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公開番号2024179942
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-26
出願番号2023099287
出願日2023-06-16
発明の名称表示装置の製造装置
出願人株式会社ジャパンディスプレイ
代理人弁理士法人スズエ国際特許事務所
主分類H10K 71/00 20230101AFI20241219BHJP()
要約【課題】製造歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】一実施形態によれば、製造装置は、表示装置を製造するメイン製造ラインと、メイン製造ラインに接続されたサブラインと、を備え、メイン製造ラインは、前処理部と、下電極の上に有機層、上電極、及び、キャップ層を順に形成するための複数の蒸着チャンバーを有するインライン型の第1蒸着装置と、キャップ層の上に封止層の第1無機絶縁層を形成するための第1CVD装置と、第1無機絶縁層の厚さを低減するためのドライエッチング装置と、第1無機絶縁層の上に封止層の第2無機絶縁層を形成するための第2CVD装置と、を備え、サブラインは処理基板を搬送するための搬送経路としてメイン製造ラインとは別の迂回路を形成し、メイン製造ライン及びサブラインはループ状の搬送経路を形成している。
【選択図】図12
特許請求の範囲【請求項1】
下電極が形成された処理基板を搬送しながら表示装置を製造するメイン製造ラインと、
前記メイン製造ラインに接続されたサブラインと、を備え、
前記メイン製造ラインは、
前記処理基板に対して前処理を行う前処理部と、
前記前処理部に対して前記処理基板の搬送方向に沿った下流側に位置し、前記下電極の上に有機層、上電極、及び、キャップ層を順に形成するための複数の蒸着チャンバーを有するインライン型の第1蒸着装置と、
前記第1蒸着装置の下流側に位置し、前記キャップ層の上に封止層の第1無機絶縁層を形成するための少なくとも1つの第1CVD装置と、
前記第1CVD装置の下流側に位置し、前記第1無機絶縁層の厚さを低減するための少なくとも1つのドライエッチング装置と、
前記ドライエッチング装置の下流側に位置し、前記第1無機絶縁層の上に封止層の第2無機絶縁層を形成するための少なくとも1つの第2CVD装置と、を備え、
前記サブラインは、前記処理基板を搬送するための搬送経路として、前記メイン製造ラインとは別の迂回路を形成し、
前記メイン製造ライン及び前記サブラインは、ループ状の搬送経路を形成している、
表示装置の製造装置。
続きを表示(約 2,300 文字)【請求項2】
前記第1CVD装置、前記ドライエッチング装置、及び、前記第2CVD装置は、前記サブラインに接続されている、請求項1に記載の表示装置の製造装置。
【請求項3】
前記サブラインは、前記前処理部と前記第1蒸着装置との間、及び、前記第1蒸着装置と前記第1CVD装置との間で、前記メイン製造ラインに接続されている、請求項1に記載の表示装置の製造装置。
【請求項4】
前記メイン製造ラインは、さらに、
前記下電極の上に前記有機層、前記上電極、及び、前記キャップ層を形成するための複数の蒸着チャンバーを有するインライン型の第2蒸着装置と、
前記第1蒸着装置及び前記第2蒸着装置の上流側に接続され、且つ、前記サブラインに接続された第1ローテーションチャンバーと、
前記第1蒸着装置及び前記第2蒸着装置の下流側に接続され、且つ、前記サブラインに接続された第2ローテーションチャンバーと、を備えている、
請求項1に記載の表示装置の製造装置。
【請求項5】
前記メイン製造ラインは、さらに、
前記第1CVD装置に接続された第3ローテーションチャンバーと、
前記ドライエッチング装置に接続された第4ローテーションチャンバーと、
前記第2CVD装置に接続された第5ローテーションチャンバーと、を備えている、
請求項4に記載の表示装置の製造装置。
【請求項6】
前記メイン製造ラインは、さらに、
前記第2ローテーションチャンバーと前記第3ローテーションチャンバーとを接続する第1搬送チャンバーと、
前記第3ローテーションチャンバーと前記第4ローテーションチャンバーとを接続する第2搬送チャンバーと、
前記第4ローテーションチャンバーと前記第5ローテーションチャンバーとを接続する第3搬送チャンバーと、
第6ローテーションチャンバーと、
前記第5ローテーションチャンバーと前記第6ローテーションチャンバーとを接続する第4搬送チャンバーと、を備える、
請求項5に記載の表示装置の製造装置。
【請求項7】
前記メイン製造ラインは、さらに、
前記前処理部と前記第1ローテーションチャンバーとの間に接続され、前記前処理部において水平姿勢で搬送された前記処理基板の姿勢を垂直姿勢に変換する姿勢変換チャンバーを備え、
前記処理基板は、前記第1蒸着装置、前記第1CVD装置、前記ドライエッチング装置、及び、前記第2CVD装置において、垂直姿勢で搬送される、
請求項4に記載の表示装置の製造装置。
【請求項8】
前記サブラインは、
第7ローテーションチャンバーと、
第8ローテーションチャンバーと、
前記第1CVD装置に接続された第9ローテーションチャンバーと、
前記ドライエッチング装置に接続された第10ローテーションチャンバーと、
前記第2CVD装置に接続された第11ローテーションチャンバーと、
第12ローテーションチャンバーと、
前記第7ローテーションチャンバーと前記第8ローテーションチャンバーとを接続する第5搬送チャンバーと、
前記第8ローテーションチャンバーと前記第9ローテーションチャンバーとを接続する第6搬送チャンバーと、
前記第9ローテーションチャンバーと前記第10ローテーションチャンバーとを接続する第7搬送チャンバーと、
前記第10ローテーションチャンバーと前記第11ローテーションチャンバーとを接続する第8搬送チャンバーと、
前記第11ローテーションチャンバーと前記第12ローテーションチャンバーとを接続する第9搬送チャンバーと、
前記第1ローテーションチャンバーと前記第7ローテーションチャンバーとを接続する第10搬送チャンバーと、
前記第2ローテーションチャンバーと前記第8ローテーションチャンバーとを接続する第11搬送チャンバーと、
前記第6ローテーションチャンバーと前記第12ローテーションチャンバーとを接続する第12搬送チャンバーと、を備える、
請求項6に記載の表示装置の製造装置。
【請求項9】
