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公開番号2024134660
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-04
出願番号2023044970
出願日2023-03-22
発明の名称半導体装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 21/60 20060101AFI20240927BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップの上に設けられた金属膜と、金属膜の上に設けられ、開口部を有する絶縁膜と、開口部内の金属膜の上に設けられ、金属膜と接合された接合材と、接合面と、接合面に設けられ、接合面の外周に沿い、内径が外径の60%以上90%以下である環状溝と、を有し、接合面が接合材に接合されたコネクタと、を備える半導体装置である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体チップの上に設けられた金属膜と、
前記金属膜の上に設けられ、開口部を有する絶縁膜と、
前記開口部内の前記金属膜の上に設けられ、前記金属膜と接合された接合材と、
接合面と、
前記接合面に設けられ、前記接合面の外周に沿い、内径が外径の６０％以上９０％以下である環状溝と、
を有し、前記接合面が前記接合材に接合されたコネクタと、
を備える半導体装置。
続きを表示（約 570 文字）【請求項２】
前記接合面は矩形の形状を有し、
前記環状溝は、前記接合面に対し、矩形の形状で形成されている、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記矩形の形状の角は面取りされている、
請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記接合面に平行な所定方向における前記環状溝の外径は、前記所定方向における前記接合面の長さの９０％以上１００％未満である、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
互いに同心状に設けられた複数の前記環状溝を有する、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
外側に設けられた前記環状溝の深さは、内側に設けられた前記環状溝の深さより深い、
請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記接合面に平行な所定方向における最も内側に設けられた前記環状溝の内径は、前記所定方向における最も外側に設けられた前記環状溝の外径の６０％以上９０％以下である、
請求項５記載の半導体装置。
【請求項８】
前記接合面に平行な所定方向における最も外側に設けられた前記環状溝の外径は、前記所定方向における前記接合面の長さの９０％以上１００％未満である、請求項５記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
ＭＯＳＦＥＴ（ＭｅｔａｌＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＦｉｅｌｄＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などの半導体チップを有する半導体装置は、電力変換等の用途に用いられる。例えば、上述の半導体装置が縦型のＭＯＳＦＥＴである場合、半導体チップの上面に設けられたソース電極は、例えばＭＯＳＦＥＴの上に設けられたコネクタと接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２０１９／１６７２１８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、信頼性の高い半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態の半導体装置は、半導体チップの上に設けられた金属膜と、金属膜の上に設けられ、開口部を有する絶縁膜と、開口部内の金属膜の上に設けられ、金属膜と接合された接合材と、接合面と、接合面に設けられ、接合面の外周に沿い、内径が外径の６０％以上９０％以下である環状溝と、を有し、接合面が接合材に接合されたコネクタと、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
実施形態の半導体装置の模式上面図である。
実施形態の半導体装置の要部の模式図である。
実施形態の半導体装置の接合面の模式図の他の一例である。
比較形態の半導体装置の要部の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。なお、以下の説明では、同一の部材等には同一の符号を付し、一度説明した部材等については適宜その説明を省略する。
【０００８】
本明細書中、部品等の位置関係を示すために、図面の上方向を「上」、図面の下方向を「下」と記述する。本明細書中、「上」、「下」の概念は、必ずしも重力の向きとの関係を示す用語ではない。
【０００９】
（実施形態）
実施形態の半導体装置は、半導体チップの上に設けられた金属膜と、金属膜の上に設けられ、開口部を有する絶縁膜と、開口部内の金属膜の上に設けられ、金属膜と接合された接合材と、接合面と、接合面に設けられ、接合面の外周に沿い、内径が外径の６０％以上９０％以下である環状溝と、を有し、接合面が接合材に接合されたコネクタと、を備える。
【００１０】
図１は、本実施形態の半導体装置１００の模式上面図である。図２は、本実施形態の半導体装置１００の要部の模式断面図である。図２（ａ）は、図１におけるＡ－Ａ’断面の模式図である。図２（ｂ）は、実施形態の接合面５５の模式図である。図２（ｃ）は、実施形態の接合面５５の模式図の他の一例である。図２（ｄ）は、実施形態の接合面５５の模式図の他の一例である。
（【００１１】以降は省略されています）

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