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公開番号2025073494
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-13
出願番号2023184349
出願日2023-10-27
発明の名称半導体装置
出願人三菱電機株式会社
代理人弁理士法人高田・高橋国際特許事務所
主分類H01L 21/3205 20060101AFI20250502BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】本開示は半導体装置に関し、短絡耐量を改善できる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本開示の半導体製造装置は、表面に半導体素子が形成されている半導体基板と、表面の上に形成され、半導体素子に接続されている表面電極と、表面電極の上に形成された金属膜と、表面電極の上に形成され、金属膜の上に塗布された半田の広がりを抑制する抑制膜と、表面電極の上において金属膜及び抑制膜よりも外周側に形成され、金属膜よりも膜厚が厚く、抑制膜より熱伝導率が高い熱伝導膜とを備えるよう構成されている。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
表面に半導体素子が形成されている半導体基板と、
前記表面の上に形成され、前記半導体素子に接続されている表面電極と、
前記表面電極の上に形成された金属膜と、
前記表面電極の上に形成され、前記金属膜の上に塗布された半田の広がりを抑制する抑制膜と、
前記表面電極の上において前記金属膜及び前記抑制膜よりも外周側に形成され、前記金属膜よりも膜厚が厚く、前記抑制膜より熱伝導率が高い熱伝導膜と
を備える半導体装置。
続きを表示（約 680 文字）【請求項２】
前記熱伝導膜よりも外周側において前記表面電極の終端を覆う保護膜をさらに備え、
前記抑制膜は前記保護膜と同じ材料で形成されている
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記熱伝導膜の上に形成され、前記熱伝導膜とは異なる材料で形成された被覆膜を更に備える
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記熱伝導膜は、前記抑制膜よりも膜厚が厚い
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記熱伝導膜は、前記表面電極と同じ材料で形成されている
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記抑制膜は、平面視で前記金属膜の外周を囲むように前記表面電極の上に形成されている
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記抑制膜は、前記金属膜の外周領域の上に形成されている
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記保護膜は、平面視において四角形の枠状に形成され、
前記熱伝導膜は、前記保護膜の内周を形成する四角形における各辺の中央部に配置されている
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体素子はＲＣ－ＩＧＢＴである
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体素子はワイドバンドギャップ半導体により形成されている
請求項１に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置の導通領域の上に形成された表面電極の終端を保護膜で覆い、表面電極と外部電極を半田で接合する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特許４６４０３４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、保護膜の熱伝導率が低い場合、短絡耐量試験のような過負荷に伴って保護膜と導通領域の重複領域が発熱する。この発熱により重複領域における短絡耐量が低下する課題があった。
【０００５】
本開示は上述の問題を解決するため、短絡耐量を改善できる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示に係る半導体装置は、表面に半導体素子が形成されている半導体基板と、表面の上に形成され、半導体素子に接続されている表面電極と、表面電極の上に形成された金属膜と、表面電極の上に形成され、金属膜の上に塗布された半田の広がりを抑制する抑制膜と、表面電極の上において金属膜及び抑制膜よりも外周側に形成され、金属膜よりも膜厚が厚く、抑制膜より熱伝導率が高い熱伝導膜とを備える。
【発明の効果】
【０００７】
本開示により、半導体装置における短絡耐量を改善できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本開示の実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す上面図である。
本開示の実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
本開示の実施の形態２に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
本開示の実施の形態３に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
本開示の実施の形態４に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
本開示の実施の形態５に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
本開示の実施の形態６に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
本開示の実施の形態７に係る半導体装置の構成を示す上面図である。
本開示の実施の形態８に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施の形態１
【００１０】
図１は、本開示の実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す上面図である。半導体装置１００の中央部には第一領域１０１が設けられている。第一領域１０１は半田付けを行う領域である。
（【００１１】以降は省略されています）

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