TOP特許意匠商標
特許ウォッチ Twitter
公開番号2025050365
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-04
出願番号2023159119
出願日2023-09-22
発明の名称スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲット組立品
出願人JX金属株式会社
代理人アクシス国際弁理士法人
主分類C23C 14/34 20060101AFI20250327BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】製造工程におけるクラックや割れの発生を良好に抑制することができるスパッタリングターゲット及び組立品を提供する。
【解決手段】(1)Feと、(2)Ptと、(3)Ag、Au、B、Co、Cr、Cu、Ga、Ge、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Si、Sn、Ta、W、V、Znから選択されるいずれか一種以上の元素と、(4)残部と、を有し、(1)Feと(2)Ptとの原子数比が34~55at%であり、(1)Feと(2)Ptとの合計濃度が50mol%以上であり、(3)の元素の含有率が合計で0.5~15mol%であり、(4)の残部が酸化物であり、不純物を選択的に含んでもよく、前記酸化物の体積率が40vol.%以上であり、視野倍率3000倍のSEM画像を使用してImageJを用いて算出した酸化物相の平均粒子面積(Average size)が4.0μm2以下である、スパッタリングターゲット。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
(1)Feと、(2)Ptと、(3)Ag、Au、B、Co、Cr、Cu、Ga、Ge、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Si、Sn、Ta、W、V、Znから選択されるいずれか一種以上の元素と、(4)残部と、を有し、
前記(1)Feと前記(2)Ptとの原子数比が34~55at%であり、
前記(1)Feと前記(2)Ptとの合計濃度が50mol%以上であり、
前記(3)の元素の含有率が合計で0.5~15mol%であり、
前記(4)の残部が酸化物であり、不純物を選択的に含んでもよく、前記酸化物の体積率が40vol.%以上であり、
視野倍率3000倍のSEM画像を使用してImageJを用いて算出した酸化物相の平均粒子面積(Average size)が4.0μm
2
以下である、スパッタリングターゲット。
続きを表示(約 370 文字)【請求項2】
曲げ強度が300MPa以上である、請求項1に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項3】
前記酸化物がSiの酸化物を含有する、請求項1に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項4】
前記酸化物が更にAl、B、Ba、Be、Ca、Ce、Cr、Dy、Er、Eu、Ga、Gd、Ho、Li、Mg、Mn、Nb、Nd、Pr、Sc、Sm、Sr、Ta、Tb、Ti、V、Y、Zn、Zrから選択される元素の酸化物をいずれか一種以上含有する、請求項3に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項5】
請求項1~4のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲットと、
前記スパッタリングターゲットに接合されたバッキングプレートと、
を備えた、スパッタリングターゲット組立品。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明はスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲット組立品に関するものであり、主に、HDDの膜の製造向けのスパッタリングターゲットに関するものである。
続きを表示(約 2,000 文字)【背景技術】
【0002】
垂直磁気記録方式を採用するハードディスクドライブ(HDD)を構成する層には、例えば、強磁性金属であるCo、Fe、Niをベースとした材料が用いられており、記録層には、CoやFeを主成分とするCo-Cr系、Co-Pt系、Co-Cr-Pt系、Fe-Pt系などの強磁性合金と非磁性の無機材料からなる複合材料が多く用いられている。このようなハードディスクドライブなどの磁気記録媒体の薄膜は、生産性の高さから、上記の材料を成分とするスパッタリングターゲットをスパッタリングして作製されることが多い。
【0003】
スパッタリングターゲットの製造は、一般に、まず、原材料の粉末を粉砕し混合して得られた混合物を、ホットプレスすることにより焼結体を得る。この後、焼結体の密度向上のために、HIP(Hot Isostatic Pressing:熱間等方圧加圧)加工を施すことがある。このようにして得られた焼結体を旋盤により加工し、所定の形状のターゲットを製造している(特許文献1、2)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
特許第6030271号公報
特許第6305881号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
上述のように、HDDの記録層としてFe-Pt系などの強磁性合金と非磁性の無機材料からなる複合材料が有用であることは上述した通りである。しかしながら、このような記録層の作製のために、スパッタリングターゲットとして、Fe及びPtを含む母材金属に酸化物が分散した組織を有する焼結体を製造する際、当該組成を有する焼結体は比較的脆く、製造工程でクラックや割れが発生する問題がある。
【0006】
そこで、本発明の実施形態は、製造工程におけるクラックや割れの発生を良好に抑制することができるスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲット組立品を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記課題は、以下のように特定される本発明によって解決される。
1.(1)Feと、(2)Ptと、(3)Ag、Au、B、Co、Cr、Cu、Ga、Ge、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Si、Sn、Ta、W、V、Znから選択されるいずれか一種以上の元素と、(4)残部と、を有し、
前記(1)Feと前記(2)Ptとの原子数比が34~55at%であり、
前記(1)Feと前記(2)Ptとの合計濃度が50mol%以上であり、
前記(3)の元素の含有率が合計で0.5~15mol%であり、
前記(4)の残部が酸化物であり、不純物を選択的に含んでもよく、前記酸化物の体積率が40vol.%以上であり、
視野倍率3000倍のSEM画像を使用してImageJを用いて算出した酸化物相の平均粒子面積(Average size)が4.0μm
2
以下である、スパッタリングターゲット。
2.曲げ強度が300MPa以上である、前記1に記載のスパッタリングターゲット。
3.前記酸化物がSiの酸化物を含有する、前記1または2に記載のスパッタリングターゲット。
4.前記酸化物が更にAl、B、Ba、Be、Ca、Ce、Cr、Dy、Er、Eu、Ga、Gd、Ho、Li、Mg、Mn、Nb、Nd、Pr、Sc、Sm、Sr、Ta、Tb、Ti、V、Y、Zn、Zrから選択される元素の酸化物をいずれか一種以上含有する、前記3に記載のスパッタリングターゲット。
5.前記1~4のいずれかに記載のスパッタリングターゲットと、
前記スパッタリングターゲットに接合されたバッキングプレートと、
を備えた、スパッタリングターゲット組立品。
【発明の効果】
【0008】
本発明の実施形態によれば、製造工程におけるクラックや割れの発生を良好に抑制することができるスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲット組立品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
ImageJを用いた画像解析における、二値化処理された画像と元画像との例を示す。
ImageJを用いた二値化処理の設定条件のスクリーンショットである。
【発明を実施するための形態】
【0010】
次に本発明を実施するための形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、適宜設計の変更、改良等が加えられることが理解されるべきである。
(【0011】以降は省略されています)

