が載置されるサセプタと、前記サセプタに接続され、上下方向に延びる前記サセプタの中心軸回りに前記サセプタを回転させる移動機構と、を備え、前記移動機構は、さらに、前記中心軸と垂直な仮想の水平面が広がる方向に前記サセプタを移動させる、基板支持装置。
【０００９】
〔本発明の態様２〕
前記サセプタは、前記水平面が広がる方向の移動範囲の任意の位置で停止可能である、態様１に記載の基板支持装置。
【００１０】
〔本発明の態様３〕
前記移動機構は、内周に複数の歯が並んで配置される外歯車と、外周に複数の歯が並んで配置され、前記外歯車と噛み合った状態で回転し、前記サセプタに接続される内歯車と、を有し、前記内歯車の歯数は、前記外歯車の歯数よりも少ない、態様１または２に記載の基板支持装置。
（【００１１】以降は省略されています）

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