TOP
|
特許
|
意匠
|
商標
特許ウォッチ
Twitter
他の特許を見る
公開番号
2024167091
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2024-11-29
出願番号
2024080843
出願日
2024-05-17
発明の名称
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
出願人
住友化学株式会社
代理人
弁理士法人新樹グローバル・アイピー
主分類
G03F
7/004 20060101AFI20241122BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約
【課題】良好な解像度を有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式(I)で表される塩を含有する酸発生剤と、架橋剤とを含有するレジスト組成物。
<com:Image com:imageContentCategory="Drawing"> <com:ImageFormatCategory>TIFF</com:ImageFormatCategory> <com:FileName>2024167091000240.tif</com:FileName> <com:HeightMeasure com:measureUnitCode="Mm">62</com:HeightMeasure> <com:WidthMeasure com:measureUnitCode="Mm">150</com:WidthMeasure> </com:Image>
[式中、XはS又はI;R
1
、R
2
及びR
3
は其々ヒドロキシ基等]
【選択図】なし
特許請求の範囲
【請求項1】
式(I)で表される塩を含有する酸発生剤と、架橋剤とを含有するレジスト組成物。
TIFF
2024167091000229.tif
62
150
[式(I)中、
Xは、硫黄原子又はヨウ素原子を表す。
m10は、0又は1を表し、Xが硫黄原子の場合、m10は1であり、Xがヨウ素原子の場合、m10は0である。
R
1
、R
2
及びR
3
は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、-X
2
-R
10
又は-X
2
-L
10
-X
3
-R
10
を表す。
X
2
及びX
3
は、それぞれ独立に、*-CO-O-、*-O-CO-、*-O-CO-O-又は*-O-(但し、*は、Ar
1
、Ar
2
、Ar
3
、ベンゼン環又はL
10
との結合部位を表す。)を表す。
L
10
は、置換基を有してもよい炭素数1~28の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-SO
2
-又は-CO-に置き換わっていてもよい。
R
4
、R
5
及びR
6
は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数1~18の炭化水素基、-X
2
-R
10
又は-X
2
-L
10
-X
3
-R
10
を表し、該炭化水素基は、置換基を有してもよく、該炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-CO-、-S-又は-SO
2
-で置き換わっていてもよい。
R
7
、R
8
及びR
9
は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数1~18の炭化水素基、-X
2
-R
10
又は-X
2
-L
10
-X
3
-R
10
を表し、該炭化水素基は、置換基を有してもよく、該炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-CO-、-S-、-SO-又は-SO
2
-で置き換わっていてもよい。Xが硫黄原子の場合、R
7
とR
続きを表示(約 2,900 文字)
【請求項2】
A
1
が、*-X
01
-L
01
-又は*-L
01
-X
01
-であり、
A
2
が、*-X
02
-L
02
-又は*-L
02
-X
02
-であり、
A
3
が、*-X
03
-L
03
-又は*-L
03
-X
03
-であり、
X
01
、X
02
及びX
03
は、それぞれ独立に、-O-、-CO-、-S-又は-SO
2
-を表し、
L
01
、L
02
及びL
03
は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数1~18の炭化水素基(該炭化水素基は、置換基を有してもよく、該炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-CO-、-S-又は-SO
2
-で置き換わっていてもよい。)を表し、
*は、Ar
1
、Ar
2
又はAr
3
との結合部位を表す請求項1に記載のレジスト組成物。
【請求項3】
X
01
、X
02
及びX
03
が、それぞれ独立に、-O-又は-S-である請求項2に記載のレジスト組成物。
【請求項4】
L
01
、L
02
及びL
03
が、それぞれ独立に、単結合又は炭素数1~6のアルカンジイル基(該アルカンジイル基に含まれる-CH
2
-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。)である請求項2に記載のレジスト組成物。
【請求項5】
R
1
、R
2
、R
3
、R
7
、R
8
及びR
9
の少なくとも1つが、-X
2
-R
10
又は-X
2
-L
10
-X
3
-R
10
であり、
R
10
の酸不安定基が、式(1a)で表される基又は式(2a)で表される基である請求項1又は2に記載のレジスト組成物。
TIFF
2024167091000230.tif
21
56
[式(1a)中、R
aa1
、R
aa2
及びR
aa3
は、それぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基、炭素数2~8のアルケニル基、炭素数3~20の脂環式炭化水素基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表すか、又はR
