特許ウォッチ

公開番号2024169109
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-05
出願番号2023086312
出願日2023-05-25
発明の名称電気光学装置及び電子機器
出願人セイコーエプソン株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H10K 50/852 20230101AFI20241128BHJP()
要約【課題】電気光学装置において、色再現性の低下を抑える。
【解決手段】本発明の電気光学装置は、半透過型の第1電極と、第1反射層と、前記第1電極と前記第1反射層との間に設けられた第1画素電極と、第2反射層と、前記第1電極と前記第2反射層との間に設けられた第2画素電極と、前記第1電極と、前記第1画素電極及び前記第2画素電極と、の間に設けられた発光層と、前記第1画素電極と前記第1反射層との間に設けられた絶縁層と、を有する。前記絶縁層は、平面視で前記第1画素電極から前記第1画素電極と前記第2画素電極との間に延在する。前記絶縁層の前記発光層側の面は、平面視で前記第1画素電極と前記第2画素電極との間に、複数の段差を有する。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
半透過型の第１電極と、
第１反射層と、
前記第１電極と前記第１反射層との間に設けられた第１画素電極と、
第２反射層と、
前記第１電極と前記第２反射層との間に設けられた第２画素電極と、
前記第１電極と、前記第１画素電極及び前記第２画素電極と、の間に設けられた発光層と、
前記第１画素電極と前記第１反射層との間に設けられた絶縁層と、
を有し、
前記絶縁層は、平面視で前記第１画素電極から前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に延在し、
前記絶縁層の前記発光層側の面は、平面視で前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に、複数の段差を有する、
電気光学装置。
続きを表示（約 700 文字）【請求項２】
平面視で第１電極及び前記第１画素電極と重なる前記発光層は赤色光を発し、
平面視で第１電極と前記第２画素電極と重なる前記発光層は青色光を発する、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記絶縁層は、
前記第１画素電極と前記第１反射層との間に設けられ、平面視で前記第１画素電極から前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に延在する第１領域に設けられた第１光学距離調整層と、
前記第１光学距離調整層の前記第１画素電極側に設けられ、平面視で前記第１画素電極から前記第１領域よりも前記第２画素電極側に延在する第２領域に亘って設けられた第２光学距離調整層と、
を有する、
請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記絶縁層は、第１段差と、第２段差と、を有し、
前記第１段差は、平面視で前記第１画素電極と前記第２画素電極との中間位置よりも前記第１画素電極側に形成され、
前記第２段差は、平面視で前記中間位置よりも前記第２画素電極側に形成され、厚み方向で前記第１段差よりも前記第２反射層側に形成されている、
請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記絶縁層は、第１段差と、第２段差と、を有し、
前記第１段差及び前記第２段差は、平面視で前記第１反射層と前記第２反射層との間に設けられている、
請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５の何れか一項に記載の電気光学装置を備える、電子機器。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置及び電子機器に関する。
続きを表示（約 2,600 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ；ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｃｅｎｔ）素子や発光ポリマー素子等の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ；ＯｒｇａｎｉｃＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）と呼ばれる発光素子を用いた電気光学装置の開発が進められている。特許文献１には、複数のサブ画素が設けられた電気光学装置が開示されている。特許文献１に開示されている電気光学装置では、反射層と対向電極とによって、サブ画素毎に光共振構造が形成されている。特許文献１に開示されている電気光学装置の一部の赤色光を発するサブ画素には、第１の距離調節層及び第２の距離調節層が積層されている。