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公開番号2024136642
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-04
出願番号2023047813
出願日2023-03-24
発明の名称基板および半導体装置
出願人住友ベークライト株式会社
代理人個人
主分類H01L 23/36 20060101AFI20240927BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板における、金属部のパターン設計の自由度を向上する。
【解決手段】絶縁性を有するベース20板と、ベース板20に設けられていて一面に半導体素子が搭載される、少なくとも一つの金属部30と、を有し、少なくとも一つの金属部30は、一面に、第1面31および第2面32を有し、第1面31のベース板20からの距離は、第2面32のベース板20からの距離より小さく、第1面31および第2面32がベース板20に対してなす角度は、20°以下である、基板。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
絶縁性を有するベース板と、
前記ベース板に設けられていて、一面に半導体素子が搭載される、少なくとも一つの金属部と、
を有し、
前記金属部は、
前記一面に、第１面および第２面を有し、前記第１面の前記ベース板からの距離は、前記第２面の前記ベース板からの距離より小さく、
前記第１面および前記第２面が前記ベース板に対してなす角度は、２０°以下である、基板。
続きを表示（約 970 文字）【請求項２】
前記第１面には、前記半導体素子が搭載される、
請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記第２面に搭載される前記半導体素子の一部が前記第１面と重なり、
前記第１面には、前記第２面に搭載される前記半導体素子を固定するための、固定材が配置される、
請求項１に記載の基板。
【請求項４】
前記金属部は、銅またはアルミの少なくとも一方を含む、
請求項１または２に記載の基板。
【請求項５】
前記第１面の前記ベース板からの距離は、１００μｍ以上１０００μｍ以下であり、
前記第２面の前記ベース板からの距離は、３００μｍ以上１５００μｍ以下である、
請求項１または２に記載の基板。
【請求項６】
前記第１面の前記ベース板からの距離をａとした場合、
前記第２面の前記ベース板からの距離は、１．２ａ以上１５．０ａ以下である、
請求項１または２に記載の基板。
【請求項７】
前記金属部は、第３の面をさらに有し、
前記第２面の前記ベース板からの距離は、前記第３面の前記ベース板からの距離よりも小さい、
請求項１または２に記載の基板。
【請求項８】
前記第１面には、第１半導体素子が搭載され、
前記第２面には、第２半導体素子が搭載され、
前記第１半導体素子の高さは、前記第２半導体素子の高さよりも大きい、
請求項７に記載の基板。
【請求項９】
前記第１面の前記ベース板からの距離は、１００μｍ以上８００μｍ以下であり、
前記第２面の前記ベース板からの距離は、３００μｍ以上１０００μｍ以下であり、
前記第３面の前記ベース板からの距離は、５００μｍ以上１５００μｍ以下である、
請求項７に記載の基板。
【請求項１０】
前記第１面の前記ベース板からの距離をａとした場合、
前記第２面の前記ベース板からの距離は、１．２ａ以上１０．０ａ以下
前記第３面の前記ベース板からの距離は、１．５ａ以上１５．０ａ以下である、
請求項７に記載の基板。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板および半導体装置に関する。
続きを表示（約 2,400 文字）【０００２】
ベース板と、ベース板に設けられる金属部とを有し、金属部に半導体素子が搭載される基板が知られている。上記の基板は、金属部により載置された半導体素子を効率的に放熱させることができる。例えば、特許文献１には、セラミックス基板の一方の面に回路層が形成され、他方の面に金属層が形成された絶縁回路基板と、金属層のセラミックス基板とは反対側の面に配置され、一方の面に複数のフィンを有するヒートシンクとを備えたヒートシンク付き絶縁回路基板の製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－１３９１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の基板には、金属部のパターン設計の自由度向上の観点で、改善の余地があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によれば、以下に示す基板および半導体装置が提供される。
【０００６】
［１］
絶縁性を有するベース板と、
前記ベース板に設けられていて、一面に半導体素子が搭載される、少なくとも一つの金属部と、
を有し、
前記金属部は、
前記一面に、第１面および第２面を有し、前記第１面の前記ベース板からの距離は、前記第２面の前記ベース板からの距離より小さく、
前記第１面および前記第２面が前記ベース板に対してなす角度は、２０°以下である、基板。
［２］
前記第１面には、前記半導体素子が搭載される、
［１］に記載の基板。
［３］
前記第２面に搭載される前記半導体素子の一部が前記第１面と重なり、
前記第１面には、前記第２面に搭載される前記半導体素子を固定するための、固定材が配置される、
［１］に記載の基板。
［４］
前記金属部は、銅またはアルミの少なくとも一方を含む、
［１］から［３］のいずれかに記載の基板。
［５］
前記第１面の前記ベース板からの距離は、１００μｍ以上１０００μｍ以下であり、
前記第２面の前記ベース板からの距離は、３００μｍ以上１５００μｍ以下である、
［１］から［４］に記載の基板。
［６］
前記第１面の前記ベース板からの距離をａとした場合、
前記第２面の前記ベース板からの距離は、１．２ａ以上１５．０ａ以下である、
［１］から［５］のいずれかに記載の基板。
［７］
前記金属部は、第３の面をさらに有し、
前記第２面の前記ベース板からの距離は、前記第３面の前記ベース板からの距離よりも小さい、
［１］から［６］のいずれかに記載の基板。
［８］
前記第１面には、第１半導体素子が搭載され、
前記第２面には、第２半導体素子が搭載され、
前記第１半導体素子の高さは、前記第２半導体素子の高さよりも大きい、
［７］に記載の基板。
［９］
前記第１面の前記ベース板からの距離は、１００μｍ以上８００μｍ以下であり、
前記第２面の前記ベース板からの距離は、３００μｍ以上１０００μｍ以下であり、
前記第３面の前記ベース板からの距離は、５００μｍ以上１５００μｍ以下である、
［７］または［８］に記載の基板。
［１０］
前記第１面の前記ベース板からの距離をａとした場合、
前記第２面の前記ベース板からの距離は、１．２ａ以上１０．０ａ以下
前記第３面の前記ベース板からの距離は、１．５ａ以上１５．０ａ以下である、
［７］から［９］のいずれかに記載の基板。
［１１］
絶縁性を有するベース板と、
前記ベース板に設けられていて、一面に半導体素子が搭載される、少なくとも一つの金属部と、
半導体素子と、
を有し、
前記金属部は、
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、基板における、金属部のパターン設計の自由度を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本実施形態に係る基板の第１例を基板に対して直角な方向から見た図である。
図１におけるＡ－Ａ´間の断面図である。
ベース板が凸部を含む場合の基板のＡ－Ａ´間の断面図である。
ベース板がベース部と絶縁層とを含む場合の基板のＡ－Ａ´間の断面図である。
金属部を形成する工程の概要を示す図である。
本実施形態に係る基板を用いた半導体装置の第一例を示す図である。
本実施形態に係る基板を用いた半導体装置の第二例を示す図である。
本実施形態に係る基板を用いた半導体装置の第三例を示す図である。
本実施形態に係る基板の変形例を基板に対して直角な方向から見た図である。
図９におけるＢ－Ｂ´間の断面図である。
変形例における基板に半導体素子を搭載してなる半導体装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ、詳細に説明する。
すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。なお、図面はあくまで説明用のものである。図面中の各部材の形状や寸法比などは、必ずしも現実の物品と対応するものではない。
【００１０】
本明細書中、数値範囲の説明における「ａ～ｂ」との表記は、特に断らない限り、ａ以上ｂ以下のことを表す。例えば、「１～５質量％」とは「１質量％以上５質量％以下」を意味する。
（【００１１】以降は省略されています）

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