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公開番号2024156304
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-11-06
出願番号2023070660
出願日2023-04-24
発明の名称反射型マスクブランク、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
出願人AGC株式会社
代理人個人,個人
主分類G03F 1/24 20120101AFI20241029BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】吸収膜の開口パターンの加工精度を向上する、技術を提供すること。
【解決手段】反射型マスクブランクは、基板と、多層反射膜と、保護膜と、吸収膜と、ハードマスク膜と、をこの順番で有する。前記ハードマスク膜は、Y、Al、Hf及びPdから選択される少なくとも1つの元素X1を含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、多層反射膜と、保護膜と、吸収膜と、ハードマスク膜と、をこの順番で有する、反射型マスクブランクであって、
前記ハードマスク膜は、Ｙ、Ａｌ、Ｈｆ及びＰｄから選択される少なくとも１つの元素Ｘ１を含む、反射型マスクブランク。
続きを表示（約 820 文字）【請求項２】
前記ハードマスク膜の膜厚は１０ｎｍ以下である、請求項１に記載の反射型マスクブランク。
【請求項３】
前記ハードマスク膜は前記元素Ｘ１の化合物を含み、前記元素Ｘ１の化合物はＯ、Ｎ、Ｂ、Ｈ及びＣから選択される少なくとも１つの元素を含む、請求項１又は２に記載の反射型マスクブランク。
【請求項４】
前記ハードマスク膜は前記元素Ｘ１の化合物を含み、前記元素Ｘ１の化合物はＲｕ及びＣｒから選択される少なくとも１つの元素を含む、請求項１又は２に記載の反射型マスクブランク。
【請求項５】
前記吸収膜は、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｏｓ及びＲｕから選択される少なくとも１つの元素を含む、請求項１又は２に記載の反射型マスクブランク。
【請求項６】
前記保護膜は、Ｒｕ、Ｒｈ及びＳｉから選択される少なくとも１つの元素を含有する、請求項１又は２に記載の反射型マスクブランク。
【請求項７】
前記保護膜は、Ｒｈを含有する、請求項１又は２に記載の反射型マスクブランク。
【請求項８】
前記保護膜は下層及び上層を有する多層膜であって、上層はＲｈを含む、請求項１又は２に記載の反射型マスクブランク。
【請求項９】
基板の上に多層反射膜と保護膜と吸収膜とハードマスク膜とをこの順番で成膜することを有し、
前記ハードマスク膜は、Ｙ、Ａｌ、Ｈｆ及びＰｄから選択される少なくとも１つの元素Ｘ１を含む、反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項１０】
請求項１又は２に記載の反射型マスクブランクを準備することと、
前記ハードマスク膜に開口パターンを形成することと、
前記吸収膜に開口パターンを形成することと、
をこの順番で有する、反射型マスクの製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、反射型マスクブランク、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、極端紫外線（ＥＵＶ：Extreme Ultra-Violet）を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィー（ＥＵＶＬ）が開発されている。ＥＵＶとは、軟Ｘ線及び真空紫外線を含み、具体的には波長が０．２ｎｍ～１００ｎｍ程度の光のことである。現時点では、１３．５ｎｍ程度の波長のＥＵＶが主に検討されている。
【０００３】
ＥＵＶＬでは、反射型マスクが用いられる。反射型マスクは、ガラス基板などの基板と、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、多層反射膜を保護する保護膜と、ＥＵＶ光を吸収する吸収膜と、をこの順で有する。吸収膜は、ＥＵＶ光を吸収するだけではなく、ＥＵＶ光の位相をシフトしてもよい。つまり、吸収膜は、位相シフト膜であってもよい。吸収膜には、開口パターンが形成される。ＥＵＶＬでは、吸収膜の開口パターンを半導体基板などの対象基板に転写する。転写することは、縮小して転写することを含む。
【０００４】
特許文献１に記載の反射型マスクブランクは、基板と多層反射膜と保護膜と吸収膜とハードマスク膜に相当するエッチングマスク膜とレジスト膜をこの順番で備える。吸収膜は、イリジウム（Ｉｒ）と添加元素とを含む。エッチングマスク膜は、クロム（Ｃｒ）と添加元素とを含む。Ｃｒに対する添加元素は、Ｏ、Ｎ、Ｃ、Ｂ及びＨから選択される少なくとも１つである。エッチングマスク膜の材料として、ＣｒＮ、ＣｒＯ、ＣｒＣ、ＣｒＯＮ、ＣｒＯＣ、ＣｒＣＮ、及びＣｒＯＣＮが例示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
国際公開第２０２２／１３８３６０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
反射型マスクの製造方法は、レジスト膜の開口パターンをハードマスク膜に転写することと、ハードマスク膜の開口パターンを吸収膜に転写することと、を有する。ハードマスク膜の加工には第１エッチングガスが用いられ、吸収膜の加工には第２エッチングガスが用いられる。
【０００７】
従来、ハードマスク膜と吸収膜は、その材料の組み合わせによっては、第２エッチングガスに対する選択比が不十分であった。そこで、吸収膜の加工時にその加工時間を確保すべく、ハードマスク膜を厚くすることが考えられる。
【０００８】
ハードマスク膜を厚くすると、ハードマスク膜の加工時にその加工時間が延びる。従来、時間の経過とともにレジスト膜の線幅が細くなることがあった。これは、ハードマスク膜の加工時に、酸素ラジカルがレジスト膜の開口の側面をエッチングするからである。
【０００９】
ハードマスク膜の加工時に時間の経過とともにレジスト膜の線幅が細くなると、ハードマスク膜の開口の側面が傾斜してしまう。そのような開口を有するハードマスク膜を用いて吸収膜を加工すると、吸収膜の開口の側面も傾斜してしまう。
【００１０】
本開示の一態様は、吸収膜の開口パターンの加工精度を向上する、技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
（【００１１】以降は省略されています）

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