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公開番号
2025047785
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-04-03
出願番号
2023156497
出願日
2023-09-21
発明の名称
成膜装置及び成膜方法
出願人
キヤノントッキ株式会社
代理人
弁理士法人大塚国際特許事務所
主分類
C23C
14/54 20060101AFI20250326BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約
【課題】基板の表面電位の測定結果に基づいて、成膜処理を制御すること可能な技術を提供すること。
【解決手段】静電チャックに吸着された基板に蒸着物質を成膜する成膜装置は、静電チャックに基板が吸着される前の搬送経路上で、静電チャックに吸着される基板の吸着面の電位を測定する測定装置と、測定装置の測定結果に基づいて、成膜処理を制御する制御装置と、を備える。
【選択図】図12
特許請求の範囲
【請求項1】
静電チャックに吸着された基板に蒸着物質を成膜する成膜装置であって、
前記静電チャックに前記基板が吸着される前の搬送経路上で、前記静電チャックに吸着される前記基板の吸着面の電位を測定する測定手段と、
前記測定手段の測定結果に基づいて、成膜処理を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする成膜装置。
続きを表示(約 1,000 文字)
【請求項2】
前記制御手段は、前記測定手段の測定結果に基づいて、前記静電チャックに印加する電圧を制御することを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
【請求項3】
前記搬送経路上で、前記基板の吸着面を除電する除電手段を更に備え、
前記制御手段は、前記測定手段の測定結果に基づいて、前記除電手段を制御することを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。
【請求項4】
前記除電手段は、イオン化を誘起する紫外光を、前記基板の吸着面に照射するイオナイザーを有することを特徴とする請求項3に記載の成膜装置。
【請求項5】
前記除電手段は、1×10
4
Ω以上、1×10
11
Ω未満の表面抵抗を有する静電気拡散性を有する物質から成形した部品を、前記搬送経路上で前記吸着面に接触させて、当該吸着面を除電することを特徴とする請求項3に記載の成膜装置。
【請求項6】
前記除電手段は、前記静電気拡散性を有する物質から成形した部品として、複数の突起形状を有する部品、または、二次元的な広がりを有するシート形状を有する部品を、前記搬送経路上で前記吸着面に接触させて、当該吸着面を除電することを特徴とする請求項5に記載の成膜装置。
【請求項7】
前記除電手段は、前記静電気拡散性を有する物質から成形した部品として、前記基板の周縁を支持する際に、前記基板の吸着面と接触する基板支持手段を備えることを特徴とする請求項5に記載の成膜装置。
【請求項8】
前記制御手段は、前記測定手段により測定された前記吸着面の電位が、成膜処理を行うことが可能なレベルの上限電位を超える場合には、前記吸着面の電位が測定された前記基板を、前記成膜処理の対象基板から除外することを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
【請求項9】
前記基板とマスクとにそれぞれ形成されているアライメントマークの計測結果に基づいて、前記基板と前記マスクとの相対的な位置の調整を行うアライメント手段を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
【請求項10】
前記アライメント手段は、前記静電チャックに吸着されている前記基板と前記マスクとの相対的な位置の調整を行うことを特徴とする請求項9に記載の成膜装置。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板に成膜する成膜装置及び成膜方法に関する。
続きを表示(約 1,600 文字)
【背景技術】
【0002】
特許文献1には、静電チャックに吸着した基板に成膜処理を行う成膜装置が開示されている。この成膜装置は、基板と静電チャックとの間の静電容量の変化を検出し、静電容量の検出情報に基づいて、静電チャックの印加電圧を変更するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2022―155114号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
マスクと基板の剥離動作などの工程によって、基板が帯電する場合がある。基板が帯電した状態で静電チャックに吸着しようとすると、吸着に要する所定の電圧に比べて高電圧が必要になったり、電圧印加前に基板の一部が静電チャックに接触する場合が生じ得る。これらに起因して、成膜処理が遅延し、タクトタイムの増大、歩留まりの低下や生産量の低下等が生じ得る。また、表面電位を測定する構成や除電機構を成膜室内に設けると、成膜装置のサイズが大型化し得る。
【0005】
基板と静電チャックとが接触する前に、基板の表面電位を測定して静電チャックに印加する電圧を制御したり、静電チャックに印加する電圧の制御とともに基板の除電を行うことが好ましい。
【0006】
本発明は、上記の課題に鑑みて、少なくとも、基板と静電チャックとが接触する前に測定した基板の表面電位の測定結果に基づいて、成膜処理を制御することが可能な技術を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一態様の成膜装置は、静電チャックに吸着された基板に蒸着物質を成膜する成膜装置であって、
前記静電チャックに前記基板が吸着される前の搬送経路上で、前記静電チャックに吸着される前記基板の吸着面の電位を測定する測定手段と、
前記測定手段の測定結果に基づいて、成膜処理を制御する制御手段と、を備える。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、基板と静電チャックとが接触する前に測定した基板の表面電位の測定結果に基づいて、成膜処理を制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
電子デバイスの製造ラインの一部の模式図。
一実施形態に係る成膜装置の概略図。
実施形態に係る成膜装置における除電装置の構成例1を示す図。
実施形態に係る成膜装置における除電装置の構成例2を示す図。
実施形態に係る成膜装置における除電装置の構成例3を示す図。
実施形態に係る成膜装置における除電装置の構成例4を示す図。
実施形態に係る成膜装置における除電装置の構成例5を示す図。
実施形態に係る成膜装置における除電装置の構成例6を示す図
実施形態に係る成膜装置における除電装置の構成例7を示す図。
実施形態に係る成膜装置における除電装置の構成例8を示す図。
ベース部、及び基板支持部の動作を模式的に示す図(構成例8)。
実施形態に係る測定装置(表面電位計)の配置例を示す図。
実施形態に係る測定装置及び制御装置の処理の流れを示す図。
実施形態に係る成膜装置による全体的な処理の流れを示す図。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
(【0011】以降は省略されています)
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