特許ウォッチ

公開番号2025072293
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-09
出願番号2024159810
出願日2024-09-17
発明の名称成膜方法及び処理システム
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人弁理士法人ITOH
主分類C23C 16/42 20060101AFI20250430BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】基板から金属シリサイド膜への不純物の拡散を抑制できる技術を提供する。
【解決手段】本開示の一態様による成膜方法は、(a)不純物が添加された珪素を含むドープ領域が表面に形成された基板を準備する工程と、(b)前記ドープ領域の上に前記不純物を含む拡散防止層を形成する工程と、(c)前記拡散防止層が形成された前記ドープ領域の上に金属膜を形成し、前記金属膜と前記ドープ領域の珪素との反応により金属シリサイド膜を形成する工程と、を有し、前記工程(b)は、前記基板に前記不純物を含有する不純物含有ガスをプラズマ化しないで供給することを含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
（ａ）不純物が添加された珪素を含むドープ領域が表面に形成された基板を準備する工程と、
（ｂ）前記ドープ領域の上に前記不純物を含む拡散防止層を形成する工程と、
（ｃ）前記拡散防止層が形成された前記ドープ領域の上に金属膜を形成し、前記金属膜と前記ドープ領域の珪素との反応により金属シリサイド膜を形成する工程と、
を有し、
前記工程（ｂ）は、前記基板に前記不純物を含有する不純物含有ガスをプラズマ化しないで供給することを含む、
成膜方法。
続きを表示（約 740 文字）【請求項２】
前記工程（ｂ）は、前記基板に金属含有ガスを供給しない状態で行われる、
請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
前記工程（ｂ）は、前記基板に前記不純物含有ガスを連続的に供給することを含む、
請求項２に記載の成膜方法。
【請求項４】
前記工程（ｂ）は、前記基板に前記不純物含有ガスに間欠的に供給することを含む、
請求項２に記載の成膜方法。
【請求項５】
前記工程（ｂ）は、前記基板を、前記不純物含有ガスが自己分解する温度より低い温度に維持することを含む、
請求項２に記載の成膜方法。
【請求項６】
前記工程（ｂ）は、前記基板に第１金属含有ガスを供給することを含む、
請求項１に記載の成膜方法。
【請求項７】
前記工程（ｂ）は、前記基板に前記不純物含有ガスをプラズマ化しないで供給することと、前記基板に前記第１金属含有ガスを供給することとを同時に行うことを含む、
請求項６に記載の成膜方法。
【請求項８】
前記工程（ｂ）は、前記基板に前記不純物含有ガスをプラズマ化しないで供給することと、前記基板に前記第１金属含有ガスを供給することとを交互に繰り返すことを含む、
請求項６に記載の成膜方法。
【請求項９】
前記基板に前記不純物含有ガスをプラズマ化しないで供給することを最初に行う、
請求項８に記載の成膜方法。
【請求項１０】
前記第１金属含有ガスは、プラズマ化しないで前記基板に供給される、
請求項６に記載の成膜方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、成膜方法及び処理システムに関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
シリコンウエハにチタン含有ガスを供給し、プラズマを生成してチタン膜を成膜し、チタン膜とシリコンウエハの珪素との反応によりチタンシリサイド膜を形成する技術が知られている（例えば、特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００４－１５８８２８号公報
特開２００３－２０３９７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、基板から金属シリサイド膜への不純物の拡散を抑制できる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様による成膜方法は、（ａ）不純物が添加された珪素を含むドープ領域が表面に形成された基板を準備する工程と、（ｂ）前記ドープ領域の上に前記不純物を含む拡散防止層を形成する工程と、（ｃ）前記拡散防止層が形成された前記ドープ領域の上に金属膜を形成し、前記金属膜と前記ドープ領域の珪素との反応により金属シリサイド膜を形成する工程と、を有し、前記工程（ｂ）は、前記基板に前記不純物を含有する不純物含有ガスをプラズマ化しないで供給することを含む。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、基板から金属シリサイド膜への不純物の拡散を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
実施形態の第１例に係る成膜方法を示すフローチャートである。
実施形態の第１例に係る成膜方法を示す断面図である。
実施形態の第２例に係る成膜方法を示すフローチャートである。
実施形態の第２例に係る成膜方法を示す断面図である。
実施形態の第３例に係る成膜方法を示すフローチャートである。
実施形態の第４例に係る成膜方法を示すフローチャートである。
実施形態に係る処理システムの一例を示す図である。
実施形態に係る処理装置の一例を示す図である。
実施例１におけるコンタクト抵抗の測定結果を示す図である。
実施例２におけるコンタクト抵抗の測定結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
【０００９】
〔成膜方法〕
実施形態に係る成膜方法について説明する。実施形態に係る成膜方法は、不純物が添加された珪素（Ｓｉ）を含むドープ領域の上に金属シリサイド膜を形成する前に、ドープ領域の上にドープ領域と同じ不純物を含む拡散防止層を形成することを含む。以下、不純物がホウ素（Ｂ）であり、金属シリサイド膜がチタンシリサイド（ＴｉＳｉ）膜である場合を例に挙げて説明する。
【００１０】
（第１例）
図１及び図２を参照し、実施形態の第１例に係る成膜方法について説明する。図１は、実施形態の第１例に係る成膜方法を示すフローチャートである。図２は、実施形態の第１例に係る成膜方法を示す断面図である。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許