特許ウォッチ

公開番号2024126793
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-20
出願番号2023035431
出願日2023-03-08
発明の名称希ガス回収方法、希ガス回収装置、および半導体装置の製造方法
出願人キオクシア株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類C01B 23/00 20060101AFI20240912BHJP(無機化学)
要約【課題】希ガスを有効活用することが可能な希ガス回収方法を提供する。
【解決手段】一実施形態に係る希ガス回収方法は、半導体製造装置から排出された希ガスに含まれる不純物の濃度を分析し、濃度の分析結果に応じて、希ガスを複数のタンクのうちのいずれかに貯蔵する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体製造装置から排出された希ガスに含まれる不純物の濃度を分析し、
前記濃度の分析結果に応じて、前記希ガスを複数のタンクのうちのいずれかに貯蔵する、
希ガス回収方法。
続きを表示（約 570 文字）【請求項２】
前記希ガスの元素の濃度に応じて、前記希ガスを排気する、請求項１に記載の希ガス回収方法。
【請求項３】
前記不純物は、Ｃ
ｘ
Ｈ
ｙ
Ｆ
ｚ
（０≦ｘ，ｙ，ｚ）である、請求項１または２に記載の希ガス回収方法。
【請求項４】
複数の半導体製造装置ごとに前記不純物の濃度を測定し、
前記複数のタンクに貯蔵された貯蔵ガスを、前記複数の半導体製造装置ごとに設定された混合割合に基づいて混合する、
請求項１または２に記載の希ガス回収方法。
【請求項５】
半導体製造装置から排出された希ガスを貯蔵可能な複数のタンクと、
前記希ガスに含まれる不純物の濃度を分析し、前記濃度の分析結果に応じて、前記希ガスを複数のタンクのうちのいずれかに貯蔵する分析器と、
を備える、希ガス回収装置。
【請求項６】
不純物の濃度がそれぞれ異なる希ガスを複数のタンクに貯蔵し、
前記複数のタンクに貯蔵された前記希ガスを、半導体製造装置に対して設定された混合割合に基づいて混合し、
混合した希ガスを前記半導体製造装置に導入することによって、半導体装置を製造する、
半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、希ガス回収方法、希ガス回収装置、および半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置から排出された希ガスをリサイクルする技術が知られている。この技術では、半導体製造装置から排出された希ガスは、回収されて、再びその半導体製造装置に導入される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００２－９７００７号公報
特開２００５－３３６０４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のように希ガスをリサイクルする場合、最初に半導体製造装置に導入される希ガスは、例えば大気から生成される場合がある。この場合、大気から生成されて半導体製造装置に導入される希ガスに含まれる不純物濃度が、半導体製造装置から回収した希ガスに含まれる不純物濃度と異なる可能性がある。そのため、回収された希ガスに含まれる不純物濃度次第では、その半導体製造装置でリサイクルできなくなってしまう。
【０００５】
本発明の実施形態は、希ガスを有効活用することが可能な希ガス回収方法、希ガス回収装置、および半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実施形態に係る希ガス回収方法は、半導体製造装置から排出された希ガスに含まれる不純物の濃度を分析し、濃度の分析結果に応じて、希ガスを複数のタンクのうちのいずれかに貯蔵する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
一実施形態に係る希ガス回収装置の概略的な構造を示すブロック図である。
測定部の測定結果の一例を示す図である。
一実施形態に係る希ガス回収装置を用いて製造される半導体装置の概略的な平面図である。
図３に示す切断線Ａ－Ａに沿った断面図である。
積層体を形成する工程を示す断面図である。
メモリホールを形成する工程を示す断面図である。
メモリ膜を形成する工程を示す断面図である。
メモリホールを形成する工程を示す断面図である。
絶縁層を除去する工程を示す断面図である。
電極層を形成する工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。
【０００９】
図１は、一実施形態に係る希ガス回収装置の概略的な構造を示すブロック図である。本実施形態に係る希ガス回収装置１は、複数の半導体製造装置２１、２２、２３から排出された希ガスを回収する装置である。
【００１０】
本実施形態では、複数の半導体製造装置２１、２２、２３は、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等のエッチング処理を行うエッチング装置である。半導体製造装置２１、２２、２３には、Ｃ
x
Ｈ
y
Ｆ
z
（０≦x，y，z）で表される不純物を含んだ希ガスが導入される。希ガスは、例えばクリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）等である。不純物には、例えば、一酸化炭素（ＣＯ）、水素（Ｈ
２
）、ヘリウム（Ｈｅ）、窒素（Ｎ
２
）、アルゴン（Ａｒ）などが含まれる。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許