TOP
|
特許
|
意匠
|
商標
特許ウォッチ
Twitter
他の特許を見る
公開番号
2024170887
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2024-12-11
出願番号
2023087639
出願日
2023-05-29
発明の名称
光電変換素子、電子機器、及び電源モジュール
出願人
株式会社リコー
代理人
個人
,
個人
主分類
H10K
30/50 20230101AFI20241204BHJP()
要約
【課題】低照度の光に対する優れた光電変換効率を有する光電変換素子を提供する。
【解決手段】下記一般式(1)で表される構造を有する高分子材料を含有する光電変換層を有する。
<com:Image com:imageContentCategory="Drawing"> <com:ImageFormatCategory>JPEG</com:ImageFormatCategory> <com:FileName>2024170887000018.jpg</com:FileName> <com:HeightMeasure com:measureUnitCode="Mm">58</com:HeightMeasure> <com:WidthMeasure com:measureUnitCode="Mm">140</com:WidthMeasure> </com:Image>
(ただし、上記一般式(1)中、R
1
、R
2
、R
3
、及びR
4
は、炭素数2以上20以下の、アルキル基、チオアルキル基及びアルコキシ基のいずれかを示し、R
1
とR
3
とが互いに異なる又はR
2
とR
4
とが互いに異なり、nは50以上1,000以下の整数を示し、X及びYはハロゲン又は水素を示す)
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
光電変換層を有する光電変換素子であって、
前記光電変換層が、下記一般式(1)で表される構造を有する高分子材料と、N型半導体材料とを含有することを特徴とする光電変換素子。
JPEG
2024170887000017.jpg
58
140
(ただし、上記一般式(1)中、R
1
、R
2
、R
3
、及びR
4
は、炭素数2以上20以下の、アルキル基、チオアルキル基及びアルコキシ基のいずれかを示し、R
1
とR
3
とが互いに異なる又はR
2
とR
4
とが互いに異なり、nは50以上1,000以下の整数を示し、X及びYは、ハロゲン又は水素を示す)
続きを表示(約 750 文字)
【請求項2】
前記一般式(1)のR
1
及びR
2
が炭素数2以上8以下のアルキル基である、請求項1に記載の光電変換素子。
【請求項3】
前記一般式(1)において、R
3
及びR
4
が炭素数16以上20以下のアルキル基である、請求項1から2のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項4】
前記一般式(1)において、R
1
及びR
3
並びにR
2
及びR
4
の少なくともいずれかの炭素数の差が、8以上14以下である、請求項1から2のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項5】
前記一般式(1)において、X及びYが水素である、請求項1から2のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項6】
前記一般式(1)において、Xがハロゲンであり、Yが水素である、請求項1から2のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項7】
前記N型半導体材料がフラーレン系N型半導体材料である、請求項1から2のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項8】
前記N型半導体材料が非フラーレン系N型半導体材料である、請求項1から2のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項9】
請求項1から2のいずれかに記載の光電変換素子と、前記光電変換素子と電気的に接続された装置と、を有することを特徴とする電子機器。
【請求項10】
請求項1から2のいずれかに記載の光電変換素子と、前記光電変換素子と電気的に接続された電源ICと、を有することを特徴とする電源モジュール。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、光電変換素子、電子機器、及び電源モジュールに関する。
続きを表示(約 1,600 文字)
【背景技術】
【0002】
近年、電子回路における駆動電力が非常に少なくなり、来たるIoT(Internet of Things)社会に向けて、微弱な電力(μWオーダー)でもセンサ等の様々な電子部品を駆動することができるようになった。さらに、センサの活用に際し、その場で発電し消費できる自立電源として、環境発電素子への応用が期待されており、その中でも光電変換素子は光があればどこでも発電できる素子として注目を集めている。
