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公開番号2024135050
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-04
出願番号2023045547
出願日2023-03-22
発明の名称高周波パッケージ
出願人三菱電機株式会社
代理人個人
主分類H01L 23/12 20060101AFI20240927BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】バイアス回路を含めた回路全体の小型化を可能とする高周波パッケージを得ること。
【解決手段】高周波パッケージ1は、回路パターンが形成された導体32a,32bを有する多層基板30と、多層基板30に実装されている高周波デバイス10と、ボンディングワイヤ20を介して高周波デバイス10に電気的に接続され、かつ多層基板30の導体32a,32bに接合されている薄膜集積回路基板40と、を備える。薄膜集積回路基板40は、誘電体基板41と、誘電体基板41のうち、多層基板30の方へ向けられる第1面と、第1面とは逆側の第2面と、第1面と第2面との間の面の1つである第3面とにわたって設けられている第1の導体と、誘電体基板の第1面に設けられている第2の導体と、を有する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
回路パターンが形成された導体を有する多層基板と、
前記多層基板に実装されている高周波デバイスと、
ボンディングワイヤを介して前記高周波デバイスに電気的に接続され、かつ前記多層基板の前記導体に接合されている薄膜集積回路基板と、を備え、
前記薄膜集積回路基板は、
誘電体基板と、
前記誘電体基板のうち、前記多層基板の方へ向けられる第１面と、前記第１面とは逆側の第２面と、前記第１面と前記第２面との間の面の１つである第３面とにわたって設けられている第１の導体と、
前記誘電体基板の前記第１面に設けられている第２の導体と、を有することを特徴とする高周波パッケージ。
続きを表示（約 440 文字）【請求項２】
前記第１の導体のうち前記第１面に設けられている部分は、前記多層基板の前記導体に接合されており、
前記第１の導体のうち前記第２面に設けられている部分には、前記ボンディングワイヤが接合されていることを特徴とする請求項１に記載の高周波パッケージ。
【請求項３】
前記第１の導体のうち前記第２面に設けられている部分の一部が、前記誘電体基板を挟んで前記第２の導体と向かい合わせられていることを特徴とする請求項１または２に記載の高周波パッケージ。
【請求項４】
前記薄膜集積回路基板は、
前記第２面に設けられており、前記誘電体基板を挟んで前記第２の導体と向かい合わせられている第３の導体と、
前記第２面のうち前記第１の導体と前記第３の導体との間の部分に設けられており、前記第１の導体と前記第３の導体とに電気的に接続されている抵抗体と、をさらに有することを特徴とする請求項１または２に記載の高周波パッケージ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、高周波デバイスを備える高周波パッケージに関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、多層基板に形成されたキャビティ内に高周波デバイスが設けられている高周波パッケージが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開平６－１５１６３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示されている高周波パッケージでは、回路が平面的に実装されていることから、高周波デバイスの動作安定化のためのバイアス回路といった搭載部品が増えるほど必要な実装面積が増えることとなり、回路全体が大きくなるという課題があった。
【０００５】
本開示は、上記に鑑みてなされたものであって、バイアス回路を含めた回路全体の小型化を可能とする高周波パッケージを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本開示にかかる高周波パッケージは、回路パターンが形成された導体を有する多層基板と、多層基板に実装されている高周波デバイスと、ボンディングワイヤを介して高周波デバイスに電気的に接続され、かつ多層基板の導体に接合されている薄膜集積回路基板と、を備える。薄膜集積回路基板は、誘電体基板と、誘電体基板のうち、多層基板の方へ向けられる第１面と、第１面とは逆側の第２面と、第１面と第２面との間の面の１つである第３面とにわたって設けられている第１の導体と、誘電体基板の第１面に設けられている第２の導体と、を有する。
【発明の効果】
【０００７】
本開示にかかる高周波パッケージは、バイアス回路を含めた回路全体の小型化が可能となるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
実施の形態１にかかる高周波パッケージの断面図
実施の形態１にかかる高周波パッケージに備えられる薄膜集積回路基板の構成を示す図
実施の形態１にかかる高周波パッケージに備えられる薄膜集積回路基板の等価回路を示す図
実施の形態１の変形例にかかる薄膜集積回路基板の構成を示す図
実施の形態１の変形例にかかる薄膜集積回路基板の等価回路を示す図
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、実施の形態にかかる高周波パッケージを図面に基づいて詳細に説明する。
【００１０】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１にかかる高周波パッケージ１の断面図である。高周波パッケージ１は、多層基板３０と、多層基板３０に実装された高周波デバイス１０と、ボンディングワイヤ２０と、薄膜集積回路基板４０と、を有する。高周波デバイス１０は、多層基板３０のうち凹ませた部分であるキャビティの内部に設けられている。薄膜集積回路基板４０は、多層基板３０に実装されており、ボンディングワイヤ２０を介して高周波デバイス１０に電気的に接続されている。
（【００１１】以降は省略されています）

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