aa1
及びR
aa2
は互いに結合してそれらが結合する炭素原子とともに炭素数3~20の脂環式炭化水素基を形成し、該アルキル基、該アルケニル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子を有してもよい。
*は結合部位を表す。]
TIFF
2024167091000231.tif
21
61
[式(2a)中、R
aa1’
及びR
aa2’
は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表し、R
aa3’
は、炭素数1~20の炭化水素基を表すか、又はR
aa2’
及びR
aa3’
は互いに結合してそれらが結合する-C-X
a
-とともに炭素数3~20の複素環基を形成し、該炭化水素基及び該複素環基に含まれる-CH
2
-は、-O-又は-S-で置き換わってもよく、該炭化水素基及び該複素環基は、ハロゲン原子を有してもよい。
X
a
は、酸素原子又は硫黄原子を表す。
*は結合部位を表す。]
【請求項6】
R
10
の酸不安定基が、式(2a)で表される基であり、
式(2a)で表される基が、以下のいずれかで表される基である請求項5に記載のレジスト組成物。
TIFF
2024167091000232.tif
43
121
[式中、R
aa1’
、X
a
及び*の符号は、式(2a)と同じ意味を表す。]
【請求項7】
Xが、硫黄原子である請求項1又は2に記載のレジスト組成物。
【請求項8】
Ar
1
、Ar
2
及びAr
3
が、それぞれ独立に、ベンゼン環、ナフタレン環、フラン環又はチオフェン環に由来する基である請求項1又は2に記載のレジスト組成物。
【請求項9】
R
1
、R
2
、R
3
、R
4
、R
5
、R
6
、R
7
、R
8
及びR
9
に含まれる酸不安定基の数の合計が3以上である請求項1又は2に記載のレジスト組成物。
【請求項10】
AI
-
が、式(I-A)で表されるアニオンである請求項1又は2に記載のレジスト組成物。
TIFF
2024167091000233.tif
15
87
[式(I-A)中、
L
b1
は、単結合又は置換基を有してもよい(nb1+1)価の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-CO-又は-SO
2
-で置き換わっていてもよい。
L
b2
は、単結合又は置換基を有してもよい炭素数1~24の2価の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-CO-又は-SO
2
-で置き換わっていてもよい。
Y
b1
は、置換基を有してもよいメチル基又は置換基を有してもよい炭素数3~24の環状炭化水素基を表し、該環状炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-CO-又は-SO
2
-で置き換わっていてもよい。
nb1は、1~6のいずれかの整数を表す。nb1が2以上のとき、複数の括弧内の基は互いに同一であっても異なっていてもよい。]
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体の微細加工に用いられるレジスト組成物及びレジストパターンの製造方法に関する。
続きを表示(約 2,900 文字)
【背景技術】
【0002】
特許文献1には、下記式で表される塩を含有する酸発生剤を含有するレジスト組成物が記載されている。
TIFF
2024167091000001.tif
54
102
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2021-175722号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明は、上記の塩を含有するレジスト組成物によって形成されたレジストパターンよりも、解像度が良好なレジストパターンを形成する塩を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明は、以下の発明を含む。
[1]式(I)で表される塩を含有する酸発生剤と、架橋剤とを含有するレジスト組成物。
TIFF
2024167091000002.tif
62
150
[式(I)中、
Xは、硫黄原子又はヨウ素原子を表す。
m10は、0又は1を表し、Xが硫黄原子の場合、m10は1であり、Xがヨウ素原子の場合、m10は0である。
R
1
、R
2
及びR
3
は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、-X
2
-R
10
又は-X
2
-L
10
-X
3
-R
10
を表す。
X
2
及びX
3
は、それぞれ独立に、*-CO-O-、*-O-CO-、*-O-CO-O-又は*-O-(但し、*は、Ar
1
、Ar
2
、Ar
3
、ベンゼン環又はL
10
との結合部位を表す。)を表す。
L
10
は、置換基を有してもよい炭素数1~28の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-SO
2
-又は-CO-に置き換わっていてもよい。
R
4
、R
5
及びR
6
は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数1~18の炭化水素基、-X
2
-R
10
又は-X
2
-L
10
-X
3
-R
10
を表し、該炭化水素基は、置換基を有してもよく、該炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-CO-、-S-又は-SO
2
-で置き換わっていてもよい。
R
7
、R
8
及びR
9
は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数1~18の炭化水素基、-X
2
-R
10
又は-X
2
-L
10
-X
3
-R
10