前記環境発電素子においては、蛍光灯やLEDランプなどの室内光で効率よく発電する素子がより求められている。一方で、低照度の光で高い光電変換効率を示す太陽電池は少なく、この中でも有機薄膜太陽電池は照度依存性が少ないことが知られている。
【0003】
しかしながら、従来の有機薄膜太陽電池は、光源として主に太陽光を対象として開発が進められており、低照度の光に対して高い光電変換効率を有する材料の報告は極めて少ない。
【0004】
これまでにP型有機半導体材料として、多種の共役高分子系P型有機半導体材料の開発が行なわれている(例えば、特許文献1参照)。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、低照度の光に対する優れた光電変換効率を有する光電変換素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
前記課題を解決するための手段としての本発明の光電変換素子は、光電変換層を有する光電変換素子であって、
前記光電変換層が、下記一般式(1)で表される構造を有する高分子材料と、N型半導体材料とを含有することを特徴とする。
JPEG
2024170887000002.jpg
58
140
(ただし、上記一般式(1)中、R
1
、R
2
、R
3
、及びR
4
は、炭素数2以上20以下の、アルキル基、チオアルキル基及びアルコキシ基のいずれかを示し、R
1
とR
3
とが互いに異なる又はR
2
とR
4
とが互いに異なり、nは50以上1,000以下の整数を示し、X及びYは、ハロゲン又は水素を示す)
【発明の効果】
【0007】
本発明によれば、低照度の光に対する優れた光電変換効率を有する光電変換素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
図1は、本発明に係る光電変換素子の層構成の一例を示す概略断面図である。
図2は、本発明に係る光電変換素子の他の層構成の一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
(光電変換素子)
前記光電変換素子としては、基板と、第一の電極と、電子輸送層と、光電変換層と、ホール輸送層と、第二の電極とを有し、更に必要に応じてその他の部材を有する。
本発明において「光電変換素子」とは、光エネルギーを電気エネルギーに変換する素子又は電気エネルギーを光エネルギーに変換する素子を表し、具体的には、太陽電池、フォトダイオードなどが挙げられる。
【0010】
以下、本発明に係る光電変換素子について、図面を参照しながら説明する。
なお、本発明は、以下に示す実施形態に限定されるものではなく、他の実施形態、追加、修正、削除などの当業者が想到することができる範囲内で変更することができ、いずれの態様においても本発明の作用及び効果を奏する限り、本発明の範囲に含まれるものである。
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPatで参照する
関連特許
東レ株式会社
有機EL表示装置
21日前
ホシデン株式会社
検知センサ
15日前
富士電機株式会社
半導体装置
9日前
株式会社東芝
計算装置
22日前
株式会社東芝
受光装置
1日前
株式会社東芝
計算装置
22日前
株式会社東芝
半導体装置
6日前
株式会社東芝
半導体装置
6日前
株式会社東芝
半導体装置
6日前
株式会社東芝
半導体装置
2日前
株式会社半導体エネルギー研究所
表示装置
27日前
TDK株式会社
電子部品
9日前
株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
20日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
21日前
キヤノン株式会社
受信装置
13日前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光デバイス
13日前
住友電気工業株式会社
半導体装置
20日前
三菱電機株式会社
半導体装置
8日前
日亜化学工業株式会社
発光素子
27日前
株式会社ソシオネクスト
半導体装置
17日前
東洋紡株式会社
光電変換素子およびその製造方法
7日前
日亜化学工業株式会社
発光素子
2日前
ルネサスエレクトロニクス株式会社
半導体装置
6日前
ルネサスエレクトロニクス株式会社
半導体装置
8日前
株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置の作製方法
20日前
キオクシア株式会社
半導体記憶装置
1日前
住友電気工業株式会社
半導体装置の製造方法
21日前
キヤノン株式会社
発光デバイス
20日前
日亜化学工業株式会社
発光装置の製造方法
16日前
保土谷化学工業株式会社
有機エレクトロルミネッセンス素子
9日前
日亜化学工業株式会社
発光装置の製造方法
10日前
キオクシア株式会社
半導体記憶装置
21日前
ローム株式会社
フォトダイオード
2日前
キオクシア株式会社
記憶装置
9日前
株式会社村田製作所
インダクタ素子及び集積回路
22日前
シチズン電子株式会社
発光装置
7日前
続きを見る
他の特許を見る