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公開番号2025001854
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-09
出願番号2023101575
出願日2023-06-21
発明の名称量子デバイス及び量子デバイス製造方法
出願人日本電気株式会社
代理人個人,個人
主分類H10N 60/01 20230101AFI20241226BHJP()
要約【課題】容量結合の変動を抑制できる量子デバイスを提供する。
【解決手段】量子デバイスは、第一方向に伸びている帯状パターンを含む量子ビットを備える第一チップと、第一方向と異なる第二方向に伸びている帯状の読み出しパッドを備える第二チップと、を備え、読み出しパッドは、帯状パターンと対向して交差している。
【選択図】図13
特許請求の範囲【請求項１】
第一方向に伸びている帯状パターンを含む量子ビットを備える第一チップと、
前記第一方向と異なる第二方向に伸びている帯状の読み出しパッドを備える第二チップと、
を備え、
前記読み出しパッドは、前記帯状パターンと対向して交差している
量子デバイス。
続きを表示（約 690 文字）【請求項２】
前記読み出しパッドが、前記帯状パターンと交差している平行な第一辺対と、前記帯状パターンと交差していない第二辺対と、を有する
請求項１に記載の量子デバイス。
【請求項３】
前記読み出しパッドの形状が、交差した重なり部分の幅を維持したまま、前記帯状パターンの幅方向両側に伸びている形状である
請求項１又は２に記載の量子デバイス。
【請求項４】
前記帯状パターンの形状が、交差した重なり部分の幅を維持したまま、前記読み出しパッドの幅方向両側に伸びている形状である
請求項１又は２に記載の量子デバイス。
【請求項５】
前記読み出しパッドの前記第二方向の長さが、前記帯状パターンの幅よりも大きい
請求項１又は２に記載の量子デバイス。
【請求項６】
前記帯状パターンと前記読み出しパッドとが、容量結合している
請求項１又は２に記載の量子デバイス。
【請求項７】
前記第二チップが、前記読み出しパッドの前記第二辺対から伸びている引き出し線をさらに備える
請求項２に記載の量子デバイス。
【請求項８】
帯状パターンを含む量子ビットを備える第一チップと、帯状の読み出しパッドを備える第二チップと、を準備し、
前記帯状パターンが伸びている第一方向と前記読み出しパッドが伸びている第二方向とが異なり、前記帯状パターンと前記読み出しパッドが対向して交差するように、前記第一チップと前記第二チップとを接合する
量子デバイス製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、量子デバイス及び量子デバイス製造方法に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
量子デバイスとして、量子ビットと読み出しパッドとを備えるデバイスが知られている。
例えば、特許文献１には、Ｘｍｏｎ（エックスモン）である超伝導キュビットのアレイを備える第一チップと、超伝導キュビットに容量結合するパッド要素のアレイを備える第二チップと、を備える量子デバイスが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特許第６８１０２８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示された各パッド要素は、対応するＸｍｏｎの中心上に位置合わせされている。
このため、例えば、Ｘｍｏｎの中心に対しパッド要素の位置がずれると、Ｘｍｏｎとパッド要素との容量結合の大きさが変動することがある。
【０００５】
本開示の目的は、上述の課題を解決する量子デバイス及び量子デバイス製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一態様に係る量子デバイスは、第一方向に伸びている帯状パターンを含む量子ビットを備える第一チップと、前記第一方向と異なる第二方向に伸びている帯状の読み出しパッドを備える第二チップと、を備え、前記読み出しパッドは、前記帯状パターンと対向して交差している。
【０００７】
本開示の一態様に係る量子デバイス製造方法は、帯状パターンを含む量子ビットを備える第一チップと、帯状の読み出しパッドを備える第二チップと、を準備し、前記帯状パターンが伸びている第一方向と前記読み出しパッドが伸びている第二方向とが異なり、前記帯状パターンと前記読み出しパッドが対向して交差するように、前記第一チップと前記第二チップとを接合する。
【発明の効果】
【０００８】
上記一態様によれば、容量結合の変動を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
第一実施形態に係る量子デバイスの断面図である。
図１のＩＩ部の拡大図である。
図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線断面図である。
第一実施形態に係る量子デバイスの動作を示す図である。
第一実施形態、及び量子デバイス製造方法の最小構成の実施形態に係る量子デバイス製造方法のフローチャートである。
比較例に係る量子ビットと読み出しパッドとの関係を示す図である。
第一実施形態に係る量子デバイスの作用及び効果の説明図である。
比較例に係る量子ビットと読み出しパッドとの関係を示す図である。
第二実施形態に係る量子デバイスの断面図である。
第三実施形態に係る量子デバイスの断面図である。
第四実施形態に係る量子デバイスの断面図である。
第五実施形態に係る量子デバイスの断面図である。
量子デバイスの最小構成の実施形態の量子デバイスの断面図である。
図１３のＸＩＶ－ＸＩＶ線断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本開示に係る各種実施形態について、図面を用いて説明する。
（【００１１】以降は省略されています）

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