を表し、該炭化水素基は、置換基を有してもよく、該炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-CO-、-S-、-SO-又は-SO
2
-で置き換わっていてもよい。Xが硫黄原子の場合、R
【発明の効果】
【0006】
本発明の塩を使用したレジスト組成物を用いることにより、良好な解像度でレジストパターンを製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【0007】
本明細書において、「(メタ)アクリル系モノマー」とは、「アクリル系モノマー及びメタクリル系モノマーの少なくとも1種」を意味する。「(メタ)アクリレート」及び「(メタ)アクリル酸」等の記載も同様の意味を表す。本明細書中に記載する基において、直鎖構造と分岐構造の両方をとり得るものについては、そのいずれでもよい。炭化水素基等に含まれる-CH
2
-が-O-、-S-、-CO-又は-SO
2
-で置き換わる場合、各基において同様の例を適用するものとし、置き換わる前の炭素数を炭化水素基等の炭素数とする。「組み合わせた基」とは、例示した基を2種以上、それらの価数、結合形態等を適宜変更して結合させた基を意味する。「由来する」又は「誘導される」とは、その分子中に含まれる重合性C=C結合が重合により-C-C-基(単結合)となることを指す。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を含む。「酸不安定基」とは、脱離基を有し、酸(例えば、トリフルオロメタンスルホン酸等)との接触により脱離基が脱離して、親水性基(例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基等)を形成する基を意味する。「塩基不安定基」とは、脱離基を有し、塩基(例えば、トリメチルアミン等)との接触により脱離基が脱離して、親水性基(例えば、カルボキシ基又はヒドロキシ基等)を形成する基を意味する。各基は、置換基の数等によって、その基に含まれる任意の位置及び数の水素原子が結合手に置き換わることがある。置換基における炭素数は、被置換基の炭素数には含めない。
本明細書において、「レジスト組成物の固形分」とは、レジスト組成物の総量から、後述する溶剤(E)を除いた成分の合計を意味する。
【0008】
〔レジスト組成物〕
本発明のレジスト組成物は、式(I)で表される塩(以下「塩(I)」という場合がある)を含有する酸発生剤と、架橋剤とを含有する。
本発明のレジスト組成物は、さらに、樹脂、酸発生剤(以下、「酸発生剤(B)」という場合がある。)を含有していてもよく、樹脂を含まない分子レジストであってもよい。
本発明のレジスト組成物は、酸発生剤から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩等のクエンチャー(以下「クエンチャー(C)」という場合がある)をさらに含有することが好ましく、溶剤(以下「溶剤(E)」という場合がある)を含有することがより好ましい。
【0009】
〔酸発生剤〕
本発明のレジスト組成物は、酸発生剤として塩(I)を含む。
<式(I)で表される塩>
塩(I)は、正電荷を有する側の「カチオン(I)」と、負電荷を有する側の「アニオン(I)」を含む。
【0010】
(カチオン(I))
塩(I)のカチオン(I)は、式(I-C)で表されるカチオンである。
TIFF
2024167091000013.tif
62
150
[式(I-C)中、全ての符号は、それぞれ式(I)と同じ意味を表す。]
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPatで参照する
関連特許
住友化学株式会社
積層体
5日前
住友化学株式会社
偏光板
1か月前
住友化学株式会社
積層基板
1か月前
住友化学株式会社
積層基板
1か月前
住友化学株式会社
ゴム組成物
今日
住友化学株式会社
細胞チップ
5日前
住友化学株式会社
樹脂組成物
13日前
住友化学株式会社
抗ウイルス材
14日前
住友化学株式会社
アルミナ顆粒
1か月前
住友化学株式会社
除草剤組成物
1か月前
住友化学株式会社
除草剤組成物
1か月前
住友化学株式会社
電磁波反射構造体
28日前
住友化学株式会社
植物病害防除方法
1か月前
住友化学株式会社
植物病害防除方法
1か月前
住友化学株式会社
樹脂組成物成形体
13日前
住友化学株式会社
混合物の製造方法
1か月前
住友化学株式会社
組成物及び成形体
1か月前
住友化学株式会社
液溜構造を備える装置
1か月前
住友化学株式会社
偏光子、及び、偏光板
1か月前
住友化学株式会社
半導体部材の製造方法
6日前
住友化学株式会社
植物の代謝物含量調節剤
6日前
住友化学株式会社
窒化ガリウム単結晶基板
12日前
住友化学株式会社
昆虫細胞を拡大培養する方法
26日前
住友化学株式会社
フィルムの搬送方法及び製造方法
1か月前
住友化学株式会社
リチウム金属複合酸化物の製造方法
1か月前
住友化学株式会社
廃棄物処理設備および廃棄物処理方法
1か月前
住友化学株式会社
光学積層体の製造方法および光学積層体
27日前
住友化学株式会社
センサタンパク質の活性測定用細胞の製造方法
26日前
住友化学株式会社
添加剤造粒物、プラスチック組成物の製造方法
26日前
住友化学株式会社
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
1か月前
住友化学株式会社
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
1か月前
住友化学株式会社
メチルテトラプロールを用いる植物病害防除方法
1か月前
住友化学株式会社
着色樹脂組成物、カラーフィルタ、及び表示装置
1か月前
住友化学株式会社
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
5日前
住友化学株式会社
ビニル重合体製造装置およびビニル重合体の製造方法
7日前
住友化学株式会社
樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
1か月前
続きを見る
他の特許を見る