他の一部の緑色光を発するサブ画素には、第２の距離調整層が積層されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１９－０２９１８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の特許文献１に開示されている電気光学装置では、赤色光を発するサブ画素と隣り合うサブ画素との間の領域において、第１の距離調節層及び第２の距離調節層とこれらの層と発光層を挟んで配置される対向電極との基板の厚み方向での間隔がサブ画素が配置されている領域での光学距離調整層と対向電極との間隔よりも局所的に減少する箇所があった。平面視において、前述のようにサブ画素の開口領域の周辺で局所的に発光層の膜厚が薄くなる箇所がある場合には、その箇所の抵抗は発光層が厚い箇所に比べて低くなり、陽極と陰極との間に電流が流れる。このことによって、サブ画素の開口領域の周辺領域で不要な周辺発光が生じる。周辺発光が発せられる箇所よりも素子基板側の領域には、当該箇所に隣り合うサブ画素の開口領域とは異なる層構造が設けられている。そのため、周辺発光の色光はサブ画素の開口領域から射出される３原色の何れかの色光とは異なる。特に、低階調の表示時では、周辺発光の量がサブ画素の開口領域に流れる電流による発光量に比べて無視できない量になると、周辺発光の色は例えば隣り合う複数のサブ画素の開口領域から射出される色同士が混ざった色になるため、電気光学装置の色再現性が低下するという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一つの態様の電気光学装置は、半透過型の第１電極と、第１反射層と、前記第１電極と前記第１反射層との間に設けられた第１画素電極と、第２反射層と、前記第１電極と前記第２反射層との間に設けられた第２画素電極と、前記第１電極と、前記第１画素電極及び前記第２画素電極と、の間に設けられた発光層と、前記第１画素電極と前記第１反射層との間に設けられた絶縁層と、を有する。前記絶縁層は、平面視で前記第１画素電極から前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に延在する。前記絶縁層の前記発光層側の面は、平面視で前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に、複数の段差を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
本発明の一実施形態の電気光学装置の構成を示す概略図である。
図１の電気光学装置の等価回路図である。
図１の電気光学装置の要部の平面図である。
図１の電気光学装置の要部の断面図である。
図１の電気光学装置の要部の製造工程を示す断面図である。
図１の電気光学装置の要部の製造工程を示す断面図である。
図１の電気光学装置の要部の製造工程を示す断面図である。
図１の電気光学装置の要部の製造工程を示す断面図である。
図１の電気光学装置の要部の製造工程を示す断面図である。
図１の電気光学装置の要部の製造工程を示す断面図である。
図１の電気光学装置の要部の製造工程を示す断面図である。
図１の電気光学装置の要部の製造工程を示す断面図である。
従来の電気光学装置の要部の平面図である。
従来の電気光学装置の要部の断面図である。
本発明の一実施形態の電子機器の概略図である。
本発明の一実施形態の電子機器の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。各図面では、各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を変えている場合がある。
【０００８】
［電気光学装置］
図１は、本実施形態の電気光学装置１の構成の一例を示す概略図である。図１に示すように、電気光学装置１は、複数のサブ画素Ｐｘを有する表示パネル１０と、表示パネル１０の動作を制御する制御回路２０と、を備える。サブ画素Ｐｘについては、図１に示されていないが、後に詳しく説明する。
【０００９】
制御回路２０には、図示略の上位装置によって、画像データＶｄｄが同期信号ＳＳに同期して供給される。画像データＶｄｄは、表示パネル１０の各々のサブ画素Ｐｘで表示されるべき階調レベルを規定するデジタルデータである。同期信号ＳＳは、垂直同期信号、水平同期信号、及びドットクロック信号等を含む信号である。制御回路２０は、同期信号ＳＳに基づいて、表示パネル１０の動作を制御するための制御信号Ｃｔｒを生成し、制御信号Ｃｔｒを表示パネル１０に対して供給する。制御回路２０は、画像データＶｄｄに基づいて、アナログの画像信号Ｖｉを生成し、画像信号Ｖｉを表示パネル１０に供給する。画像信号Ｖｉは、各々のサブ画素Ｐｘが画像データＶｄｄの指定する階調を表示するように、サブ画素Ｐｘが備える発光素子の輝度を規定する信号である。
【００１０】
表示パネル１０は、走査線１３と、データ線１４と、表示部１２と、駆動回路１１と、を備える。走査線１３は、Ｍ本設けられ、例えばＸ軸に沿って延在する。データ線１４は、（３×Ｎ）本設けられ、Ｘ軸に直交するＹ軸に沿って延在する。Ｍは１以上の自然数であり、Ｎは１以上の自然数である。表示部１２は、Ｍ本の走査線１３と（３×Ｎ）本のデータ線１４との交差位置に配置され、（Ｍ×３×Ｎ）個の画素回路１００を有する。駆動回路１１は、表示部１２を駆動する。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許