特許ウォッチ

公開番号2024135945
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-04
出願番号2023046865
出願日2023-03-23
発明の名称半導体装置の製造方法
出願人キオクシア株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 21/02 20060101AFI20240927BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】2つの基板を貼り合わせて半導体デバイスを製造する際に、安定した製造プロセスを実現する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、第1の基板の表面の外周部に絶縁膜を形成し、絶縁膜を形成した後に、絶縁膜の内側の表面に接するシリコン層を形成し、陽極化成法を用いて、絶縁膜の内側のシリコン層を多孔質化し、多孔質シリコン層を形成する。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
第１の基板の表面の外周部に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を形成した後に、前記絶縁膜の内側の前記表面に接するシリコン層を形成し、
陽極化成法を用いて、前記絶縁膜の内側の前記シリコン層を多孔質化し、多孔質シリコン層を形成する、半導体装置の製造方法。
続きを表示（約 820 文字）【請求項２】
前記シリコン層は多結晶シリコンである、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁膜の上に形成された前記シリコン層を除去する、請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の基板はシリコン基板である、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記シリコン層は、エピタキシャル成長法を用いて形成される単結晶シリコン層である、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁膜は、酸化シリコン、窒化シリコン、又は、窒素添加炭化珪素である、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記多孔質シリコン層を形成した後に、前記多孔質シリコン層の上に第１の電子回路を形成し、
第２の電子回路を有する第２の基板を準備し、
前記第１の電子回路と前記第２の電子回路が接続されるように前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせ、
前記多孔質シリコン層を境界として前記第１の電子回路と、前記第１の基板を分離する、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１の電子回路はメモリセルアレイを含み、前記第２の電子回路は前記メモリセルアレイの動作を制御する制御回路を含む、請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
外周部の表面が絶縁膜で、前記外周部の内側に位置する表面がシリコン層である第１の基板を準備し、
陽極化成法を用いて、前記絶縁膜の内側の前記シリコン層を多孔質化し、多孔質シリコン層を形成するする、半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の基板はシリコン基板であり、前記シリコン層は前記シリコン基板の表層部分である、請求項９記載の半導体装置の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
例えば、第１の電子回路が形成された支持基板と、第２の電子回路が形成された半導体基板を貼り合わせることにより、高機能又は高集積の半導体デバイスが実現できる。支持基板と半導体基板を貼り合わせた後、例えば、支持基板は半導体デバイスの製造コストを低減するために、分離され再利用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１３－１１２８８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の一実施形態では、２つの基板を貼り合わせて半導体デバイスを製造する際に、安定した製造プロセスを実現することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態の半導体装置の製造方法は、第１の基板の表面の外周部に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜を形成した後に、前記絶縁膜の内側の前記表面に接するシリコン層を形成し、陽極化成法を用いて、前記絶縁膜の内側の前記シリコン層を多孔質化し、多孔質シリコン層を形成する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
第１の実施形態の半導体装置の製造方法の説明図。
第１の実施形態の半導体装置の製造方法の説明図。
第１の実施形態の半導体装置の製造方法の説明図。
第１の実施形態の半導体装置の製造方法の説明図。
第１の実施形態の半導体装置の製造方法の説明図。
第１の実施形態の半導体装置の製造方法の説明図。
第１の実施形態の半導体装置の製造方法の説明図。
第１の実施形態の半導体装置の製造方法の説明図。
第１の実施形態の半導体装置の製造方法の説明図。
比較例の半導体装置の製造方法の説明図。
比較例の半導体装置の製造方法の説明図。
第１の実施形態の製造方法の作用及び効果の説明図。
第１の実施形態の第１の変形例の半導体装置の製造方法の説明図。
第１の実施形態の第２の変形例の半導体装置の製造方法の説明図。
第２の実施形態の半導体装置の製造方法の説明図。
第２の実施形態の半導体装置の製造方法の説明図。
第２の実施形態の変形例の半導体装置の製造方法の説明図。
第３の実施形態の半導体装置の製造方法の説明図。
第３の実施形態の半導体装置の製造方法の説明図。
第３の実施形態の半導体装置の製造方法の説明図。
第３の実施形態の第１の変形例の半導体装置の製造方法の説明図。
第３の実施形態の第１の変形例の半導体装置の製造方法の説明図。
第３の実施形態の第１の変形例の半導体装置の製造方法の説明図。
第３の実施形態の半導体装置の第１の変形例の半導体装置の製造方法の説明図。
第３の実施形態の第２の変形例の半導体装置の製造方法の説明図。
第３の実施形態の第２の変形例の半導体装置の製造方法の説明図。
第３の実施形態の第２の変形例の半導体装置の製造方法の説明図。
第４の実施形態の半導体装置の製造方法の説明図。
第４の実施形態の半導体装置の製造方法の説明図。
第４の実施形態の半導体装置の製造方法の説明図。
第４の実施形態の半導体装置の製造方法の説明図。
第５の実施形態の半導体装置の製造方法の説明図。
第５の実施形態の半導体装置の製造方法の説明図。
第５の実施形態の半導体装置の製造方法の説明図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。なお、以下の説明では、同一又は類似の部材などには同一の符号を付し、一度説明した部材などについては適宜その説明を省略する。
【０００８】
また、本明細書中、便宜上「上」、又は、「下」という用語を用いる場合がある。「上」、又は、「下」とは、例えば、図面内での相対的位置関係を示す用語である。「上」、又は、「下」という用語は、必ずしも、重力に対する位置関係を規定する用語ではない。
【０００９】
本明細書中の半導体装置を構成する部材の化学組成の定性分析及び定量分析は、例えば、二次イオン質量分析法（ＳｅｃｏｎｄａｒｙＩｏｎＭａｓｓＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ：ＳＩＭＳ）、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥｎｅｒｇｙＤｉｓｐｅｒｓｉｖｅＸ－ｒａｙＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＥＤＸ）により行うことが可能である。また、半導体装置を構成する部材の厚さ、部材間の距離等の測定には、例えば、走査型電子顕微鏡（ＳｃａｎｎｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＳＥＭ）を用いることが可能である。
【００１０】
（第１の実施形態）
第１の実施形態の半導体装置の製造方法は、第１の基板の表面の外周部に絶縁膜を形成し、絶縁膜を形成した後に、絶縁膜の内側の表面に接するシリコン層を形成し、陽極化成法を用いて、絶縁膜の内側のシリコン層を多孔質化し、多孔質シリコン層を形成する。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許