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公開番号2024129714
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-27
出願番号2023039082
出願日2023-03-13
発明の名称半導体装置及び半導体装置の製造方法
出願人ラピスセミコンダクタ株式会社
代理人弁理士法人太陽国際特許事務所
主分類H01L 29/78 20060101AFI20240919BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】トレンチによって半導体層を確実に分断し、半導体装置の耐圧を向上させる。
【解決手段】半導体装置12は、半導体基板(第一半導体層20)と、半導体基板に積層され、半導体基板と反対側の表面(第二面24B)が周辺部24Eにおいて中央部24Cよりも半導体基板側に位置している積層半導体(第三半導体層24)と、周辺部24E及び中央部24Cにおいて積層半導体を厚み方向に貫く複数のトレンチ32を介して形成された複数の第一膜(ゲート電極36、ゲート酸化膜34)と、を有する。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板に積層され、前記半導体基板と反対側の表面が周辺部において中央部よりも前記半導体基板側に位置している積層半導体と、
前記周辺部及び前記中央部において前記積層半導体を厚み方向に貫く複数のトレンチを介して形成された複数の第一膜と、
を有する半導体装置。
続きを表示（約 610 文字）【請求項２】
前記トレンチの前記半導体基板への侵入深さが前記中央部よりも前記周辺部において深い、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
複数の前記トレンチは一定の深さである、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記周辺部において前記中央部に相対的に近い位置に設けられる第一領域と、
前記周辺部において前記第一領域よりも前記中央部から相対的に遠い位置に設けられ、複数の前記トレンチの間隔が前記第一領域よりも狭い第二領域と、
を有する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体基板に積層された積層半導体の、前記半導体基板の反対側の表面の周辺部に中央部よりも前記半導体基板側に凹む凹部を形成し、
前記中央部及び前記周辺部に、前記積層半導体を厚み方向に貫く複数のトレンチを形成する、
ことを含む半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記積層半導体の表面にシリコン酸化膜を設け、
前記シリコン酸化膜上に窒化膜を設けると共に前記周辺部において前記窒化膜を除去し、
前記周辺部において前記シリコン酸化膜を成長させて前記表面を局所的に凹ませ、
前記窒化膜及び前記シリコン酸化膜を除去することで前記凹部を形成する、半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
セル部と、セル部の外周の外周耐圧部と、を備えた半導体装置がある。たとえば、特許文献１には、外周耐圧部が、セル部の外周に設けられた外周サージ緩和領域と、外周サージ緩和領域の外周に設けられた外周ウェル領域と、ダミーゲート電極を含んでいる構成が開示されている。この半導体装置では、外周サージ緩和領域および外周ウェル領域にそれぞれ設けられると共に、トレンチゲート構造と同じ構造のダミートレンチ構造を備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１０－１０５５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の技術では、外周サージ緩和領域と外周ウェル領域との境界部に設けられたダミートレンチおよび外周ウェル領域に配置されたダミートレンチは、外周サージ緩和領域に配置されたダミートレンチよりも深くなっている。これにより、ダミートレンチはＰ型ベース層を分断している。
【０００５】
このように、たとえば外周サージ緩和領域と外周ウェル領域との境界部のダミートレンチを深くすると、つまりこのダミートレンチがＰ型ベース層（半導体層）を貫通していると、Ｐ型ベース層（半導体層）をダミートレンチにより分断できる。そして、半導体層を分断することで、電圧印加時の電界を緩和し、半導体装置の耐圧を向上させることが可能である。
【０００６】
しかしながら、これら複数のトレンチが同じ工程で形成される場合、一部のトレンチの深さを他のトレンチの深さと異ならせることは難しい。このため、半導体装置において、トレンチが半導体層を確実に貫いていない、すなわち半導体層を分断できていない構造になってしまうと、耐圧が低くなる。すなわち、半導体装置の耐圧を向上させる点で改善の余地がある。
【０００７】
本開示は、トレンチによって半導体層を確実に分断し、半導体装置の耐圧を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板に積層され、前記半導体基板と反対側の表面が周辺部において中央部よりも前記半導体基板側に位置している積層半導体と、前記周辺部及び前記中央部において前記積層半導体を厚み方向に貫く複数のトレンチを介して形成された複数の第一膜と、を有する。
【０００９】
本開示の半導体装置の製造方法は、半導体基板に積層された積層半導体の、前記半導体基板の反対側の表面の周辺部に中央部よりも前記半導体基板側に凹む凹部を形成し、前記中央部及び前記周辺部に、前記積層半導体を厚み方向に貫く複数のトレンチを形成する、ことを含む。
【発明の効果】
【００１０】
本開示によれば、トレンチによって半導体層を確実に分断し、半導体装置の耐圧を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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