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公開番号2024177944
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-24
出願番号2023096368
出願日2023-06-12
発明の名称発光装置の製造方法
出願人日亜化学工業株式会社
代理人弁理士法人iX
主分類H01L 33/20 20100101AFI20241217BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】積層体へのダメージを低減しつつ容易に個片化することができる発光装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】発光装置の製造方法は、波長変換層と、前記波長変換層上に配置された透光層と、前記透光層上に配置された半導体層と、を有する積層体を準備する工程と、前記半導体層の一部を除去することにより、前記波長変換層上において前記半導体層を複数の半導体部に分離する工程と、前記半導体層の一部が除去された部分に沿って前記波長変換層を割断して、前記積層体を複数の発光装置に個片化する工程と、備える。
【選択図】図1L
特許請求の範囲【請求項１】
波長変換層と、前記波長変換層上に配置された透光層と、前記透光層上に配置された半導体層と、を有する積層体を準備する工程と、
前記半導体層の一部を除去することにより、前記波長変換層上において前記半導体層を複数の半導体部に分離する工程と、
前記半導体層の一部が除去された部分に沿って前記波長変換層を割断して、前記積層体を複数の発光装置に個片化する工程と、
備える発光装置の製造方法。
続きを表示（約 1,300 文字）【請求項２】
前記半導体層を複数の前記半導体部に分離する工程において、前記半導体層の前記一部をエッチングにより除去する請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体層を複数の前記半導体部に分離する工程において、前記透光層の一部も除去し、前記半導体層の一部が除去された部分において前記波長変換層を前記半導体層及び前記透光性から露出させる請求項１または２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体層を複数の前記半導体部に分離する工程において、前記半導体層の一部が除去された部分において前記透光層を前記半導体層から露出させて、
前記積層体を複数の発光装置に個片化する工程において、前記半導体層の一部が除去された部分に沿って前記透光層と前記波長変換層とを割断する請求項１または２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記積層体を準備する工程において、前記透光層は、前記波長変換層上に配置され、複数の誘電体層を有する第１透光層と、前記第１透光層上に配置された第２透光層とを有し、
前記半導体層を複数の前記半導体部に分離する工程において、前記半導体層の一部が除去された部分において前記第１透光層を前記半導体層及び前記第２透光層から露出させ、
前記積層体を複数の前記発光装置に個片化する工程において、前記半導体層の一部が除去された部分に沿って前記第１透光層と前記波長変換層とを割断する請求項１または２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記積層体を準備する工程において、前記複数の誘電体層のうち前記第２透光層に接する誘電体層の厚さを、前記複数の誘電体層のうち前記誘電体層以外の他の誘電体層のそれぞれの厚さよりも厚くする請求項５に記載の発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記半導体層を複数の前記半導体部に分離する工程において除去される前記半導体層の前記一部の厚さは、前記透光層の厚さよりも厚い請求項１または２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記積層体を準備する工程は、
第１基板と、前記第１基板上に配置された前記半導体層とを有するウェハを準備する工程と、
前記ウェハの前記第１基板を除去し、前記半導体層の第１面を露出させる工程と、
前記第１面上に前記透光層を形成する工程と、
前記透光層に前記波長変換層を接合する工程と、
を有する請求項１または２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記積層体を準備する工程は、前記ウェハにおける前記第１基板の反対側に位置する面側を第２基板に接合する工程をさらに有し、
前記ウェハと前記第２基板とを接合した後に、前記第１基板を除去する請求項８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記積層体を準備する工程は、前記半導体層の前記第１面を粗面化する工程をさらに有する請求項８に記載の発光装置の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体積層体を成長させた基板を剥離して半導体積層体の第１の面を露出させる工程と、露出した第１の面に蛍光体層を形成する工程と、第１の面に蛍光体層を形成した後に個片化する工程とを有する発光装置の製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１０－１４１１７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、積層体へのダメージを低減しつつ容易に個片化することができる発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、発光装置の製造方法は、波長変換層と、前記波長変換層上に配置された透光層と、前記透光層上に配置された半導体層と、を有する積層体を準備する工程と、前記半導体層の一部を除去することにより、前記波長変換層上において前記半導体層を複数の半導体部に分離する工程と、前記半導体層の一部が除去された部分に沿って前記波長変換層を割断して、前記積層体を複数の発光装置に個片化する工程と、備える。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、積層体へのダメージを低減しつつ容易に個片化することができる発光装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
第１実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
第２実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
第３実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
図３ＡにおけるＡ部の拡大断面図である。
第３実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
第３実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照し、実施形態について説明する。各図面中、同じ構成には同じ符号を付している。なお、各図面は、実施形態を模式的に示したものであるため、各部材のスケール、間隔若しくは位置関係などが誇張、又は部材の一部の図示を省略する場合がある。また、断面図として、切断面のみを示す端面図を示す場合がある。また、断面図において、半導体層の各層の境界を見やすくするために、半導体層の断面にはハッチングを付していない。
【０００９】
以下の説明において、実質的に同じ機能を有する構成要素は共通の参照符号で示し、説明を省略することがある。また、特定の方向又は位置を示す用語（例えば、「上」、「下」及びそれらの用語を含む別の用語）を用いる場合がある。しかしながら、それらの用語は、参照した図面における相対的な方向又は位置を分かり易さのために用いているに過ぎない。参照した図面における「上」、「下」等の用語による相対的な方向又は位置の関係が同一であれば、本開示以外の図面、実際の製品等において、参照した図面と同一の配置でなくてもよい。本明細書において「上」と表現する位置関係は、接している場合と、接していないが上方に位置している場合も含む。また、本明細書において、特定的な記載がない限り、部材が被覆対象を覆うとは、部材が被覆対象に接して被覆対象を直接覆う場合と、部材が被覆対象に非接触で被覆対象を間接的に覆う場合を含む。また、「平面視」とは、波長変換層上の半導体層を上から見た平面視をいうものとする。
【００１０】
［第１実施形態］
図１Ａ～図１Ｌを参照して、第１実施形態に係る発光装置１の製造方法について説明する。
（【００１１】以降は省略されています）

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