この特許をJ-PlatPatで参照する
Flag Counter

関連特許

JX金属株式会社
チタン銅箔、チタン銅条及び電子部品
3日前
JX金属株式会社
表面処理銅箔、銅張積層板、及びプリント配線板の製造方法
24日前
JX金属株式会社
スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲット組立品
2日前
JX金属株式会社
チタン銅箔の製造方法
3日前
日鉄建材株式会社
波形鋼板
2か月前
株式会社カネカ
製膜装置
1か月前
株式会社電気印刷研究所
金属画像形成方法
2か月前
OLED青森株式会社
製膜装置
24日前
OLED青森株式会社
製膜装置
24日前
中外炉工業株式会社
真空浸炭装置
20日前
中外炉工業株式会社
真空浸炭装置
20日前
東京エレクトロン株式会社
成膜装置
2か月前
一般財団法人電力中央研究所
耐腐食膜
3か月前
大阪富士工業株式会社
浴中軸部材の製造方法
1か月前
TOTO株式会社
構造部材
25日前
TOTO株式会社
構造部材
25日前
株式会社カワイ
無電解CoW鍍金処理方法
1か月前
株式会社カネカ
製膜装置
1か月前
日本製鉄株式会社
スナウト装置
18日前
株式会社フジキン
気化装置およびガス供給方法
24日前
日本化学産業株式会社
複合めっき皮膜及びめっき製品
1か月前
キヤノントッキ株式会社
成膜装置
1か月前
株式会社カネカ
製膜装置
24日前
キヤノントッキ株式会社
成膜装置
3か月前
株式会社オプトラン
気泡除去方法及び気泡除去装置
2か月前
日新電機株式会社
密閉処理装置
10日前
東京エレクトロン株式会社
パージ方法及び成膜装置
1か月前
株式会社アルバック
電子ビーム式蒸着ユニット
2か月前
東京エレクトロン株式会社
吸着制御方法及び成膜装置
2か月前
栗田工業株式会社
密閉冷却水系のpH制御方法及び装置
2か月前
大日本印刷株式会社
マスク及びマスクの製造方法
24日前
株式会社アルバック
真空成膜装置及び真空成膜方法
2か月前
株式会社アルバック
タングステン配線膜の成膜方法
2か月前
アイテック株式会社
複合めっき材
2か月前
東京エレクトロン株式会社
基板処理方法及び基板処理装置
3か月前
福田金属箔粉工業株式会社
銅系複合体膜及びその製造方法
16日前
続きを見る