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公開番号2025103059
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-09
出願番号2022090742
出願日2022-06-03
発明の名称半導体装置
出願人住友電気工業株式会社
代理人個人,個人
主分類H10D 30/66 20250101AFI20250702BHJP()
要約【課題】パッシベーション層とめっき層との間にボイドが生じることを抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、第1主面を有する基板と、前記第1主面の上に設けられる電極と、前記電極を覆うパッシベーション層と、を有し、前記パッシベーション層には、前記電極の第1領域を露出する開口部が形成されており、前記電極は、前記第1領域の外周部に、前記パッシベーション層に向かうにつれて前記第1主面に近づく方向に傾斜する傾斜面を有する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１主面を有する基板と、
前記第１主面の上に設けられる電極と、
前記電極を覆うパッシベーション層と、
を有し、
前記パッシベーション層には、前記電極の第１領域を露出する開口部が形成されており、
前記電極は、前記第１領域の外周部に、前記パッシベーション層に向かうにつれて前記第１主面に近づく方向に傾斜する傾斜面を有する、
半導体装置。
続きを表示（約 810 文字）【請求項２】
前記開口部の側壁面と前記第１主面とのなす角の角度と、前記傾斜面と前記第１主面とのなす角の角度との和は、７０°以上１１０°以下である、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記電極は、前記傾斜面を含む凹部を有する、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記電極の上に設けられるめっき層を有し、
前記第１主面から最も離れた位置における前記凹部の開口幅は、前記めっき層の厚さの０．１倍以上０．５倍以下である、
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記電極の上に設けられるめっき層を有し、
前記凹部の深さは、前記めっき層の厚さの０．０５倍以上０．５倍以下である、
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記基板の上に設けられる複数の層間絶縁膜を有し、
前記電極は、前記傾斜面を含む凸部を有し、
前記第１主面に垂直な方向から平面視したときに、前記凸部は前記層間絶縁膜を覆う位置に形成される、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記電極と前記パッシベーション層との第１境界と、前記第１主面に平行な方向に前記第１境界から５μｍだけ離れた前記傾斜面の第１位置とを結ぶ直線と、前記第１主面とのなす角の角度は、０°以上１０°以下である、
請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１主面に垂直な方向から平面視したときに、前記開口部は矩形状を有し、
前記傾斜面は、前記開口部の対向する二辺に対向する位置に設けられる、
請求項６に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記基板は炭化珪素基板である、
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置において、パッシベーション層に電極パッドを露出する開口部を形成し、露出する電極パッドの上にめっき層を形成する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２０１９／１２３８２６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の半導体装置においては、パッシベーション層とめっき層との間にボイドが発生する場合がある。
【０００５】
本開示は、パッシベーション層とめっき層との間にボイドが生じることを抑制できる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の半導体装置は、第１主面を有する基板と、前記第１主面の上に設けられる電極と、前記電極を覆うパッシベーション層と、を有し、前記パッシベーション層には、前記電極の第１領域を露出する開口部が形成されており、前記電極は、前記第１領域の外周部に、前記パッシベーション層に向かうにつれて前記第１主面に近づく方向に傾斜する傾斜面を有する。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、パッシベーション層とめっき層との間にボイドが生じることを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、第１実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
図２は、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
図３は、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
図４は、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その３）である。
図５は、第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その４）である。
図６は、第２実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
図７は、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
図８は、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
図９は、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その３）である。
図１０は、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その４）である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施するための形態について、以下に説明する。
【００１０】
［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。以下の説明では、同一又は対応する要素には同一の符号を付し、それらについて同じ説明は繰り返さない。
（【００１１】以降は省略されています）

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