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公開番号2024084255
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-25
出願番号2022198423
出願日2022-12-13
発明の名称窒化チタン膜
出願人地方独立行政法人山口県産業技術センター,株式会社ユーパテンター
代理人個人
主分類C23C 14/06 20060101AFI20240618BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】低い体積抵抗率を有する窒化チタン膜を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、体積抵抗率が55μΩ・cm以下である窒化チタン膜51である。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
体積抵抗率が５５μΩ・ｃｍ以下であることを特徴とする窒化チタン膜。
続きを表示（約 83 文字）【請求項２】
請求項１に記載の窒化チタン膜をＸ線回折で評価した際の（１１１）の配向のピークの半値幅が０．８°以下であることを特徴とする窒化チタン膜。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化チタン膜に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
窒化チタン膜は、半導体チップ内のＡｌ合金配線のバリア膜等に利用されている。これに関連する技術が特許文献１に記載されている。
【０００３】
上記の事情から、電気的特性が優れた窒化チタン膜が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開平１１－０２６４０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の一態様は、低い体積抵抗率を有する窒化チタン膜を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以下に、本発明の種々の態様について説明する。
［１］体積抵抗率が５５μΩ・ｃｍ以下（好ましくは５０μΩ・ｃｍ未満、より好ましくは４８μΩ・ｃｍ以下）であることを特徴とする窒化チタン膜。
【０００７】
［２］上記［１］に記載の窒化チタン膜をＸ線回折で評価した際の（１１１）の配向のピークの半値幅が０．８°以下であることを特徴とする窒化チタン膜。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一態様によれば、低い体積抵抗率を有する窒化チタン膜を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本発明の一態様に係るＩＣＰ支援反応性スパッタリング装置を概略的に示す構成図である。
図１に示すＩＣＰ支援反応性スパッタリング装置を用いて基材１３に窒化チタン膜５１を成膜した状態を示す断面図である。
Ｓｉウェハ、ＳＵＳ３０４基板、ＴＨ１０基板の各々の基板上に成膜された窒化チタン膜のＸ線回折プロファイルを示す図である。
Ｓｉウェハ上に窒化チタン膜が成膜される際のＩＣＰ電極１６に印加されるＲＦが２００Ｗ、１００Ｗ、５０Ｗ、２５Ｗ及び０Ｗの各々である場合の窒化チタン膜のＸ線回折プロファイル、ＩＣＰ電極１６に投入される電力が（１１１）ピークの半値幅に及ぼす影響を示すグラフ、及び（１１１）ピークの半値幅の測定結果を示す図である。
Ｓｉウェハ上に窒化チタン膜が成膜される際のＩＣＰ電極１６に印加されるＲＦが０Ｗ、２５Ｗ、５０Ｗ、１００Ｗ、２００Ｗの場合の窒化チタン膜の体積抵抗率を測定した結果を示す図である。
図１に示すスパッタリング装置の変形例を示すＩＣＰ支援反応性スパッタリング装置を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下では、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
（【００１１】以降は省略されています）

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