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公開番号2025056764
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-08
出願番号2024164125
出願日2024-09-20
発明の名称ガスインジェクタ
出願人エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー
代理人個人,個人,個人
主分類C23C 16/455 20060101AFI20250331BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】ガスインジェクタを提供する。
【解決手段】ガスインジェクタ、およびこのようなガスインジェクタを用いてプロセスチャンバにおいて複数の基板を処理するように構成および配置される装置が開示され得る。ガスインジェクタは、プロセスガスをプロセスチャンバの中へと提供するために使用され得る。ガスインジェクタは、主軸に沿って長くなっている主管と、装置のプロセスガスラインに接続するように構成および配置される一端における供給端とを有してもよい。複数の副管が提供され得、該副管は、それらの第1の端部で、主管の主軸に実質的に垂直に主管に接続され、副管の第2の端部にガス排気口が設けられて、プロセスガスをプロセスチャンバの中へと提供する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
使用時にプロセスガスを、複数の基板を処理するように構成および配置される装置のプロセスチャンバの中へと提供するためのガスインジェクタであって、
主軸に沿って長くなっている主管であって、前記主管の一端に供給端を備え、前記供給端は前記装置のプロセスガスラインに接続するように構成および配置される、主管と、
複数の副管であって、それらの第１の端部で、前記主管の前記主軸に実質的に垂直に前記主管に接続され、前記副管の第２の端部にガス排気口が設けられて、前記プロセスガスを前記プロセスチャンバの中へと提供する、複数の副管と、を備える、ガスインジェクタ。
続きを表示（約 770 文字）【請求項２】
前記副管は、前記主管の前記主軸に実質的に垂直な平面において湾曲形状を有する、請求項１に記載のガスインジェクタ。
【請求項３】
前記湾曲形状は、前記主管の前記主軸に実質的に平行な第１の軸を中心とする、８～２２ｃｍ、好ましくは１２～１８ｃｍの半径を有する略円形の一部を実質的に形成する、請求項２に記載のガスインジェクタ。
【請求項４】
前記副管は、前記第１の端部から前記第２の端部まで８～２２ｃｍ、好ましくは１２～１８ｃｍの長さを有する、請求項１に記載のガスインジェクタ。
【請求項５】
前記主管は、前記複数の副管に接続された分岐部と、前記分岐部を前記供給端に接続するように構成および配置される非分岐部とを有し、前記非分岐部は１０～４０、好ましくは１５～３０ｃｍの長さを有する、請求項１に記載のガスインジェクタ。
【請求項６】
前記複数の副管の数は、２～２０１、好ましくは２５～１５１、最も好ましくは５０～１０１である、請求項１に記載のガスインジェクタ。
【請求項７】
前記複数の副管は、前記主軸に沿って実質的に同じ距離で前記主管に沿って互いに離間している、請求項１に記載のガスインジェクタ。
【請求項８】
前記複数の副管は、前記主管の前記主軸に沿った略直線に沿って提供される、請求項１に記載のガスインジェクタ。
【請求項９】
前記ガスインジェクタには、前記ガスインジェクタを冷却するために冷却器が設けられる、請求項１に記載のガスインジェクタ。
【請求項１０】
前記主管には、前記主管を冷却するために前記冷却器が設けられる、請求項９に記載のガスインジェクタ。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、ガスインジェクタ、およびこのようなガスインジェクタを用いて複数の基板を処理するように構成および配置される装置に関連し得る。ガスインジェクタは、プロセスガスをプロセスチャンバの中へと提供するために使用され得る。ガスインジェクタは、主軸に沿って長くなっている主管と、装置のプロセスガスラインに接続するように構成および配置される一端における入口とを有してもよい。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
原子層堆積（ＡＬＤ）、エピタキシー、および化学蒸着（ＣＶＤ）などのプロセス中に、気体の形態であってもよい前駆体は、基板に提供されてもよい。これらの前駆体は、多くの場合、ガスインジェクタを介してプロセスチャンバに移送されて基板と反応する容器または貯蔵容器に貯蔵される。プロセスチャンバにおける前駆体の反応性を改善するために、プラズマが提供されてもよい。
【０００３】
ＡＬＤ製造プロセスは、典型的には、前駆体をガスインジェクタでプロセスチャンバ内へとパルスし、それらを基板表面と反応させた後、次の前駆体を取り入れる前にチャンバをパージすることを伴う。プロセスチャンバにおける前駆体の反応効率のために、プロセスチャンバ全体の濃度が重要であり得る。
【発明の概要】
【０００４】
この概要は、概念の選択を簡略化した形態で紹介するために提供される。これらの概念は、下記の開示の例示の実施形態の詳細な説明において、さらに詳細に記述される。この概要は、特許請求される主題の主要な特徴または本質的な特徴を特定することを意図せず、特許請求される主題の範囲を限定するために使用されることも意図しない。
【０００５】
効率が改善されたガスインジェクタおよび装置を提供することが目的であり得る。
【０００６】
よって、使用時にプロセスガスを、複数の基板を処理するように構成および配置される装置のプロセスチャンバの中へと提供するためのガスインジェクタが提供され得る。ガスインジェクタは、主軸に沿って長くなっている主管と、装置のプロセスガスラインに接続するように構成および配置される一端における入口とを備えてもよい。複数の副管は、それらの第１の端部で、主管の主軸に実質的に垂直に主管に接続され、副管の第２の端部にガス排気口が設けられており、プロセスガスをプロセスチャンバの中へと提供し得る。
【０００７】
この概要は、概念の選択を簡略化した形態で紹介するために提供される。これらの概念は、下記の開示の例示の実施形態の詳細な説明において、さらに詳細に記述される。この概要は、特許請求される主題の主要な特徴または本質的な特徴を特定することを意図せず、特許請求される主題の範囲を限定するために使用されることも意図しない。
【０００８】
本明細書は、実施形態と見なされるものを具体的に指摘し、かつ明確に特許請求する特許請求の範囲で結論付ける一方で、本開示の実施形態の利点は、添付の図面と併せて読む時に、本開示の実施形態のある特定の実施例の記述から、より容易に確かめられ得る。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
ガスインジェクタの概略的な断面側面図である。
図１のガスインジェクタの概略的な断面底面図である。
図１のガスインジェクタの、基板に対するその位置を示す概略的な断面側面図である。
図１のガスインジェクタを用いて複数の基板を処理するように構成および配置された装置における概略的な断面図である。
ガスインジェクタの、図４の装置における基板に対するその位置を示す概略的な断面上面図である。
図４の装置における基板の上方に移動した時のガスインジェクタの概略的な断面上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
当然のことながら、図内の要素は単純および明瞭のために図示されており、また必ずしも実寸に比例して描かれていない。例えば、図内の要素のうちの一部の寸法は、本開示の例示された実施形態の理解の向上を助けるために他の要素に対して相対的に誇張されている場合がある。
（【００１１】以降は省略されています）

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