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公開番号2024129365
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-27
出願番号2023038518
出願日2023-03-13
発明の名称高周波モジュール及びフェーズドアレイアンテナモジュール
出願人株式会社フジクラ
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 23/12 20060101AFI20240919BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】高周波信号を扱う小型の高周波モジュールにおいて、高周波信号が通るバンプと、ICパッケージと平面視で重なる内側金属パターンとの間のアイソレーションを向上させる。
【解決手段】高周波モジュール3は、平面上に複数のはんだバンプが配列されたICパッケージ1と、ICパッケージ1を実装する実装面を有する基板2と、を備え、実装面には、平面視でICパッケージ1と重なる部分に、電気的に接地されていない内側金属パターン110が形成され、複数のはんだバンプは、高周波信号が通るRFバンプ51と、電気的に接地されるGNDバンプ52と、を含み、平面視でRFバンプ51と内側金属パターン110とを結ぶ最短線分L3上に、GNDバンプ52が配置されている。
【選択図】図7
特許請求の範囲【請求項１】
平面上に複数のはんだバンプが配列されたＩＣパッケージと、
前記ＩＣパッケージを実装する実装面を有する基板と、を備え、
前記基板には、平面視で前記ＩＣパッケージと重なる部分に配置された内側金属パターンが形成され、
前記複数のはんだバンプは、
高周波信号が通るＲＦバンプと、
電気的に接地されるＧＮＤバンプと、を含み、
平面視で前記ＲＦバンプと前記内側金属パターンとを結ぶ最短線分上に、前記ＧＮＤバンプが配置されている、
高周波モジュール。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記ＲＦバンプは、平面視で前記内側金属パターンの周囲に複数設けられており、
隣り合う前記ＲＦバンプの間に、さらに前記ＧＮＤバンプが配置されている、
請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記ＲＦバンプは、平面視で前記ＩＣパッケージの最外縁に配置されている、
請求項１または２に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記ＲＦバンプと前記内側金属パターンとを結ぶ最短線分の両端を延長した、該最短線分を含む直線上には、
前記ＲＦバンプ、前記ＧＮＤバンプ、前記内側金属パターン、もう一つの前記ＧＮＤバンプ、もう一つの前記ＲＦバンプが、この順に配置されている、
請求項１または２に記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記ＩＣパッケージは、
ＩＣチップと、
平面視で前記ＩＣチップを囲むモールド樹脂と、
前記ＩＣチップ及び前記モールド樹脂の一方の面に形成された絶縁層と、
前記絶縁層に形成された前記複数のはんだバンプと、
前記絶縁層に形成され、前記ＩＣチップを前記複数のはんだバンプに接続する再配線と、を備える、
請求項１または２に記載の高周波モジュール。
【請求項６】
前記ＲＦバンプと接続される前記再配線は、前記ＩＣチップと前記モールド樹脂との境界を跨いで、平面視で前記モールド樹脂と重なる位置まで延び、前記ＲＦバンプと接続されている、
請求項５に記載の高周波モジュール。
【請求項７】
前記ＲＦバンプと接続される前記再配線は、平面視で前記モールド樹脂と重なる位置において、前記ＧＮＤバンプの間を通り、前記ＲＦバンプと接続されている、
請求項５に記載の高周波モジュール。
【請求項８】
前記ＲＦバンプと接続される前記再配線の両サイドには、前記ＧＮＤバンプと接続された前記再配線が配置されている、
請求項５に記載の高周波モジュール。
【請求項９】
前記ＲＦバンプは、一方のＲＦバンプが高周波信号を出力するとき、他方のＲＦバンプには前記ＩＣパッケージで処理される前の高周波信号が入力される関係を有する、第１ＲＦバンプ及び第２ＲＦバンプを含み、
前記ＧＮＤバンプは、平面視で、少なくとも前記第１ＲＦバンプと前記内側金属パターンとを結ぶ最短線分上に配置されている、
請求項１または２に記載の高周波モジュール。
【請求項１０】
前記内側金属パターンは、前記ＩＣパッケージに電力を供給する電源パターンを含む、
請求項１または２に記載の高周波モジュール。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波モジュール及びフェーズドアレイアンテナモジュールに関するものである。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
下記特許文献１には、半導体チップ上に、基板を介さずに直接はんだバンプを形成するＷＬ－ＣＳＰ（Wafer Level Chip Size Package）型の半導体装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特許第５０３９３８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
高周波信号を扱う高周波モジュールでは、高周波特性を満足しながら小型化することが求められる。ここで、高周波モジュールを小型化するため、基板に実装されたＩＣパッケージと平面視で重なる基板部分（デッドスペース）を利用し、電源パターンや信号パターンなど、電気的に接地されていない内側金属パターンを形成する場合がある。そうすると、高周波信号が通るはんだバンプから、当該内側金属パターンを介して他の接点に、高周波信号の漏れが生じる虞がある。
【０００５】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、高周波信号を扱う小型の高周波モジュールにおいて、高周波信号が通るバンプと、ＩＣパッケージと平面視で重なる内側金属パターンとの間のアイソレーションを向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に係る高周波モジュールは、平面上に複数のはんだバンプが配列されたＩＣパッケージと、前記ＩＣパッケージを実装する実装面を有する基板と、を備え、前記基板には、平面視で前記ＩＣパッケージと重なる部分に配置された内側金属パターンが形成され、前記複数のはんだバンプは、高周波信号が通るＲＦバンプと、電気的に接地されるＧＮＤバンプと、を含み、平面視で前記ＲＦバンプと前記内側金属パターンとを結ぶ最短線分上に、前記ＧＮＤバンプが配置されている。
【０００７】
本発明の第１の態様によれば、基板の平面視で、ＲＦバンプと内側金属パターンとを結ぶ最短線分上に配置されたＧＮＤバンプが、ＲＦバンプから内側金属パターンへの高周波信号伝達時の高周波信号の漏れを抑制する壁の役割を果たす。このため、高周波信号が通るＲＦバンプと、ＩＣパッケージと平面視で重なる内側金属パターンとの間のアイソレーションを向上させることができる。
【０００８】
本発明の第２の態様は、第１の態様の高周波モジュールにおいて、前記ＲＦバンプは、平面視で前記内側金属パターンの周囲に複数設けられており、隣り合う前記ＲＦバンプの間に、さらに前記ＧＮＤバンプが配置されていてもよい。
【０００９】
本発明の第３の態様は、第１の態様または第２の態様の高周波モジュールにおいて、前記ＲＦバンプは、平面視で前記ＩＣパッケージの最外縁に配置されていてもよい。
【００１０】
本発明の第４の態様は、第１の態様から第３の態様のいずれか一つの高周波モジュールにおいて、前記ＲＦバンプと前記内側金属パターンとを結ぶ最短線分の両端を延長した、該最短線分を含む直線上には、前記ＲＦバンプ、前記ＧＮＤバンプ、前記内側金属パターン、もう一つの前記ＧＮＤバンプ、もう一つの前記ＲＦバンプが、この順に配置されていてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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