前記第1蒸着装置は、
前記有機層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層、及び、電子注入層をそれぞれ形成するための第1乃至第7蒸着チャンバーと、
前記上電極を形成するための第8蒸着チャンバーと、
前記キャップ層として、第1透明層及び第2透明層をそれぞれ形成するための第9及び第10蒸着チャンバーと、を備える、
請求項1に記載の表示装置の製造装置。
【請求項10】
前記第1蒸着装置は、
前記有機層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、第1発光層、第2発光層、第3発光層、正孔ブロック層、電子輸送層、及び、電子注入層をそれぞれ形成するための第1乃至第9蒸着チャンバーと、
前記上電極を形成するための第10蒸着チャンバーと、
前記キャップ層として、第1透明層及び第2透明層をそれぞれ形成するための第11及び第12蒸着チャンバーと、を備え、
前記第4蒸着チャンバー、前記第5蒸着チャンバー、及び、前記第6蒸着チャンバーは、互いに異なる発光材料を放射する蒸着源を備えている、
請求項1に記載の表示装置の製造装置。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、表示装置の製造装置に関する。
続きを表示(約 2,300 文字)【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード(OLED)を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、薄膜トランジスタを含む画素回路と、画素回路に接続された下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極と、を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。
このような表示装置を製造するための製造装置において、製造歩留まりの低下の抑制といった要求がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2000-195677号公報
特開2004-207217号公報
特開2008-135325号公報
特開2009-32673号公報
特開2010-118191号公報
国際公開第2018/179308号
米国特許出願公開第2022/0077251号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の目的は、製造歩留まりの低下を抑制することが可能な表示装置の製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
一実施形態によれば、表示装置の製造装置は、
下電極が形成された処理基板を搬送しながら表示装置を製造するメイン製造ラインと、前記メイン製造ラインに接続されたサブラインと、を備え、前記メイン製造ラインは、前記処理基板に対して前処理を行う前処理部と、前記前処理部に対して前記処理基板の搬送方向に沿った下流側に位置し、前記下電極の上に有機層、上電極、及び、キャップ層を順に形成するための複数の蒸着チャンバーを有するインライン型の第1蒸着装置と、前記第1蒸着装置の下流側に位置し、前記キャップ層の上に封止層の第1無機絶縁層を形成するための少なくとも1つの第1CVD装置と、前記第1CVD装置の下流側に位置し、前記第1無機絶縁層の厚さを低減するための少なくとも1つのドライエッチング装置と、前記ドライエッチング装置の下流側に位置し、前記第1無機絶縁層の上に封止層の第2無機絶縁層を形成するための少なくとも1つの第2CVD装置と、を備え、前記サブラインは、前記処理基板を搬送するための搬送経路として、前記メイン製造ラインとは別の迂回路を形成し、前記メイン製造ライン及び前記サブラインは、ループ状の搬送経路を形成している。
【図面の簡単な説明】
【0006】
図1は、表示装置DSPの構成例を示す図である。
図2は、副画素SP1、SP2、SP3のレイアウトの一例を示す図である。
図3は、図2中のA-B線に沿う表示装置DSPの概略的な断面図である。
図4は、表示装置DSPの製造方法を説明するための図である。
図5は、表示装置DSPの製造方法を説明するための図である。
図6は、表示装置DSPの製造方法を説明するための図である。
図7は、表示装置DSPの製造方法を説明するための図である。
図8は、表示装置DSPの製造方法を説明するための図である。
図9は、表示装置DSPの製造方法を説明するための図である。
図10は、表示装置DSPの製造方法を説明するための図である。
図11は、表示素子20の一構成例を示す図である。
図12は、製造装置100の一構成例を示す図である。
図13は、蒸着装置ID1の一構成例を示す図である。
図14は、蒸着装置ID1の他の構成例を示す図である。
図15は、CVD装置及びドライエッチング装置の概要を示す図である。
図16は、製造装置100の他の構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0007】
一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0008】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を記載する。X軸に沿った方向を第1方向Xと称し、Y軸に沿った方向を第2方向Yと称し、Z軸に沿った方向を第3方向Zと称する。第3方向Zと平行に各種要素を見ることを平面視という。
【0009】
本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード(OLED)を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。
【0010】
図1は、表示装置DSPの構成例を示す図である。
表示装置DSPは、絶縁性の基板10の上に、画像を表示する表示領域DAと、表示領域DAよりも外側の周辺領域SAと、を有する表示パネルPNLを備えている。基板10は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
(【0011】以降は省略されています)

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