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公開番号2024135343
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-04
出願番号2023045972
出願日2023-03-22
発明の名称半導体装置用基板
出願人マクセル株式会社
代理人個人
主分類H01L 21/48 20060101AFI20240927BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体装置用基板において、半導体素子が感応性の高いものであった場合でも、外部電極本体部の磁気が当該半導体素子に及ぼす悪影響をより小さく抑える。
【解決手段】外部電極3は、基板16の表面に形成される第3表面層7と、第3表面層7の表面に形成される外部電極本体部9と、外部電極本体部9の表面に形成される第4表面層13とを備える。外部電極3の外部電極本体部9は、非磁性のNi-Pで形成されており、当該Ni-Pの振幅比透磁率は4.0以下である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板（１６）の表面に、半導体素子（１）に接続される外部電極（３）が形成されている半導体装置用基板であって、
外部電極（３）は、基板（１６）の表面に形成される第３表面層（７）と、第３表面層（７）の表面に形成される外部電極本体部（９）と、外部電極本体部（９）の表面に形成される第４表面層（１３）とを備えており、
外部電極（３）の外部電極本体部（９）が、非磁性のＮｉ－Ｐで形成されており、
Ｎｉ－Ｐの振幅比透磁率が４．０以下であることを特徴とする半導体装置用基板。
続きを表示（約 410 文字）【請求項２】
Ｎｉ－Ｐの振幅比透磁率が２．０以上、４．０以下である、請求項１に記載の半導体装置用基板。
【請求項３】
Ｎｉ－Ｐの最大磁束密度が７．０ｍＴ以下である、請求項１に記載の半導体装置用基板。
【請求項４】
Ｎｉ－Ｐの最大磁束密度が４．０ｍＴ以上、７．０ｍＴ以下である、請求項３に記載の半導体装置用基板。
【請求項５】
Ｎｉ－Ｐの残留磁束密度が０．１０ｍＴ以下である、請求項３に記載の半導体装置用基板。
【請求項６】
Ｎｉ－Ｐの残留磁束密度が０．０４ｍＴ以上、０．１０ｍＴ以下である、請求項５に記載の半導体装置用基板。
【請求項７】
Ｎｉ－Ｐの保磁力が２３Ａ／ｍ以下である、請求項５に記載の半導体装置用基板。
【請求項８】
Ｎｉ－Ｐの保磁力が１０Ａ／ｍ以上、２３Ａ／ｍ以下である、請求項７に記載の半導体装置用基板。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に外部電極が形成されている半導体装置用基板に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
本発明の半導体装置用基板では、外部電極の外部電極本体部をＮｉ－Ｐで形成するが、このことは特許文献１に開示されている。特許文献１の半導体装置用基板の外部電極は、基板上に形成される第３表面層と、第３表面層の表面に形成される外部電極本体部と、外部電極本体部の表面に形成される第４表面層とを備えており、外部電極の外部電極本体部が非磁性のＮｉ－Ｐで形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２１－１４５０６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の半導体装置によれば、外部電極の外部電極本体部が非磁性のＮｉ－Ｐで形成されているため、基板に実装される半導体素子が磁気に感応しやすいものであった場合でも、当該半導体素子に対する磁気的な悪影響を最小限に抑えることができると期待される。しかし、一般的に「非磁性体」とは、強磁性体ではない物質の総称であり、常磁性体、反磁性体、反強磁性体などが含まれることに鑑みれば、基板に実装される半導体素子の感応性に拠っては、上記のように外部電極本体部が「非磁性」で形成されている場合であっても、その磁性が半導体素子に重大な悪影響を与えるおそれがある。
【０００５】
本発明は、以上のような従来の半導体装置用基板の備える問題を解決することを目的としてなされたものであり、その目的は、外部電極の外部電極本体部がＮｉ－Ｐで形成されている半導体装置用基板において、半導体素子が感応性の高いものであった場合でも、外部電極本体部の磁気が当該半導体素子に及ぼす悪影響をより小さく抑えることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、基板１６の表面に、半導体素子１に接続される外部電極３が形成されている半導体装置用基板を対象とする。外部電極３は、基板１６の表面に形成される第３表面層７と、第３表面層７の表面に形成される外部電極本体部９と、外部電極本体部９の表面に形成される第４表面層１３とを備える。そして、外部電極３の外部電極本体部９は、非磁性のＮｉ－Ｐで形成されており、当該Ｎｉ－Ｐの振幅比透磁率が４．０以下であることを特徴とする。
【０００７】
Ｎｉ－Ｐの振幅比透磁率は２．０以上、４．０以下であることが好ましい。当該振幅比透磁率は２．３以上、３．１以下であることがより好ましい。
【０００８】
Ｎｉ－Ｐの最大磁束密度は７．０ｍＴ以下である。
【０００９】
Ｎｉ－Ｐの最大磁束密度は４．０ｍＴ以上、７．０ｍＴ以下であることが好ましい。当該最大磁束密度は４．７ｍＴ以上、６．２ｍＴ以下であることがより好ましい。
【００１０】
Ｎｉ－Ｐの残留磁束密度は０．１０ｍＴ以下である。
（【００１１】以降は省略されています）

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