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公開番号2024135762
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-04
出願番号2023046618
出願日2023-03-23
発明の名称疎水化処理装置、及び半導体装置の製造方法
出願人キオクシア株式会社
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H01L 21/027 20060101AFI20240927BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】疎水化処理において基板外周部の疎水化を抑制すること。
【解決手段】実施形態の疎水化処理装置は、処理対象の基板を載置可能な載置台と、載置台と対向する蓋体と、蓋体に設けられ、載置台に載置された基板に対し疎水化ガスを吐出する第1の供給口と、蓋体に設けられ、基板の外周部に対し不活性ガスを吐出する第2の供給口と、蓋体を基板の径方向に移動させることにより、基板に対する第2の供給口の位置を調整可能な第1の調整機構と、を備える。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
処理対象の基板を載置可能な載置台と、
前記載置台と対向する蓋体と、
前記蓋体に設けられ、前記載置台に載置された前記基板に対し疎水化ガスを吐出する第１の供給口と、
前記蓋体に設けられ、前記基板の外周部に対し不活性ガスを吐出する第２の供給口と、
前記蓋体を前記基板の径方向に移動させることにより、前記基板に対する前記第２の供給口の位置を調整可能な第１の調整機構と、
を備える
疎水化処理装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記蓋体は、
前記基板の前記外周部より内側の領域と対向する第１の蓋体と、
前記第２の供給口を有し、前記第１の蓋体の外側に接続される第２の蓋体と、
を有する、
請求項１に記載の疎水化処理装置。
【請求項３】
前記第２の蓋体は、
前記第１の蓋体の外側に接続されるとともに前記第１の蓋体に沿って延びる平面部と、前記平面部の外側の端部から下方に屈曲して延びる側面部と、を有する子蓋体を有し、
前記第２の供給口は、前記側面部の、前記基板と対向する端部に設けられ、
前記子蓋体のそれぞれが、前記基板の径方向に移動することにより、前記基板に対する前記第２の供給口の位置を調整する、
請求項２に記載の疎水化処理装置。
【請求項４】
前記子蓋体は、
前記平面部の上面に、前記基板の径方向に向かって凹部と凸部とが交互に並ぶ駆動部を有し、
前記第１の調整機構は、
前記基板の周方向に延びる回転軸に接続されるとともに前記回転軸を中心に前記基板の径方向に沿って回動可能な歯車を有し、
前記駆動部の前記凹部及び前記凸部と、前記歯車と、が噛み合うことにより、前記子蓋体が前記基板の径方向に移動する、
請求項３に記載の疎水化処理装置。
【請求項５】
前記第２の蓋体は、
前記第２の蓋体の外側から前記基板に向かって延びる整流板と、
前記第２の蓋体に設けられ、前記整流板を支持するとともに、前記基板に対して前記整流板を相対的に移動させることにより前記基板の前記外周部に対する前記不活性ガスの吐出位置を調整可能な第２の調整機構と、
を備える、
請求項２に記載の疎水化処理装置。
【請求項６】
塗布液の吐出対象の基板を載置台に載置し、
蓋体に設けられた第２の供給口を前記基板の径方向に移動させることにより、前記基板に対する前記第２の供給口の位置を調整し、
前記載置台に前記蓋体を対向させ、
前記第２の供給口から前記基板の外周部に対して不活性ガスを吐出し、
前記蓋体に設けられた第１の供給口から前記基板に対して疎水化ガスを吐出し、
前記不活性ガスによって前記疎水化ガスから前記基板を遮蔽しつつ、前記基板を前記疎水化ガスにより処理し、
前記基板に前記塗布液を塗布する、
半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、疎水化処理装置、及び半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造プロセスにおいて、レジストパターンの倒れを防止するため、基板全面に疎水化処理を行うことがある。しかしながら、基板の疎水性が高くなると、基板の中心付近に吐出されたレジストが基板の外周部まで広がりにくくなることがある。そのため、基板の外周部で塗布異常が発生することがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特許第７１７８１７７号公報
特許第５５７５７０６号公報
特許第４０７９２１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
１つの実施形態は、疎水化処理において基板外周部の疎水化を抑制可能な疎水化処理装置、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態の疎水化処理装置は、処理対象の基板を載置可能な載置台と、前記載置台と対向する蓋体と、前記蓋体に設けられ、前記載置台に載置された前記基板に対し疎水化ガスを吐出する第１の供給口と、前記蓋体に設けられ、前記基板の外周部に対し不活性ガスを吐出する第２の供給口と、前記蓋体を前記基板の径方向に移動させることにより、前記基板に対する前記第２の供給口の位置を調整可能な第１の調整機構と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
実施形態にかかる基板処理システムの概略の一例を示す透視上面図。
実施形態の疎水化処理装置に基板を保持させた状態を示す断面図。
実施形態にかかるベース蓋体の構成例を示す斜視図。
実施形態にかかる蓋体の構成例を示す斜視図。
実施形態にかかる可動蓋体の構成例を示す斜視図。
実施形態にかかる可動蓋体の構成例を示す下面図。
実施形態にかかる蓋開閉駆動機構の構成例を示す図。
実施形態にかかる半導体装置の製造方法の手順の一例を示すフローチャート。
実施形態の変形例にかかる蓋体の構成例を示す図。
比較例の疎水化処理装置で処理された基板について説明する図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、実施形態につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態により、本発明が限定されるものではない。また、下記の実施形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるものあるいは実質的に同一のものが含まれる。
【０００８】
［実施形態］
（基板処理システムの構成例）
図１は、実施形態にかかる基板処理システム１の概略の一例を示す透視上面図である。
【０００９】
実施形態の基板処理システム１は、基板Ｗに対し、疎水化処理、感光性被膜の形成、及び露光後の感光性被膜の現像等を行うシステムである。基板処理システム１は、図示せぬ露光装置と接続されている。これにより感光性被膜の形成がなされた基板Ｗが露光装置へと送られ、そして、露光後の基板Ｗが露光装置から送出される。
【００１０】
図１に示すように、基板処理システム１は、複数のポート１０と、搬送室２０と、疎水化処理装置３０と、塗布装置４０と、熱処理装置５０と、現像装置６０と、制御部１００と、を備える。
（【００１１】以降は省略されています）

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